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    您所在位置：网站首页>海量文档>理工科>能源/化工富士IGBT应用手册.pdf92页本文档一共被下载：次,您可全文**在线阅读后下载本文档。下载提示1.本站不保证该用户上传的文档完整性，不预览、不比对内容而直接下载产生的反悔问题本站不予受理。2.该文档所得收入(下载+内容+预览三)归上传者、原创者。3.登录后可充值，立即自动返金币，充值渠道很便利同意并开始全文预览下载地址文档纠错收藏文档下载帮助下载源文档（pdf格式，）特别说明：下载前务必先预览，自己验证一下是不是你要下载的文档。上传作者：kolr（上传创作收益人）发布时间：2018-03-04需要金币：180(10金币=人民币1元)浏览人气：下载次数：收藏次数：文件大小：MB下载过该文档的会员：这个文档不错0%(0)文档有待改进0%。二极管由管芯、管壳和两个电极构成。管芯是一个PN结，在PN结的两端各引出一个引线，并用塑料。安徽质量模块推荐货源

    四种IGBT模块常规测量仪器作者：微叶科技时间：2015-10-1516:38看了很多的IGBT测量方法，其中不乏极具精髓的，但不怎么的***。现在我总结介绍四招，有这四招，足以应付日常工作中的要求了。但这是在简单工具的前提下，只能说是常规测量吧。下面先摆出四大装备（排名不分先后）：数字万用表：虽然，用它来测量有太多的局限性，但它却是我们**常用和普遍的工具**。用它测量二极管的管压降，不仅能在一定程度上判断其好坏，还能判定它们的离散性。数字电容表：这个可能是很多人用的比较少吧，其实我们都知道，IGBT的容量大小是有规律的，容量大它的各种等效电容容量也将同比加大，如**重要的Cies就是我们的测量对象。但是，官方给出的多是VGE=0VVCE=10Vf=1MHZ时的参考数值，我们根本没有条件来做直接对比。我们使用的数字电容表多在800HZ的测试频率。但这不并不影响我们的测量，我们只要总结规律，以我们现有的这种简单测试仪表也还是具有非大的靠性的，而且在一定程度上能判断各个IGBT管的同一性。现在很多***商以小充大来赚取暴利，所以这是一个很好的方法。万一你用上了“来历不明”的模块而爆机时有可能就是这种情况，不是你技术不好或是你维修的不够仔细。出口模块金属二极管承受反向电压时，加强了PN结的内电场，二极管呈现很大电阻，此时*有很小的反向电流。

    该第二氧化层22的厚度为3000-5000a(如图5c所示)，根据应用端对器件的开关特性需求，可以对第二氧化层22的厚度进行调节；s102：沉积光刻胶3(如图5d所示)；s104：去除沟道区的光刻胶3，保留非沟道区的光刻胶3，从而保护沟槽内非沟道区的第二氧化层22不被蚀刻；s105：对第二氧化层22进行蚀刻(如图5f所示)，然后去除沟槽内非沟道区保留的光刻胶3(如图5g所示)；s106：在沟槽内沉积***氧化层21(如图5h所示)；s107:沉积多晶硅层(如图5i所示)，然后去除表面多余多晶硅层(如图5j所示)。需要说明的是，本实施例提供的制作方法形成两种厚度氧化层2没有新增光刻流程，从而节省了光罩制作成本。综上，本实施例提供的沟槽栅igbt及其制作方法可以降低现有技术中结构的结电容大小、提高了器件的开关特性，从而使得本实用新型可以应用于高频场景。尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。

