1988-1991，集电极额定电流为Tcase=80℃时值）“1”、“2”表示***代IGBT产品（1992-1996，集电极额定电流为Tcase=25℃时值）;600V产品：集电极额定电流为Tcase=80℃时值。“3”表示第二代IGBT产品（600V和1200V：高密度NPT型IGBT）；1700V为***代NPT型。600V产品：集电极额定电流为Tcase=80℃时值。1200V与1700V产品：集电极额定电流为Tcase=25℃时值。“4”表示高密度、低保和压降NPT型IGBT（1200V、1700V）。“5”表示高密度、高速NPT型IGBT（600V、1200V）。“6”表示...

从而使得本实施例可应用与高频场景。本说明书中的“半导体衬底表面内”是指由半导体衬底表面向下延伸的一定深度的区域，该区域属于半导体衬底的一部分。其中，半导体衬底可以包括半导体元素，例如单晶、多晶或非晶结构的硅或硅锗，也可以包括混合的半导体结构，例如碳化硅、合金半导体或其组合，在此不做限定。在本实施例中的半导体衬底推荐采用硅衬底，在本实施例中以n型衬底为例进行说明。推荐地，***氧化层21厚度为1000-1200a。推荐地，第二氧化层22厚度为3000-5000a。进一步地，两个所述沟槽栅结构之间设置有***掺杂区，所述***掺杂区的掺杂类型与所述半导体衬底的类型相反，***掺杂区为pw导...

TA＝125°C图7其他公司的IGBT的低端IGBT开关电压和dV/dt感生电流的18A峰值图8IRGP30B120KD-EIGBT的低端IGBT开关电压和dV/dt感生电流的dV/dt感生电流的减小清楚说明单正向栅驱动设计的优胜之处。但在这个测试中，Co-Pack二极管电流的影响并没有完全计算在内。为了只显示出IGBT对整体电流的影响，我们只利用相同的分立式反并联二极管再重复测试，如图9中的Ice(cntrl)。图9利用相同的分立式Co-Pack二极管产生的dV/dt感生电流图10显示出在没有IGBT情况下，负偏置栅驱动器IGBT的I电流。图11为IRGP30B120KD-E单正向栅...

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GSM系统规范对手机发射功率的精度、平坦度、发射频谱纯度以及带外杂散信...发表于2017-12-1217:58•171次阅读空间电压矢量svpwm控制原理解析PAM是英文PulseAmplitudeModulation（脉冲幅度调制）缩写，是按一定规律改变...发表于2017-12-1113:33•2402次阅读基于TL494的12V直流电压转变220V逆变电...目前所有的双端输出驱动IC中，可以说美国德克萨斯仪器公司开发的TL494功能**完善、驱动能力**强，其...发表于2017-12-0515:18•648次阅读基于LTC3115-1的手持式设备、工业仪表和汽...手持式设...

“锂离子动力电池有...发表于2018-01-3008:27•5358次阅读电磁炉igbt驱动电路图绝缘栅双极晶体管IGBT安全工作，它集功率晶体管GTR和功率场效应管MOSFET的优点于一...发表于2018-01-2614:35•716次阅读并联型功率优化方法的原理和适用条件，并用单开关拓...传统方案大多针对组串及组件失配问题，将每个光伏组件的输出经过变换器**的**大功率跟踪后再串联加以解决...发表于2018-01-2516:10•461次阅读超级电容在峰值负载时的电压稳定化，有效支持了可穿...村田的超级电容在峰值负载时的电源电压稳定化，有效支持了可穿戴终端以外很多设备。例...

死区电路的作用是：实现上下管驱动信号有一定的时间间隔td，例如上管驱动信号关闭后，需要等待td延时后才能开通下管驱动信号；互锁电路的作用是：上下管驱动信号不能同时为有效，避免产生上下管驱动直通信号；保护电路的作用是：当副边出现故障信号是，保护电路能够同时关闭上下管驱动信号。15v电源输入滤波电路的作用是：对输入15v电源进行滤波，维持15v电源的稳定并且降低emc干扰。dc/dc电路的的作用是：15v电源高频脉宽调制dc/dc。隔离电路包括：驱动光耦、反馈光耦和隔离变压器。驱动光耦的作用是：传递原边驱动信号给副边电路，电气隔离原边低压侧和副边高压侧。反馈光耦的作用是：传递副边故障信号给...

