「半导体专题讲座」芯片测试（Test） 3.半导体测试（功能方面）：直流参数测试（DCTest）/AC参数测试（ACTest）/功能测试（FunctionTest） 3-2.FunctionTest/ACTest AC参数测试主要是测试一些交流特性参数,如传输时间设置时间和保持时间等交流参数测试实际上是通过改变一系列时间设定值的功能测试。将处在Pass/Fail临界点的时间作为确定的测试结果时间交流参数测试所需的硬件环境与动态功能测试用到的硬件环境相同。通过这种方式像DRAM测试时，把良品芯片按照速度和延来区分装入的桶（Bin），并进行分离的（Bin-Sorting）。B...

关于半导体工艺这点你要知道 (6)薄膜沉积工艺 大家还记得蚀刻（Etching）过程中的“等离子体”状态吗？等离子体是由离子、自由电子和中性原子组成的物质的第四状态。简单地说PECVD的原理是注入气体，然后垂直地施加电压以产生等离子体状态。因此等离子体中的电离子气体相互产生化学反应，使你想要的物质均匀地堆积在基板上，而剩下的离子结合在一起，以气体的形式排出。明白了吗？ 3. PVD和CVD优缺点和主要因子 PVD和CVD不仅方法不同，优缺点也不同，其中的方法也有很多不同。沉积的主要素包括质量、厚度均匀度、Step Coverage和Filling，这些都是均匀度的因素。 ...

存储芯片测试仪P20MT6757DRAMP90MT6779G90MT6785…… 革恩半导体有限公司有着多年同海外**企业合作与交流共同业研发多个存储芯片测试平台，积累了丰富经验，持续服务与海外多家存储半导体生产厂家，研发存储芯片方案。 现目前已开发的平台有联发科的P20MT6757/P90MT6779/G90MT6785/20MMT6873/21M+MT6877，如有其它需求我们也可以提供定制化服务。希望致力于国内存储半导体企业和电子产品生产企业提供及时，优良，完善的测试平台，能够为企业创造更多商业契机。 “iSC-5G”是目前正在商用化的28GHz以上高频5G系统半导体用测...

关于半导体工艺这点你要知道(3)光刻技术(PhotoLithography)工艺 3. 光刻工艺流程光刻工艺过程包括Surface Preparation->Spin Coating->Soft Baking->Alignment&Exposure->Post-expose Baking->Develop->Rinse-dry->Hard Baking。这么一看，是不是完全看不懂是什么意思？所以为了便于说明，把这整个工艺变成了上面描述的PR过程，曝光，在晶片上印电路图的Develop过程。所以我们可以把它分成三个主要的过程。 1) 曝光Exposure 2) 显影Deve...

关于半导体工艺这点你要知道（7）金属化（metallization）工艺 什么是金属化工艺？ 金属化工艺（Metalization）也称为金属成形过程或金属布线过程。半导体通过各层的连接实现电路的运作，这就需要“金属化工艺”。我们需要连接线路接收来自外部的电能，使元件之间的信号不会混合在一起。 用于金属化工艺的“金属条件”所有类型的金属都可以用于金属化工艺吗？That‘s No No.用于形成电极层并连接各层的金属有几个条件： 1、易于晶片的附着性；2、低电阻；3、热、化学稳定性；4、易于图形形成；5、高可靠性；6、制造成本。 关于半导体工艺这点你要知道(3)光刻技...

关于DDR3的简单介绍DDR3（double-data-ratethreesynchronousdynamicrandomaccessmemory）是应用在计算机及电子产品领域的一种高带宽并行数据总线。DDR3在DDR2的基础上继承发展而来，其数据传输速度为DDR2的两倍。同时，DDR3标准可以使单颗内存芯片的容量更为扩大，达到512Mb至8Gb，从而使采用DDR3芯片的内存条容量扩大到比较高16GB。此外，DDR3的工作电压降低为，比采用。说到底，这些指标上的提升在技术上比较大的支撑来自于芯片制造工艺的提升，90nm甚至更先进的45nm制造工艺使得同样功能的MOS管可以制造的更小，从...

