重庆低功耗18V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片代理

高性能、低成本离线式PWM控制功率开关KP3112是一款高性能低成本PWM控制功率开关，适用于离线式小功率降压型应用场合，外围电路简单、器件个数少。同时产品内置高耐压MOSFET可提高系统浪涌耐受能力。与传统的PWM控制器不同，KP3112内部无固定时钟驱动MOSFET，系统开关频率随负载变化可实现自动调节。同时芯片采用了多模式PWM控制技术，有效简化了外围电路设计，提升线性调整率和负载调整率并消除系统工作中的可闻噪音。此外，芯片内部峰值电流检测阈值可跟随实际负载情况自动调节，可以有效降低空载情况下的待机功耗。KP3112集成有完备的带自恢复功能的保护功能：VDD欠压保护、逐周期电流限制、输出过压保护、过热保护、过载保护等。主要特点•集成700V高压MOSFET和高压启动电路•多模式控制、无异音工作•支持降压和升降压拓扑•支持**压输入(>20V)•空载功耗低于100mW•支持比较高30kHz开关频率•良好的线性调整率和负载调整率•集成软启动电路•内部保护功能：•过载保护(OLP)•逐周期电流限制(OCP)•输出过压保护(OVP)•过温保护(OTP)•封装类型SOT23-5在某些情况下(如重载或者输出短路等)，系统的电 感电流峰值将上升过于剧烈。重庆低功耗18V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片代理

在轻载条件下，系统工作在断续模式下。故实际输入功率取决于电感电流峰值大小。为了降低系统损耗，随着负载的降低会自动降低峰值电流基准以满足**待机的要求。内集成有4ms(典型值)周期的软启动功能，当芯片***次启动时过流保护阈值逐渐增加，而且每次系统的重新启动都会伴随着一次软启动过程。当过流或短路情况发生时，输出电压和VDD将降低，如果在128ms(典型值)的时间内每次振荡器的周期里高压MOSFET都被开通，则芯片识别此情况为过流或短路故障已发生，并停止开关动作之后进入自动重启模式(如下描述)。北京低功耗100V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片型号芯片供电管脚，用于能量存储，串接一电容到地后将输入能 量传递至LDO 输出级。

220V转5V电源芯片高压BUCK电路，给MCU提供稳定的5V电压。高性能、低成本离线式PWM功率开关KP311A是一款非隔离型、高集成度且低成本的PWM功率开关，适用于降压型和升降压型电路。KP311A采用高压单晶圆工艺，在同一片晶圆上集成有500V高压MOSFET和采用开关式峰值电流模式控制的控制器。在全电压输入的范围内可以保证高精度的5V默认输出。在芯片内部，芯片内部**小Toff时间固定为32μs且带有抖频功能，在保证输出功率的条件下优化了EMI效果。同时，芯片设计有轻重载模式，可轻松获得低于50mW的待机功耗。

我们芯片采用高压集成工艺，内部集成有500V高压MOSFET，适用于小家电和辅助电源应用场合所需的离线式降压电路和升降压电路，也可用于线性电源的替代型电源。芯片采用开关式峰值电流模式控制，默认5V高精度输出时很大程度降低了系统成本。此外，芯片经过内部优化，可兼容**压输入(15Vdc以上)应用。IC芯片的静态工作电流典型值为150uA。如此低的工作电流降低了对于VDD电容大小的要求，同时也可以帮助系统降低成本。通常条件下建议使用0.1-1uF瓷片电容。集成式线电压和输出电压补偿优化调整率。

芯片内部集成有AC同步检测电路，该电路通过Drain端对地内置的分压电阻检测AC信号。当芯片检测到Drain端电压低于VAC_sync_OFF以后，内部功率MOSFET随即打开对VDD电容进行充电。由于芯片Drain端对地存在寄生电容，导致Drain端电压可能过高，芯片将一直无法进入充电窗口。针对该问题，芯片内部设计了主动式泄放电路：该泄放电路在VDD电压低于VDD_OVP_hys后打开内部Drain-VDD的高压电流源泄放通道，并在VDD电压达到VDD_OVP以后关闭该泄放通道。通过对芯片Drain端寄生电容的主动式泄放控制，确保了足够的输入能量可以在充电窗口期间对VDD进行充电。此外，当各种保护（UVP,OLPorOTP）发生时，主动式泄放电路也将打开，对VDD电容进行充电，同时对Drain端寄生电容进行放电，以此确保后续保护逻辑的顺利展开和自恢复重启的顺利进行。AC 同步检测及主动泄放电路。重庆低功耗18V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片代理

该芯片通过智能控制交流能 量输入以减小系统损耗，提高系统效率，同时有效 降低系统待机。重庆低功耗18V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片代理

WIFI供电**芯片，精度高，动态优，功耗低，**精简。KP35026是一款高性能低成本PWM控制功率开关，适用于3.3V供电的应用场合，外围电路简单、器件个数少。同时IC内置高耐压MOSFET可提高系统浪涌耐受能力。与传统的PWM控制器不同，KP35026内部无固定时钟驱动MOSFET，系统开关频率随负载变化可实现自动调节。芯片采用了多模式PWM控制技术和动态响应优化电路，有效提升了动态响应能力，优化了线性调整率和负载调整率，同时明显降低了系统工作中的可闻噪音。重庆低功耗18V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片代理

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