光耦隔离电路还连接死区电路、互锁电路和保护电路，驱动电路还分别连接光耦隔离电路和igbt模块，vce-sat检测电路检测到igbt模块发生短路故障或过流故障时，通过光耦隔离电路传递故障信号给原边电路，原边电路同时***igbt模块上下管驱动信号，并通过光耦隔离电路和驱动电路关断igbt模块。实施例2：在实施例1的基础上，本实用新型的一种实施例电路如图2所示，其中，15v电源输入滤波电路由l1和c1构成的滤波器，其作用主要是：对输入15v电源进行滤波，并且降低开关噪声和电磁干扰。dc/dc电路由q1,q2,t1构成推挽电路，并且q1和q2由晶体管构成，t1为高频隔离变压器，其副边有两个*...

是一种非常直观...发表于2018-01-1509:38•700次阅读为物联网未来发声——物联网微功率频谱应用研讨会***上午，来自全国各地及海外的一百多家物联网行业企业、用户单位和科研机构**齐聚北京，共同参与了“为...发表于2018-01-1217:20•1299次阅读功率和功耗一样吗_功耗和功率的区别功率是指物体在单位时间内所做的功的多少，即功率是描述做功快慢的物理量。功的数量一定，时间越短，功率值...发表于2018-01-1214:43•1024次阅读浪涌电压防护_电解电容浪涌电压措施在电子设计中，浪涌主要指的是电源（只是主要指电源）刚开通的那一瞬息产生的强力脉冲，由于电路...

在...发表于2017-06-1217:28•875次阅读电阻电容标准值取值法则及电阻的技术范畴和常见特性如E6系列的公比为6√10≈，系列的***个量取，接下来的量为上临的量乘以公比值6√10...发表于2017-06-0914:45•504次阅读基础知识：伏安法如何取电阻值及电阻色环的取值标准拿到色环电阻要把**靠近电阻端部的那一环认为***环，否则会读反，如三个环分别是红橙黄，正确读是2300...发表于2017-06-0817:15•479次阅读绝缘电阻该如何测量功率？如何使用兆欧表测量绝缘电...兆欧表的接线柱共有三个：一个为“L”即线端，一个“E”即为地端，再一个“G”即屏...

光耦隔离电路还连接死区电路、互锁电路和保护电路，驱动电路还分别连接光耦隔离电路和igbt模块，vce-sat检测电路检测到igbt模块发生短路故障或过流故障时，通过光耦隔离电路传递故障信号给原边电路，原边电路同时***igbt模块上下管驱动信号，并通过光耦隔离电路和驱动电路关断igbt模块。实施例2：在实施例1的基础上，本实用新型的一种实施例电路如图2所示，其中，15v电源输入滤波电路由l1和c1构成的滤波器，其作用主要是：对输入15v电源进行滤波，并且降低开关噪声和电磁干扰。dc/dc电路由q1,q2,t1构成推挽电路，并且q1和q2由晶体管构成，t1为高频隔离变压器，其副边有两个*...

KY3-B2型可控硅移相触发板一、概述KY3-B2型三相闭环触发器是引进国外**的**可控硅移相触发集成电路。输出触发脉冲具有极高的对称性和稳定性，不随环境温度变化，无相序要求。内含完整的缺相、过流、过热等故障保护功能；具有高精度、功能完善、使用简单可靠、易调试、抗干扰性强等优点。它可***的应用于工业各领域的电压电流调节，适用于电阻性负载、电感性负载、变压器一次侧及各种整流装置等。其主要应用于大功率电源、高频设备交直流调压、盐浴炉、工频感应炉、淬火炉、熔融玻璃的温度加热控制及各种工业炉；整流变压器、调工机、电炉变压器一次侧、充磁退磁调节、直流电机调速控制、电机软启动节能装置；以镍、铁...

特别是对于8寸以上的大硅片，极易破碎，难度更大。背面工艺，包括了背面离子注入，退火***，背面金属化等工艺步骤，由于正面金属的熔点的限制，这些背面工艺必须在低温下进行(不超过450°C)，退火***这一步难度极大。背面注入以及退火，此工艺并不像想象的那么简单。国外某些公司可代加工，但是他们一旦与客户签订协议，就不再给中国客户代提供加工服务。在模块封装技术方面，国内基本掌握了传统的焊接式封装技术，其中中低压模块封装厂家较多，高压模块封装主要集中在南车与北车两家公司。与国外公司相比，技术上的差距依然存在。国外公司基于传统封装技术相继研发出多种先进封装技术，能够大幅提高模块的功率密度、散热性...

○触发板也可接入直流3V电压和分流器75mV反馈信号进行直流负载的恒电流和恒电压控制。（请通过JP1和JP3跳线选择短接S4和S6进行直流闭环控制）。○触发板可跟据不同要求场合取样。触发板还可以与单片机及相应检测传感器组成外闭环自动控制系统。2．可选择三种的输入模式：○4-20mA输入。通过JP4跳线选择短接S1。○0-10V输入。通过JP4跳线选择短接S2。○0-5V输入。通过JP4跳线选择短接S3。3．可外接温控保护开关和复位开关：（请参考接线图）。4．软启动调节：触发板可通过VR3可调电阻设置调节软启动的时间，顺时针方向调节为启动时间更长。5．限流限压保护：触发板通过调节VR2设...