导电胶特点： DDR测试 导电胶导电胶（Silicon Roover socket)座子是改善了传统半导体检测用座子市场中主流使用的探针座子（Pogopin）的缺点。 比探针座子（Pogo Pin)薄，电流损耗小，电流通过速度快，在超高速半导体检测时准确性**子损坏的风险小等特点。 可以广泛应用于逻辑芯片（AP, CPU, GPU, PMIC, RF, Sensor, Mixed signal）和存储芯片（DDR,LPDDR,NAND,MCP)等测试领域. 革恩半导体业务领域 测试设备 0.1 基于英特尔平台开发DDR及LPDDR颗粒及模组测试仪器，可并根据...

关于半导体工艺这点你要知道 (6)薄膜沉积工艺 第二种方法是CVD。CVD是化学汽相淀积（Chemical Vapor Deposition）的简称，气体的化学反应形成的粒子被赋予外部能量的水蒸气形态发射沉积的方法。其优点是可用于导体、绝缘体，半导体的薄膜沉积。因此，大多数半导体工艺都采用化学气相沉积方法。特别其中PECVD(Plasma Enhanced CVD)因其使用等离子体可低温工艺、可调节厚度均匀度、可大批量处理等优点而被***使用。#芯片导电胶测试 #半导体芯片测试 DDR3（double-data-rate three synchronous dynamic r...

深圳市革恩半导体有限公司为专业从事存储器件测试解决方案公司，已与韩国**测试设备厂家共同开多个MTK和英特尔方案的存储器件测试仪器。并积累丰富的经验与技术。并代理韩国Okins公司产品。（如探针、导电胶、治具、烧入板等测试部件） #Rubber Socket# #LPDDR测试 导电胶# #DDR测试 导电胶# 革恩半导体业务领域 测试设备 0.1 基于英特尔平台开发DDR及LPDDR颗粒及模组测试仪器，可并根据客户需求进行固件及软件调试。 0.2 基于MTK平台开发LPDDR、EMMC、UFS测试仪器，并可根据客户需求进行因件及软件调试。 现有P60、P90...

关于半导体工艺，这点你要知道：（2）氧化（Oxidation）工艺 上节给大家介绍了半导体八大工序中的***道工序“晶圆工序”。***小编就给大家介绍一下这样辛苦制作的保护晶圆表面的工艺——“氧化工艺”。 1、什么是氧化工艺？ 首先要知道氧化工艺是什么意思吧？所谓“氧化工艺”，是指在硅（Si）基片上提供氧化剂（水（H2O）、氧（O2））和热能，形成二氧化硅（SiO2）膜的工艺。此时形成的氧化膜不仅可以防止电路和电路之间的泄漏电流流动，还可以起到防止离子注入工序扩散的作用，以及防止蚀刻工序中错误地被蚀刻的防蚀刻膜的作用。就像这样可以得到各种各样的保护晶片。如果你对“氧化”的...

针对存储芯片测试座，导电胶Rubber Socket将成为测试座市场的主流 韩企将微电子机械系统(MEMS)粒子用于导电胶的开发。从上往下看像环状平坦MEMS粒子相互吻合形成电极，与半导体的锡球接合。在粒子上进行了镀金处理，增加了寿命，提高了检测的可靠性。深圳市革恩半导体有限公司与韩企对接合作十多年，业务领域及相关合作共赢。 韩国另外一家公司发明了一种与磁性阵列**完全无关的技术。不是重新排列注入硅胶内的粒子，而是在硅胶上打孔，并填充其间的方法。相关人士表示：“socket已经开始批量生产。业界相关人士表示，导电胶（RubberSocket）将成为测试座市场的主流。 不是重新排...

关于半导体工艺这点你要知道 (5)扩散(Diffusion) 工艺 4、扩散工艺中的两个重要条件还记得上一段时间蚀刻工艺中的主要因子——均匀度和蚀刻速度吗？ 就像所有半导体制造过程一样，扩散过程也必须是均匀的。因此，为了通过向硅中注入杂质来建立所需的集成电路（IC）模型，有两个关键因素。 1) Constant Source Diffusion恒定源扩散缩写为CSD，这意味着在扩散过程中硅表面的杂质浓度必须是恒定的。使用“dose”量来表示每单位面积的总杂质颗粒数，即浓度。 基于英特尔平台开发DDR及LPDDR颗粒及模组测试仪器，可并根据客户需求进行固件及软件调试。四川...

