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    由于西门康IGBT模块供应为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电一般达到20～30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点：1、在使用模块时，尽量不要用手触摸驱动端子部分，当必须要触摸西门康IGBT模块供应端子时，要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后，再触摸；2、在用导电材料连接模块驱动端子时，在配线未接好之前请先不要接上模块；3、尽量在底板良好接地的情况下操作。在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极大额定电压，但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合，也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此，通常采用双绞线来传送驱动信号，以减少寄生电感。在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。此外，在栅极—发射极间开路时，若在集电极与发射极间加上电压，则随着集电极电位的变化，由于集电极有漏电流流过，栅极电位升高，集电极则有电流流过。这时，如果集电极与发射极间存在高电压，则有可能使西门康IGBT模块供应发热及至损坏。在使用西门康IGBT模块供应的场合，当栅极回路不正常或栅极回路损坏时(栅极处于开路状态)。山东模块代理商随外加电压的增加正向电流迅速增加，如BC段特性曲线陡直，伏安关系近似线性，处于充分导通状态。

    作为本实用新型的进一步方案：所述变压器隔离电路采用高频隔离变压器，其副边有两个**的绕组，输出两路隔离电源。与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型能够有效保护igbt模块，并且该实用新型原边电路集成了死区电路、互锁电路和保护电路，可以提高抗干扰能力，提高驱动电路可靠性。附图说明图1为本实用新型涉及的风电变流器驱动电路示意图。图2为本实用新型涉及的风电变流器的具体驱动电路。具体实施方式下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例**是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。请参阅图1-2，实施例1：本实用新型实施例中，风电变流器的igbt驱动电路，包括原边电路、隔离电路和副边电路，原边电路包括死区电路、互锁电路、保护电路、15v电源输入滤波电路和dc/dc电路，隔离电路包括变压器隔离电路和光耦隔离电路，副边电路包括±15v驱动电源、驱动电路和vce-sat检测电路。原边电路包括上下管的死区电路、互锁电路和保护电路。

    从而使得本实施例可应用与高频场景。本说明书中的“半导体衬底表面内”是指由半导体衬底表面向下延伸的一定深度的区域，该区域属于半导体衬底的一部分。其中，半导体衬底可以包括半导体元素，例如单晶、多晶或非晶结构的硅或硅锗，也可以包括混合的半导体结构，例如碳化硅、合金半导体或其组合，在此不做限定。在本实施例中的半导体衬底推荐采用硅衬底，在本实施例中以n型衬底为例进行说明。推荐地，***氧化层21厚度为1000-1200a。推荐地，第二氧化层22厚度为3000-5000a。进一步地，两个所述沟槽栅结构之间设置有***掺杂区，所述***掺杂区的掺杂类型与所述半导体衬底的类型相反，***掺杂区为pw导电层。进一步地，在所述***掺杂区的内表面设置两个第二掺杂区，所述第二掺杂区的掺杂类型与***掺杂区的掺杂类型相反，两个所述第二掺杂区分别设置在靠近两个所述沟槽栅结构的一侧并且与沟槽栅结构接触,第二掺杂区为n+源区，pw导电层和n+源区与发射极金属接触。进一步地，所述半导体的底部还设置有缓冲层和集电极，所述集电极设置在比较低层。图5示出了本实施例提供的一种沟槽栅结构制作方法，与现有技术的制作基本相同，区别在于以下：s101：在沟槽内沉积第二氧化层22。该器件还适用于通用线电压整流器应用，如电源和标准驱动。

    发表于2018-04-0311:03•147次阅读电压与电压降是一个概念吗?有什么区别吗本文开始介绍了电压的分类和电压的作用，其次介绍了电压降的相关概念和电压降产生的原因，**后分析了电压与...发表于2018-04-0309:00•154次阅读***表使用中必须掌握的14个小技巧能让你事半功倍我们都知道万用表是电力作业人员工作中不可缺少的常用维修工具，正确的使用万用表不仅能让我们的工作事半功发表于2018-04-0308:42•184次阅读开关电源传导、辐射处理案例，通过整改调整Layo...注：在**初的设计中，预留电感L1、L2，CBB电容C1、C2作为传导测试元件，预留磁珠FB1、陶瓷贴...发表于2018-04-0209:13•268次阅读关于仪表电缆电压等级详解-铜芯聚氯乙烯绝缘聚氯乙烯护套圆型电缆(电线)BVVB--铜芯聚氯乙烯绝缘聚氯乙烯护套平型电缆(电线...发表于2018-03-3015:42•76次阅读仪表电缆电压等级分类详情仪表电缆电压，听到这个代名词都觉得非常有深意，是的，除了非专业人士，我相信，基本没有人能正确的分析、...发表于2018-03-3015:38•77次阅读能威胁人生命的到底是电压还是电流?我们都知道要远离高电压，因为高电压对人来说是危险的，这是一个常识。触摸到高电压的东西。二极管被击穿后电流过大将使管子损坏，因此除稳压管外，二极管的反向电压不能超过击穿电压。青海模块加工厂

采用分立封装的高效硅基或 CoolSiCTM碳化硅二极管以及裸片等灵活多样产品组合。质量模块欢迎选购

    通过电阻和igbt模块导通压降vce-sat的分压原理：，不检测故障，vce-sat检测被禁止，该状态下不检测vce，原因是igbt***状态vce电压为关断电压;下管vce-sat检测电路由r15,d12,r16构成vce-sat采样电路:当驱动信号drv_l为高电平（15v）时，通过电阻和igbt模块导通压降vce-sat的分压原理：，采样信号vce_h，r6和r7构成分压电路(通过r6和r7设定保护值)，比较信号comp_h，通过vce_h与comp_h的比较实现vce饱和压降的检测，并输出故障信号fault_h：当vce_h小于comp_h，fault_h为高电平，正常状态；当vce_h大于comp_h，fault_h为低电平，报故障状态;当驱动信号drv_h为低电平（-15v）时，通过电阻和igbt模块导通压降vce-sat的分压原理：，不检测故障，vce-sat检测被禁止，该状态下不检测vce，原因是igbt***状态vce电压为关断电压;当fault_h为低电平时,光耦u1_out输出高电平，经过d5和v5后故障信号fault_p为低电平，对驱动信号进行***。下管vce-sat检测电路由r15,d12,r16构成vce-sat采样电路，采样信号vce_l，r13和r14构成分压电路(通过r13和r14设定保护值)，比较信号comp_l，通过vce_l与comp_l的比较实现vce-sat的检测，并输出故障信号fault_l，当fault_l为低电平时。质量模块欢迎选购

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