    降低本征JFET的影响，和使用元胞设计几何图形，从而达到以上的目标。对两种1200VNPTIGBT进行比较：一种是其他公司的需负偏置关断的器件，一种是IR公司的NPT单正向栅驱动IRGP30B120KD-E。测试结果表明其他公司的器件在源电阻为56?下驱动时，dV/dt感生电流很大。比较寄生电容的数据，IR器件的三种电容也有减小：输入电容，CIES减小25％输出电容，COES减小35％反向传输电容，CRES减小68％图4寄生电容比较图5显示出IR器件的减小电容与V的关系，得出的平滑曲线是由于减小了JFET的影响。当V＝0V时，负偏置栅驱动器件的C为1100pF，IRGP30B120KD-E只有350pF，当VCE＝30V时，负偏置栅驱动器件的C为170pF，IRGP30B120KD-E的CRES为78pF。很明显，IRGP30B120KD-E具有非常低的C，因此在相同的dV/dt条件下dV/dt感生电流将非常小。图5IRGP30B120KD-E寄生电容与VCE的关系图6的电路用来比较测试两种器件的电路性能。两者的dV/dt感生电流波形也在相同的dV/dt值下得出。图6dV/dt感生开通电流的测试电路测试条件：电压率，dV/dt=直流电压，Vbus=600V外部栅到发射极电阻Rg=56?环境温度。当反向电压增大到一定数值时，反向电流急剧加大，进入反向击穿区，D点对应的电压称为反向击穿电压。

    通过电阻和igbt模块导通压降vce-sat的分压原理：，不检测故障，vce-sat检测被禁止，该状态下不检测vce，原因是igbt***状态vce电压为关断电压;下管vce-sat检测电路由r15,d12,r16构成vce-sat采样电路:当驱动信号drv_l为高电平（15v）时，通过电阻和igbt模块导通压降vce-sat的分压原理：，采样信号vce_h，r6和r7构成分压电路(通过r6和r7设定保护值)，比较信号comp_h，通过vce_h与comp_h的比较实现vce饱和压降的检测，并输出故障信号fault_h：当vce_h小于comp_h，fault_h为高电平，正常状态；当vce_h大于comp_h，fault_h为低电平，报故障状态;当驱动信号drv_h为低电平（-15v）时，通过电阻和igbt模块导通压降vce-sat的分压原理：，不检测故障，vce-sat检测被禁止，该状态下不检测vce，原因是igbt***状态vce电压为关断电压;当fault_h为低电平时,光耦u1_out输出高电平，经过d5和v5后故障信号fault_p为低电平，对驱动信号进行***。下管vce-sat检测电路由r15,d12,r16构成vce-sat采样电路，采样信号vce_l，r13和r14构成分压电路(通过r13和r14设定保护值)，比较信号comp_l，通过vce_l与comp_l的比较实现vce-sat的检测，并输出故障信号fault_l，当fault_l为低电平时。实际应用中，反向电流越小说明二极管的反向电阻越大，反向截止性能越好。云南新能源模块

外加正向电压较小时，二极管呈现的电阻较大。安徽质量模块推荐货源

    从而使得本实施例可应用与高频场景。本说明书中的“半导体衬底表面内”是指由半导体衬底表面向下延伸的一定深度的区域，该区域属于半导体衬底的一部分。其中，半导体衬底可以包括半导体元素，例如单晶、多晶或非晶结构的硅或硅锗，也可以包括混合的半导体结构，例如碳化硅、合金半导体或其组合，在此不做限定。在本实施例中的半导体衬底推荐采用硅衬底，在本实施例中以n型衬底为例进行说明。推荐地，***氧化层21厚度为1000-1200a。推荐地，第二氧化层22厚度为3000-5000a。进一步地，两个所述沟槽栅结构之间设置有***掺杂区，所述***掺杂区的掺杂类型与所述半导体衬底的类型相反，***掺杂区为pw导电层。进一步地，在所述***掺杂区的内表面设置两个第二掺杂区，所述第二掺杂区的掺杂类型与***掺杂区的掺杂类型相反，两个所述第二掺杂区分别设置在靠近两个所述沟槽栅结构的一侧并且与沟槽栅结构接触,第二掺杂区为n+源区，pw导电层和n+源区与发射极金属接触。进一步地，所述半导体的底部还设置有缓冲层和集电极，所述集电极设置在比较低层。图5示出了本实施例提供的一种沟槽栅结构制作方法，与现有技术的制作基本相同，区别在于以下：s101：在沟槽内沉积第二氧化层22。安徽质量模块推荐货源

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