DDR测试DDR测试流程 革恩完整的DDR测试服务可以满足您从DDR到DDR5以及从LPDDR到LPDDR5的产品开发需求，无论是DIMM、DIMM、SODIMM或是Memory Down，我们的专业可以协助您解决任何高难度的测试问题。革恩可提供专业的DDR相关知识，解决测试时所遇到的困难和挑战。 为Legacy Hosts & DIMM 提供从DDR到DDR5、LPDDR到LPDDR5的测试服务： JEDEC 信号质量测试 DDR功能及定制化测试 测试方法、环境设置及探测(Probing)技术等咨 内存总线(Memory Bus)设计咨询及验证 ...

关于半导体工艺这点你要知道 (5)扩散(Diffusion) 工艺 这次我们要做的不是淀积工艺(Deposition) ，而是扩散工艺(Diffusion)。在淀积（Deposition）工序之前！一定从扩散工艺开始要了解。因为扩散工艺是在半导体芯片上产生特殊性质的真正必要的要素！ 1、什么是扩散工艺？所谓扩散（Diffusion）工艺是向晶片注入特定杂质，为形成半导体元件创建特定区域；在经过蚀刻过程的电路图案的特定部分注入离子形态的杂质，形成电子元件的区域，通过气态（Gas）间的化学反应形成的物质沉积在晶片表面，形成各种膜的过程。 测试存储设备的大小和测试数量，还可以测试可读...

Burn-in Board（测试烧入机）测试仪器配件——探针 RollingPinandFingerPin此探针可解决一般探针的电性问题，提高接触寿命，以及减少沾锡状况所发生的电抗问题。革恩半导体使用的rollingpin不同于一般rollingpinsocket使用塑料制成，我们采用全金属制造，此做法可提供更电性及散热需求，以及大幅降低IC以及LoadBoard的刮伤。並且已有年多的实际应用。 革恩业务领域： 1. 测试设备 01. 基于英特尔平台开发DDR及LPDDR颗粒及模组测试仪器，并可根据客户需求进行固 件及软件调试 02. 基于MTK平台开发LPD...

电磁插座成型器（MSSF系列）-硅/PCR插座/测试插座 MSSF系列是一种基于电磁铁的插座成型设备，用于制造各种弹性体插座，如PCR（加压导电橡胶）插座。它是一种恒流控制功能，使用**电磁铁控制器在承窝模具的表面上提供均匀的磁通量，这具有不同的优点，即随着时间的推移不会发生磁通量恶化。此外，可以将磁场的方向和磁通密度的强度灵活地控制到期望的水平，并且它被设计为从材料输入到成型的一站式过程，并且可以使用触摸面板根据期望的产品来设计和存储该过程，或者加载现有的设计文件来工作。 Skylake-U Based Memory Tester (DRAM Test MB)。重庆导电胶有哪些 ...

关于半导体工艺，这点你要知道：（2）氧化（Oxidation）工艺 上节给大家介绍了半导体八大工序中的***道工序“晶圆工序”。***小编就给大家介绍一下这样辛苦制作的保护晶圆表面的工艺——“氧化工艺”。 1、什么是氧化工艺？ 首先要知道氧化工艺是什么意思吧？所谓“氧化工艺”，是指在硅（Si）基片上提供氧化剂（水（H2O）、氧（O2））和热能，形成二氧化硅（SiO2）膜的工艺。此时形成的氧化膜不仅可以防止电路和电路之间的泄漏电流流动，还可以起到防止离子注入工序扩散的作用，以及防止蚀刻工序中错误地被蚀刻的防蚀刻膜的作用。就像这样可以得到各种各样的保护晶片。如果你对“氧化”的...

关于半导体工艺，这点你要知道：（2）氧化（Oxidation）工艺 3、除此之外，影响氧化膜生长速度的半导体尺寸越来越小，而氧化膜作为保护膜的作用是必要的，因此氧化膜的厚度是决定半导体尺寸的重要因素。因此，为了减小氧化膜的厚度，需要协调氧化过程中的各种变量。我们在第2节中讨论过的湿法氧化，干法氧化也是其中变量的一种种类，除此之外，晶片的晶体结构，Dummy Wafer（为了减少正面接触气体或稍后接触气体部分的氧化程度差异，可以利用Dummy Wafer作为**晶片来调整气体的均匀度）、掺杂浓度、表面缺陷、压力、温度和时间等因素都可能影响氧化膜的厚度。 ***和我一起来了解一下氧...

