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中国香港低功耗60V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片库存

来源: 发布时间:2022年12月12日

当过流或者过热故障发生时,芯片进入到自动重启和VDD振荡模式中。在此过程中高压MOSFET不允许导通,同时VDD电容上电压持续在4.87V和4.38V之间振荡。通过芯片内部数字计数器对振荡周期的计数,当振荡周期数超过511次时芯片退出保护模式并重新开始工作。如果故障解除,系统开始正常工作;否则系统再次进入振荡模式。为确保系统工作稳定,推荐KP311A系统工作于浅度CCM状态,即电感电流纹波ΔI接近于OCP峰值电流(210mA)。具体感量计算公式如下:L=(Vo+Vf)*Toff_min/ΔI其中:Vo:输出电压;Vf:续流二极管压降;Toff_min:IC设定内部**小Toff时间,约32us;ΔI:电感纹波电流,CCM条件下为2*(Iocp-Io_max)。举例来讲,参考5V-100mA输出规格,设定Io_max为额定输出电流的1.2倍,即120mA;内部功率MOSFET 漏极,当输入电压下降至充电窗口区间 时向后级提供能量。中国香港低功耗60V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片库存

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降压非隔离电源芯片220V转5V,KP320X集成有完备的带自恢复功能的保护功能:VDD欠压保护(UVLO)、逐周期电流限制(OCP)、输出过压保护(OVP)、FB异常保护、过载保护(OLP)和过热保护等(OTP)。主要特点•固定5V输出•集成650V高压MOSFET和高压启动电路•多模式控制、无异音工作•支持降压和升降压拓扑•待机功耗低于100mW•良好的线性调整率和负载调整率•集成软启动电路•内部保护功能:•过载保护(OLP)•逐周期电流限制(OCP)•输出过压保护(OVP)•FB异常保护•异常过流保护(AOCP)•过热保护(OTP)•封装类型SOP-8重庆AC高压降5V供电MCU非隔离BUCK电源芯片芯片供电管脚,同时作为输出电压反馈端 (FB 悬空时)。典型应用 中 VDD 电容推荐采用 1uF 陶瓷电容。

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在轻载条件下工作在强制脉宽调制模式(FPWM),以保持开关频率的恒定和维持低的输出电压纹波。当HSF 处于关断状态时,LSF 将在 10ns 后的死区时间后被强制打开,直到在下一个周期HSF 打开前关闭。这种工作模式不检测电感电流过零点,允许电感电流通过LSF 的漏-源极从输出电容流到开关节点,称为反向电流。在这种情况下,开关频率在整个负载电流范围内几乎保持恒定,实现低轻载输出电压波纹。低功耗DCDC降压转换器,低纹波,高效率,电路简洁。

18V低功耗DCDC降压芯片,主要特点•宽输入电压范围:4.5Vto17V•输出电压范围:0.768Vto7V•支持2A持续输出电流•电感电流连续模式下600kHz的开关频率•内部集成低导通电阻的MOSFET开关管•低静态工作电流:190μA(无开关动作,典型值)•低关断电流:2.5μA(典型值)•采用恒定导通时间控制实现超快速的动态响应•两种轻载工作模式:•KP522201A:脉冲频率调制模式(PFM)•KP522208A:强制脉宽调制模式(FPWM)•高参考电压精度:0.768V±1.5%@25℃•集成完善的保护功能:•精确的使能控制和可调欠压锁定功能•内部1ms软启动时间,避免过冲电压和电流•逐周期谷底限流保护(OCL)•非闭锁的输入欠压保护(UVLO)、输出欠压保护(UVP)、输出过压保护(OVP)和过温保护(OTP)•紧凑的解决方案尺寸:•支持使用MLCC陶瓷电容,且支持低输出电容数量•无需外部补偿•小封装类型:SOT23-6COT 控制利用输出电压谷底纹波基于比较器和导通时间定时器实现输出电压调控的目的。

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同步降压变换器的输出级主要由电感和电容组成,通过内部集成的功率MOSFET管的开关切换,将能量存储并传递给负载,并形成二阶低通滤波器平滑开关节点电压,得到稳定的输出直流电压。本节基于设计实例主要描述详细的设计过程。芯片可以通过使用外部分压电阻连接到FB引脚来设置不同的输出电压。输出电压与外部分压电阻的公式如下:+×=FB(B)FB(T)REFOUTRR1VV其中VREF=0.768V推荐从分压下电阻RFB(B)开始设计。过大的RFB(B)会导致FB引脚更容易收到外界噪声干扰,而过小的RFB(B)会增大分压电阻的功率损耗。综合考虑二者,推荐选择RFB(B)=10kΩ~50kΩ。则分压上电阻RFB(T)可由如下公式计算得到:−×=1REFOUTFB(B)FB(T)VVRR其中VREF=0.768V在某些情况下(如重载或者输出短路等),系统的电 感电流峰值将上升过于剧烈。安徽低功耗18V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片样品

非隔离降压芯片低成本、线路简洁、性能可靠。中国香港低功耗60V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片库存

另外为了优化芯片的 EMI 性能和保证芯片的可靠稳定运行,在使用陶瓷电容作为输入电容 CIN 外,推荐另外再添加一个 0.1μF 的陶瓷电容(0603/0402 封装) 尽可能近地放置在芯片的VIN 和 GND 引脚旁。需要注意的是,虽然陶瓷电容具有优良的高频性能和稳定的使用寿命,但是在某些输入电压热插拔的使用场景下,实际VIN 引脚上的电压可能会由于陶瓷电容的低ESR 特性出现振荡,**恶劣时甚至会振荡到2 倍的 VIN 电压,从而过压击穿芯片。此时,推荐在输入电压端额外并联加入一颗具有较大ESR 的电解电容或者在输入电压端添加一颗TVS 二极管以限制输入过压的情况。中国香港低功耗60V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片库存

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