之后为f3,**后为f4,且f4小于f3,f3小于f1。仍与图9c所示的清洗工艺相似,在一个实施例中,在时间段τ1内,电源的频率先设置为f4,之后为f3,**后为f1,且f4小于f3,f3小于...
图9a至图9d揭示了根据本发明的又一个实施例的声波晶圆清洗工艺。图10a至图10c揭示了根据本发明的又一个实施例的声波晶圆清洗工艺。图11a至图11b揭示了根据本发明的又一个实施例的声波晶圆清...
其中该边框结构区域依序包含***边结构区域、第二边结构区域、第三边结构区域与第四边结构区域,该***边结构区域与该第三边结构区域的宽度相同。在一实施例中,为了让基板结构所承载的半导体组件的设计...
揭示了根据本发明的一个实施例的使用超声波或兆声波装置的晶圆清洗装置。图1a揭示了晶圆清洗装置的剖视图。该装置包括用于保持晶圆1010的晶圆卡盘1014,用于驱动晶圆卡盘1014的转动驱动装置1...
声压pm朝膨胀方向拉伸气泡,如图5c所示。因此,负的声压pm也对周围的液体做部分功。由于共同作用的结果,气泡内的热能不能全部释放或转化为机械能,因此,气泡内的气体温度不能降低到**初的气体温度...
本发明涉及半导体加工制造领域,尤其涉及一种半导体晶圆表面缺陷的快速超高分辨检测系统。背景技术:半导体缺陷检测系统是半导体器件制作前用于识别衬底或外延层缺陷数量、沾污面积、表面颗粒物数量,从而进...
图23揭示了根据本发明的一个实施例的可以执行图7至图22揭示的晶圆清洗工艺的晶圆清洗装置。图24揭示了根据本发明的一个实施例的可以执行图7至图22所揭示的晶圆清洗工艺的另一晶圆清洗装置的剖视图...
vi-v0-△v)/(δv-△v)+1)=ni/f1=((vi-v0-△t)/(δv-△v)+1)/f1(20)其中,t1是循环周期,f1是超声波或兆声波的频率。因此,为了防止气泡尺寸达到阻塞...