关于DDR3的简单介绍DDR3（double-data-ratethreesynchronousdynamicrandomaccessmemory）是应用在计算机及电子产品领域的一种高带宽并行数据总线。DDR3在DDR2的基础上继承发展而来，其数据传输速度为DDR2的两倍。同时，DDR3标准可以使单颗内存芯片的容量更为扩大，达到512Mb至8Gb，从而使采用DDR3芯片的内存条容量扩大到比较高16GB。此外，DDR3的工作电压降低为，比采用。说到底，这些指标上的提升在技术上比较大的支撑来自于芯片制造工艺的提升，90nm甚至更先进的45nm制造工艺使得同样功能的MOS管可以制造的更小，从...

深圳市革恩半导体有限公司为专业从事存储器件测试解决方案公司，已与韩国**测试设备厂家共同开多个MTK和英特尔方案的存储器件测试仪器。并积累丰富的经验与技术。并代理韩国Okins公司产品。（如探针、导电胶、治具、烧入板等测试部件） #Rubber Socket# #LPDDR测试 导电胶# #DDR测试 导电胶# 革恩半导体业务领域 测试设备 0.1 基于英特尔平台开发DDR及LPDDR颗粒及模组测试仪器，可并根据客户需求进行固件及软件调试。 0.2 基于MTK平台开发LPDDR、EMMC、UFS测试仪器，并可根据客户需求进行因件及软件调试。 现有P60、P90...

关于半导体工艺，这点你要知道：（2）氧化（Oxidation）工艺 3、除此之外，影响氧化膜生长速度的半导体尺寸越来越小，而氧化膜作为保护膜的作用是必要的，因此氧化膜的厚度是决定半导体尺寸的重要因素。因此，为了减小氧化膜的厚度，需要协调氧化过程中的各种变量。我们在第2节中讨论过的湿法氧化，干法氧化也是其中变量的一种种类，除此之外，晶片的晶体结构，Dummy Wafer（为了减少正面接触气体或稍后接触气体部分的氧化程度差异，可以利用Dummy Wafer作为**晶片来调整气体的均匀度）、掺杂浓度、表面缺陷、压力、温度和时间等因素都可能影响氧化膜的厚度。 ***和我一起来了解一下氧...

內存测试DDR\RAM\闪存针对RAM\闪存或其他内存芯片测试解决方案 內存测试DDR、RAM、闪存针对RAM、闪存或其他内存芯片的标准化和客製化测试解决方案存储器IC是几乎所有电子设备的**部件。存储器IC通常分为易失性和非易失性存储器，其中当电源循环中断时，易失性内存保持其存储的信息，并且易失性存储需要恒定的电源来保持其数据。大多数内存模块具有标准化格式，可以使用标准化测试引脚进行测试。我们为所有常见格式（DDR、Flash、eMCP等）提供测试解决方案，并为您的个人需求提供定制测试解决方案。 测试解决方案 CCP中探针提供***的测试解决方案，0.007mm极细IC探针、...

「半导体专题讲座」芯片测试（Test） 4. 电气参数与过程参数的联动 半导体产品的测试种类繁多，不同的观点也有不同的解释方向。此外为了提高工艺效率和降低成本，还交换或混合封装级测试和晶片级测试项目，并相应地改变工艺。为了迎合这些综合因素，从产品设计到设备和工艺方法的产品开发战略不断更新。这是对整个半导体工艺、技术和客户产生巨大影响的过程。***介绍的测试除了工艺和功能方面以外，还有肉眼测试和机械测试等，可根据需要进行调用，优化产品的良品化。 比探针座子Pogo Pin薄，电流损耗小，电流通过速度快，在超高速半导体检测时准确性**子损坏的风险小。北京进口导电胶 关于半导体工艺...

「半导体专题讲座」芯片测试（Test） 3.半导体测试（功能方面）：直流参数测试（DCTest）/AC参数测试（ACTest）/功能测试（FunctionTest） 3-2. Function Test / AC Test 功能测试（Function Test)是将检查芯片输入输出（I/O Pad）板上执行不同模式的的测试（或Vector Data），以获得检查结果是否与提供的Truth Table相匹配。它通过不是单个而是多个元件（Column/Row或Block）的同时检查来确定干扰或泄漏电流等对周围晶体管（Tr）的影响。在这些功能检测（Function Test）中...