是一种非常直观...发表于2018-01-1509:38•700次阅读为物联网未来发声——物联网微功率频谱应用研讨会***上午，来自全国各地及海外的一百多家物联网行业企业、用户单位和科研机构**齐聚北京，共同参与了“为...发表于2018-01-1217:20•1299次阅读功率和功耗一样吗_功耗和功率的区别功率是指物体在单位时间内所做的功的多少，即功率是描述做功快慢的物理量。功的数量一定，时间越短，功率值...发表于2018-01-1214:43•1024次阅读浪涌电压防护_电解电容浪涌电压措施在电子设计中，浪涌主要指的是电源（只是主要指电源）刚开通的那一瞬息产生的强力脉冲，由于电路...

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我国的功率半导体技术包括芯片设计、制造和模块封装技术目前都还处于起步阶段。功率半导体芯片技术研究一般采取“设计+代工”模式，即由设计公司提出芯片设计方案，由国内的一些集成电路公司代工生产。由于这些集成电路公司大多没有**的功率器件生产线，只能利用现有的集成电路生产工艺完成芯片加工，所以设计生产的基本是一些低压芯片。与普通IC芯片相比，大功率器件有许多特有的技术难题，如芯片的减薄工艺，背面工艺等。解决这些难题不仅需要成熟的工艺技术，更需要先进的工艺设备，这些都是我国功率半导体产业发展过程中急需解决的问题。从80年代初到现在IGBT芯片体内结构设计有非穿通型(NPT)、穿通型(PT)和弱穿...

大中小烧IGBT或保险丝的维修程序2010-03-28流水淙淙展开全文一、电路板烧IGBT或保险丝的维修程序电流保险丝或IGBT烧坏，不能马上换上该零件，必须确认下列其它零件是在正常状态时才能进行更换，否则，IGBT和保险丝又会烧坏。1．目视电流保险丝是否烧断2．检测IGBT是否...一、电路板烧IGBT或保险丝的维修程序保险丝或IGBT烧坏，不能马上换上该零件，必须确认下列其它零件是在正常状态时才能进行更换，否则，IGBT和保险丝又会烧坏。这样付出的代价就大了。1．检查保险丝是否烧断2．检测IGBT是否击穿：用万用表二极管档测量IGBT的“E”；“C”；“G”三极间是否击穿短路。A：...

您所在位置：网站首页>海量文档>理工科>能源/化工富士IGBT应用手册.pdf92页本文档一共被下载：次,您可全文**在线阅读后下载本文档。下载提示1.本站不保证该用户上传的文档完整性，不预览、不比对内容而直接下载产生的反悔问题本站不予受理。2.该文档所得收入(下载+内容+预览三)归上传者、原创者。3.登录后可充值，立即自动返金币，充值渠道很便利同意并开始全文预览下载地址文档纠错收藏文档下载帮助下载源文档（pdf格式，）特别说明：下载前务必先预览，自己验证一下是不是你要下载的文档。上传作者：kolr（上传创作收益人）发布时间：2018-03-04需要金币：180(10金币=人民币1元...

图5为本实用新型实施例提供的沟槽栅结构制作方法的流程图。图中：1为多晶硅层，2为氧化层，21为***氧化层，22为第二氧化层，23为**氧化层，3为光刻胶。具体实施方式下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例**是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。图4示出了本实施例提供的一种沟槽栅igbt示意图，包括半导体衬底和设置在半导体衬底表面内的两个沟槽栅结构，两个沟槽栅结构对称，沟槽栅结构设置有多...

图5为本实用新型实施例提供的沟槽栅结构制作方法的流程图。图中：1为多晶硅层，2为氧化层，21为***氧化层，22为第二氧化层，23为**氧化层，3为光刻胶。具体实施方式下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例**是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。图4示出了本实施例提供的一种沟槽栅igbt示意图，包括半导体衬底和设置在半导体衬底表面内的两个沟槽栅结构，两个沟槽栅结构对称，沟槽栅结构设置有多...

降低本征JFET的影响，和使用元胞设计几何图形，从而达到以上的目标。对两种1200VNPTIGBT进行比较：一种是其他公司的需负偏置关断的器件，一种是IR公司的NPT单正向栅驱动IRGP30B120KD-E。测试结果表明其他公司的器件在源电阻为56?下驱动时，dV/dt感生电流很大。比较寄生电容的数据，IR器件的三种电容也有减小：输入电容，CIES减小25％输出电容，COES减小35％反向传输电容，CRES减小68％图4寄生电容比较图5显示出IR器件的减小电容与V的关系，得出的平滑曲线是由于减小了JFET的影响。当V＝0V时，负偏置栅驱动器件的C为1100pF，IRGP30B120KD...

