重庆低功耗40V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片原厂

集成了内部软启动功能，以减小芯片启动上电过程中的冲击电流和保证输出电压平稳上升。当VIN 高于 UVLO 阈值时，输出电压从EN上升沿延迟440μs (典型值) 后开始上升。当芯片启动时，内部的软启动电路产生一个从0V 开始上升的软启动电压(SS)。当SS 低于内部参考电压(VREF) 时，SS 覆盖 VREF，因此电压误差积分器和控制比较器使用SS 作为参考电压，输出电压跟随SS 平稳上升。当SS 升到 VREF 电压时，VREF 重新获得控制，参考电压稳定为VREF，输出电压随之稳定在设定值VOUT，软启动结束。AC交流输入，输出3.3V/400mA.重庆低功耗40V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片原厂

芯片内部峰值电流检测阈值可跟随实际负载情况自动调节，可以有效降低空载情况下的待机功耗。KP35064集成有完备的带自恢复功能的保护功能：VDD欠压保护、逐周期电流限制、输出过压保护、过热保护、过载保护和VDD过压保护等。主要特点•集成500V高压MOSFET和高压启动电路•集成续流二极管•多模式控制、无异音工作•支持降压和升降压拓扑•支持**压输入(>20V)•空载功耗低于100mW•支持比较高30kHz开关频率•良好的线性调整率和负载调整率•集成软启动电路•内部保护功能：•过载保护(OLP)•逐周期电流限制(OCP)•输出过压保护(OVP)•过温保护(OTP)•封装类型SOP-8重庆低功耗40V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片原厂内部无固 定时钟驱动 MOSFET，系统开关频率随负载变化 可实现自动调节。

芯片BST 引脚和 SW 引脚间需要加入一颗陶瓷电容以稳定支撑芯片内部高侧N-MOSFET 的驱动电源。此处推荐使用不低于10V 耐压的 X5R 或者 X7R 的 0.1μF 陶瓷电容(0603 封装)。采用 COT 控制架构可以实现超快的负载瞬态响应性能。在某些对负载瞬态响应要求更高的应用条件下，还可以通过在输出反馈分压电阻上添加前馈电阻RFF 和电容CFF 来进一步提升瞬态响应性能。考虑到噪声耦合影响，推荐使用RFF = 2 kΩ~10kΩ，另外不要使用高于100pF 的 CFF。注意，实际RFF 和 CFF 为可选器件，推荐以实测负载瞬态响应和输出调整率的结果优化选取。

主要特点•固定12V输出•集成650V高压MOSFET和高压启动电路•多模式控制、无异音工作•支持降压和升降压拓扑•良好的线性调整率和负载调整率•集成软启动电路•内部保护功能：•过载保护(OLP)•逐周期电流限制(OCP)•输出过压保护(OVP)•VDD过压、欠压和电压箝位保护•封装类型SOP-8/DIP-7典型应用•小家电电源•工业控制同时芯片采用了多模式 PWM 控制技术，有效简化了外围电路设计，提升线性调整率和负载调整率并消除系统工作中的可闻噪音。此外，芯片内部峰值电流检测阈值可跟随实际负载情况自动调节，可以有效降低空载情况下的待机功耗。内部集成门极驱动电路、频率限制电路、 差分放大电路。

固定5V输出、高性能低成本离线式PWM控制功率KP320X是一款系列化的高性能低成本PWM控制功率开关，适用于离线式小功率降压型应用场合，外围电路简单、器件个数少。同时产品内置高耐压MOSFET可提高系统浪涌耐受能力。与传统的PWM控制器不同，KP320X内部无固定时钟驱动MOSFET，系统开关频率随负载变化可实现自动调节。同时芯片采用了多模式PWM控制技术，有效简化了外围电路设计，提升线性调整率和负载调整率并消除系统工作中的可闻噪音。此外，芯片内部峰值电流检测阈值可跟随实际负载情况自动调节，可以有效降低空载情况下的待机功耗。可调输出电压，比较高输出电流限制的特 点，适用于非隔离型AC-DC。重庆低功耗40V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片原厂

AC交流输入，输出12V/500mA电流的低成本BUCK降压芯片。重庆低功耗40V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片原厂

在轻载工作条件下自动进入脉冲频率调制模式(PFM)，以保持轻载高效率。当负载电流逐渐减小时，电感电流纹波的波谷逐渐下降，直至电感电流波谷为0A，此时即为电感电流连续导通模式和不连续导通模式的临界——电感电流临界导通模式。继续降低负载电流，当检测到电感电流过零时，将会关闭低侧MOSFET (LSF)，从而电感电流保持为零。在这种情况下，输出电容只被负载电流放电，输出电压下降速度变慢，从而开关频率将会降低。由于开关频率的降低，轻载时的开关损耗也将降低，从而提高了系统的轻载效率。重庆低功耗40V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片原厂