「半导体专题讲座」芯片测试（Test） 3. 半导体测试（功能方面）：直流参数测试（DC Test）/AC参数测试（AC Test）/功能测试（Function Test） 3-1. 直流参数测试（DC Test） 半导体测试（功能方面）在直流参数测试（DC TEST或DC Parametric Test）中，对单个晶体管（Tr）的电气特性进行电气参数测量（EPM或Electrical Parameter Measurement），以确保芯片中的单个晶体管（Tr）工作正常。具体来说结构是Open还是Short，端子之间是否有泄漏电流，各种输入/输出电压是否在Spec限制之...

革恩半导体为寓言设计公司提供晶圆探测和封装测试的测试开发和批量操作的IC测试服务。 晶圆探测晶圆探测服务 -4、5、6、8英寸晶圆 凹凸不平的晶圆 LED**工艺 探测卡开发 软件包测试 多并行测试射频测试能力 光学传感器专业知识 MEMS陀螺仪 MEMS陀螺仪LEDAnalog 混合信号 CMOS图像传感器 电源管理IC 接近光传感器 MEMS陀螺仪 光学传感器 逻辑 革恩半导体业务领域： 01. 测试设备01. 基于英特尔平台开发DDR及LPDDR...

关于半导体工艺这点你要知道 (5)扩散(Diffusion) 工艺 4、扩散工艺中的两个重要条件 1) Constant Source Diffusion恒定源扩散 2) Limited Source Diffusion有限源扩散 ***.这意味着过程中的dose量必须是恒定的。如果你在硅晶格中doping了太多的杂质，就失去了使用硅的意义，对吧？ 5、扩散的两个STEP扩散分两个step进行：前述CSD主要从硅薄层表面膜中加入杂质时开始应用。 指此为预淀积步骤(pre-depositionstep)。 第二步是（***）drive-in,这意味着...

关于半导体工艺这点你要知道（4）蚀刻工艺 大家好！这次是第4道工序！是蚀刻（Etching）工序，我们一起学习吧~ 蚀刻（Etching）工序?. 还记得之前第3课光刻（PhotoLithography）工程中“照相~”的表达吗？在这个蚀刻(Etching)过程中，我们将消除底图中不必要的部分，即只保留电路图案中必要的部分，而将不必要的部分削掉。更详细地说，如果在光刻“PhotoLithography”工序中形成了光刻胶“PhotoResist”，那么在蚀刻工序中，就是使用液体或气体（etchant）进行腐蚀，消除多余部分的工作。（其中etchant是进行腐蚀的物质的统称...

关于DDR3的简单介绍 DDR3（double-data-rate three synchronous dynamic random access memory）是应用在计算机及电子产品领域的一种高带宽并行数据总线。DDR3在DDR2的基础上继承发展而来，其数据传输速度为DDR2的两倍。同时，DDR3标准可以使单颗内存芯片的容量更为扩大，达到512Mb至8Gb，从而使采用DDR3芯片的内存条容量扩大到比较高16GB。此外，DDR3的工作电压降低为1.5V，比采用1.8V的DDR2省电30%左右。说到底，这些指标上的提升在技术上比较大的支撑来自于芯片制造工艺的提升，90nm甚至更先进的...

「半导体专题讲座」芯片测试（Test） 4. 电气参数与过程参数的联动 电气参数中**重要的参数是电流（其次依次为门槛电压、切换时间）.例如，如果我们研究驱动电流与过程变量的关联关系，技术升级（ex.12纳米到7纳米）意味着线宽细化（这意味着浇口的长度/宽度和通道的长度/宽度缩小），这意味着必须缩小通道截面积（相对于长度而言，截面积影响更大），即电子在源端和直通端之间的通道。当过程变量缩小时，漏极电流（Id）就会减少，所以重新设置缩小漏极电流的Spec Limit以适应线宽。在这种情况下，如果需要维持一定的电流值，而不能根据工艺变量调整电参数值或相反地减小值，则需要调整工艺变量...