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上海氮化铪靶

来源: 发布时间:2022年01月22日

6.起辉溅射真空度与前次的差别?---------更换不同的靶材,起辉压强不尽相同。换靶材后需要重新调功率匹配器的,只有功率匹配调好了才能正常起辉。五.磁控溅射一定要求靶材表面要抛光吗?磁控溅射过程中,等离子体的离子撞击靶材,溅射出靶材的原子、原子团、离子、电子、光子等,原子、离子、原子团沉积到基材上形成薄膜。溅射发生在靶材表面,靶材表面物理状态不均匀也没有关系,溅射的时候会先溅射凸起,溅射时间长了,靶材自己就平了。所以物理不均匀的状态不需要抛光。靶材的密度不仅影响溅射速率,还影响着薄膜的电学和光学性能。上海氮化铪靶

密度也是靶材的关键性能指标之一.在靶材的技术工艺中为了减少靶材固体中的气孔,提高溅射薄膜的性能,一般是要求靶材必须具有较高的密度。因为靶材主要特性密度对溅射速率有着很大的影响,并且影响着薄膜的电学和光学性能。靶材密度越高,薄膜的性能越好。是晶粒尺寸及晶粒尺寸分布。通常靶材为多晶结构,晶粒大小可由微米到毫米量级。对于同一种靶材,晶粒细小的靶的溅射速率比晶粒粗大的靶的溅射速率快;而晶粒尺寸相差较小(分布均匀)的靶溅射沉积的薄膜的厚度分布更均匀。


扬州钛铝硅靶调试靶中毒的解决办法:(1)采用中频电源或射频电源。

利用原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM),对所制备的非晶硅薄膜进行了定性和定量的表征,研究了溅射功率、衬底温度、溅射时间、氩气气压等因素对非晶硅薄膜表面形貌和厚度的影响。实验结果表明:非晶硅薄膜的表面粗糙度会随溅射功率、溅射时间和溅射气压的增加而增大,而随着衬底加热温度的增加而减小。   对制备的非晶硅薄膜在不同温度和时间进行了退火处理。再利用X- 射线衍射仪(XRD)和拉曼光谱仪,对不同退火温度的样品进行晶化程度的表征。实验结果表明:不同条件制备的非晶硅薄膜在750℃退火1 h 后就已发生不同程度的晶化,并且直流磁控溅射制备的非晶硅薄膜比射频磁控溅射制备的非晶硅薄膜更容易发生晶化;退火温度越高,非晶硅薄膜晶化速率越快。   此外,通过拉曼激光诱导晶化,结果表明:拉曼激光诱导非晶硅晶化为局域晶化,具有晶化速度快的特点;晶化过程中,需要控制激光强度,过强的激光会把非晶硅薄膜烧蚀掉。

但下列情况绑定有弊端:1.熔点低的靶材,像铟、硒等,金属化的时候可能会变软变形;2.贵金属靶材,一是实际重量易出现分歧,二是金属化以及解绑的时候都会有浪费料,建议垫一片铜片。三.背靶的选择对材质的要求:一般选用无氧铜和钼靶,厚度在3mm左右;导电性好:常用无氧铜,无氧铜的导热性比紫铜好;强度足够:太薄,易变形,不易真空密封;结构要求:空心或者实心结构;厚度适中:3mm左右,太厚,消耗部分磁强;太薄,容易变形。



靶中毒的解决办法:采用闭环控制反应气体的通入量。

ITO薄膜制作过程中的影响因素    ITO薄膜在溅镀过程中会产生不同的特性,有时候表面光洁度比较低,出现“麻点”的现象,有时候会出现高蚀间隔带,在蚀刻时还会出现直线放射型缺划或电阻偏高带,有时候会出现微晶沟缝。         常用的ITO靶材是通过烧结法生产的,就是由氧化铟(In2O3)和氧化锡(SnO2)粉末按照一定的比例进行混合,通常质量比是90%In2O3和10% SnO2,形成的黑灰色陶瓷半导体(氧化铟锡,ITO)。一般通过外观就可以了解ITO靶材的质量,深灰色是好的,相反越黑质量越差,我国生产的ITO靶材质量还可以的是黑灰色的。         研究显示,在真空镀膜机ITO薄膜溅镀过程中,使用磁控溅射的方式,基底温度控制在200℃左右可以保证薄膜85%以上高可见光透过率下,电阻率达到低,而薄膜的结晶度也随着基底温度的提高而提高,晶粒尺寸也逐渐增大,超过200℃后透射率趋于减弱;使用电子束蒸镀的方式,随着退火温度升高,晶粒尺寸变大,表面形貌均一稳定,超过600℃后颗粒变得大小不一,形状各异,小颗粒团聚现象严重,薄膜表面形貌破坏。通常靶材为多晶结构,晶粒大小可由微米到毫米量级。上海氮化铪靶

而是堆积在靶面上,容易产生冷场致弧光放电---打弧,使阴极溅射无法进行下去。上海氮化铪靶

溅射过程不影响靶材合金、混合材质的比例和性质,所以如果是表面容易变质的靶材,如果不抛光去除表面变质部分,沉积到基材上的膜层性质就是表面变质的杂质。有一部分靶材在安装之前需要抛光,比如铝靶材等活性金属靶材,长期暴露在大气中,表面容易形成一层氧化皮,在直流脉冲、中频溅射过程中,离子撞击的能量不足以破坏氧化皮,所以一般在溅射的时候进行物理抛光。一般靶材抛光后,溅射速率、电压等工艺参数比较稳定,容易控制。所以结论就是,活性金属靶材要求表面抛光,不活泼金属靶材不一定非要求表面抛光。其他非金属的靶材不需要抛光。上海氮化铪靶

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