目前，为了防止高dV/dt应用于桥式电路中的IGBT时产生瞬时集电极电流，设计人员一般会设计栅特性是需要负偏置栅驱动的IGBT。然而提供负偏置增加了电路的复杂性，也很难使用高压集成电路（HVIC）栅驱动器，因为这些IC是专为接地操作而设计──与控制电路相同。因此，研发有高dV/dt能力的IGBT以用于“单正向”栅驱动器便**为理想了。这样的器件已经开发出来了。器件与负偏置栅驱动IGBT进行性能表现的比较测试，在高dV/dt条件下得出优越的测试结果。为了理解dV/dt感生开通现象，我们必须考虑跟IGBT结构有关的电容。图1显示了三个主要的IGBT寄生电容。集电极到发射极电容C，集电极到栅...

冷却体）的选定方法、实际安装的注意事项7-7第8章并联连接1.电流分配的阻碍原因8-22.并联连接方法8-3第9章评价、测定方法1.适用范围9-12.评价、测定方法9-1Qualityisourmessage第1章构造与特征目录1.元件的构造与特征1-22.富士电机电子设备技术的IGBT1-33.通过控制门极阻断过电流1-54.限制过电流功能1-65.模块的构造，随着双极型功率晶体管模块和功率MOSFET的出现，已经起了很大的变化。这些使用交换元件的各种电力变换器也随着近年来节能、设备小型化轻量化等要求的提高而急速地发展起来。但是，电力变换器方面的需求，并没有通过双极型功率晶体管模块和...

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是否受热损坏。（如果损坏已变形或烧熔）6．检测芯片8316是否击穿：测量方法：用万用表测量8316引脚，要求1和2；1和4；7和2；7和4之间不能短路。7．IGBT处热敏开关绝缘保护是否损坏。按键动作不良的检测测量CPU口线是否击穿：二、按键动作不良用万用表二极管档测量CPU极与接地端，均有，万用表红笔接“地”；黑笔接“CPU每一极口线”。否则，说明CPU口线击穿。三、功率不能达到到要求1．线圈盘短路：测试线圈盘的电感量：PSD系数为L=157±5µH，PD系列为L=140±5µH。2．锅具与线圈盘距离是否正常。3．锅具是否是指定的锅具。四、检查各元气件是否松动，是否齐全。装配后不良状...

由于西门康IGBT模块供应为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电一般达到20～30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点：1、在使用模块时，尽量不要用手触摸驱动端子部分，当必须要触摸西门康IGBT模块供应端子时，要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后，再触摸；2、在用导电材料连接模块驱动端子时，在配线未接好之前请先不要接上模块；3、尽量在底板良好接地的情况下操作。在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极大额定电压，但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合，也会产生使氧...

Thresholdvoltage）：通常将传输特性曲线中输出电压随输入电压改变而急剧变...发表于2017-11-2717:18•935次阅读怎么使用示波器抓取瞬态波形示波器是一种用途十分***的电子测量仪器。它能把肉眼看不见的电信号变换成看得见的图像，便于人们研究各种...发表于2017-11-2710:54•1070次阅读基于简单功率跟踪技术的射频功率放大器效率优化高数据速率的需求推动着移动通信系统从2G向3G迁移。这些系统中更高的数据速率为移动电话射频设...发表于2017-11-2513:58•181次阅读降低SDR功耗的整体设计方案传统上，降低软件无线电(SDR)硬件的功耗一...

由于西门康IGBT模块供应为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电一般达到20～30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点：1、在使用模块时，尽量不要用手触摸驱动端子部分，当必须要触摸西门康IGBT模块供应端子时，要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后，再触摸；2、在用导电材料连接模块驱动端子时，在配线未接好之前请先不要接上模块；3、尽量在底板良好接地的情况下操作。在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极大额定电压，但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合，也会产生使氧...

光耦u3_out输出高电平，经过d6和v6后故障信号fault_p为低电平，对驱动信号进行***。上管信号的逻辑关系是：其中v1_out是v1与非门的输出信号，u2_out是光耦u2的输出信号（上图对应u2的7脚）死区逻辑说明：当模态2过渡到模态3时，中间至少要延时td互锁逻辑说明：当pwm_h和pwm_l同时为高电平时，u2输出信号为低电平，即避免了因emc电磁干扰等因素导致igbt模块上下管直通短路的情况，提高了原边电路的抗干扰能力，有效地保护了igbt模块。故障状态时，pwm_h和pwm_l是任意电平，驱动输出信号drv_h为低电平，及时关断igbt模块；下管信号的逻辑关系是：其...