钎焊：一般使用软钎料的情况下，要求溅射功率小于20W/cm2，钎料常用In、Sn、In-Sn；导电胶：采用的导电胶要耐高温，厚度在0.02-0.05um。二.绑定的适用范围：建议绑定的靶材：ITO、SiO2、陶瓷脆性靶材及烧结靶材；锡、铟等软金属靶；靶材太薄、靶材太贵的情况等。但下列情况绑定有弊端：1.熔点低的靶材，像铟、硒等，金属化的时候可能会变软变形；2.贵金属靶材，一是实际重量易出现分歧，二是金属化以及解绑的时候都会有浪费料，建议垫一片铜片。三.背靶的选择对材质的要求：一般选用无氧铜和钼靶，厚度在3mm左右；导电性好：常用无氧铜，无氧铜的导热性比紫铜好；强度足够：太薄，易变形，不易真空密封；结构要求：空心或者实心结构；厚度适中：3mm左右，太厚，消耗部分磁强；太薄，容易变形。在受到离子轰击之后，释放的二次电子数量增加，提高空间的导通能力，降低等离子体阻抗，导致溅射电压降低。扬州YF3靶材型号
磁控溅射离子镀 (1)在基体和工件上是否施加(直流或脉冲)负偏压，利用负偏压对离子的吸引和加速作用，是离子镀与其它镀膜类型的一个主要区别。蒸发镀时基体和工件上加有负偏压就是蒸发离子镀 ;多弧镀时基体和工件上加有负偏压就是多弧离子镀;磁控溅射时基体和工件上加有负偏压就是磁控溅射离子镀，这是磁控溅射离子镀技术的一个重要特点。 (2)磁控溅射离子镀是把磁控溅射和离子镀结合起来的技术。在同一个真空腔体内既可实现氩离子对磁控靶材的稳定溅射，又实现了高能靶材离子在基片负偏压作用下到达基片进行轰击、溅射、注入及沉积作用过程。整个镀膜过程都存在离子对基片和工件表面的轰击，可有效基片和工件表面的气体和污物;使成膜过程中，膜层表面始终保持清洁状态。 (3) 磁控溅射离子镀可以在膜-基界面上形成明显的混合过渡层(伪扩散层)，提高膜层附着强度;可以使膜层与工件形成金属间化合物和固熔体，实现材料表面合金化，甚至出现新的晶相结构。 (4)磁控溅射离子镀形成膜层的膜基结合力好、膜层的绕镀性好、膜层组织可控参数多、膜层粒子总体能量高，容易进行反应沉积，可以在较低温度下获得化合物膜层。无锡VC靶材定制靶材的密度不仅影响溅射速率，还影响着薄膜的电学和光学性能。
磁控靶材面积与承载功率范围 1、靶材面积与承载功率范围 (1) 圆形平面磁控靶功率密度范围一般为1~25瓦/cm2。 (2)矩形平面磁控靶功率密度范围一般为1~36瓦/cm2。 (3)柱状磁控靶、锥形平面磁控靶功率密度范围一般为40~50瓦/cm2。 2、磁控靶实际承载功率 磁控靶的实际的承载功率除了与溅射工艺、薄膜的质量要求等因数有关外，主要与靶的冷却状况和散热条件密切相关。磁控靶按其冷却散热方式的不同，分为“靶材直接水冷却”和“靶材间接水冷却”两种。 考虑到溅射靶长期使用老化后，其散热条件变差;兼顾各种不同靶材材质的散热系数的不同，磁控靶的使用时的承载功率，直接水冷却靶实际的承载大功率可按略小于功率密度范围的上限选取;间接水冷却靶的实际承载大功率可按功率密度范围上限值的二分之一左右选取。 磁控靶材(主要是Cu，Ag，黄铜(Brass)和Al青铜(Al bronze) “自溅射”时，一般是选用经过专门设计“靶材直接水冷却”的磁控溅射靶。其使用时的承载功率，均需大于靶功率密度范围的上限值(即>100W/cm2以上)。
在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征，在不矛盾的情况下，可以通过任何合适的方式进行组合，为了避免不必要的重复，本发明对各种可能的组合方式不再另行说明。此外，本发明的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合，只要其不违背本发明的思想，其同样应当视为本发明所公开的内容。本发明涉及靶材领域，具体涉及一种长寿命靶材组件。目前，现有的半导体溅射用ilc1013系列靶材的溅射寿命已经到了一个极限，为提高靶材的使用寿命，节省多次更换靶材的重复性。现有的技术都是通过磁场强度，把靶材表面设计成曲面来延长寿命，包括靶材本体及基体，所述基体的至少一面设有所述靶材本体，所述靶材本体是由高纯度靶材合金粉末通过等离子弧喷涂机喷涂熔焊在所述基体上。所述基体与所述靶材本体的结合面为呈内凹的圆弧面。所述基体为矩形体或圆形。所述靶材的制造方法步骤如下：(1)准备合金粉体；(2)准备基体；(3)等离子转移弧喷涂成型；(4)、清理被喷涂层表面，按照步骤(3)的要求再次喷涂处理，直至获得要求厚度的靶材。本发明有益效果在于：一是生产的靶材无气孔残留；二是生产设备简单、投资小；三是靶材可以修复再利用。正离子到达阴极靶面时由于绝缘层的阻挡，堆积在靶面上，容易产生冷场致弧光放电，使阴极溅射无法进行下去。
直流磁控溅射制备锌-锑热电薄膜的技术探讨 热电材料是一种能够实现热能和电能直接相互转换的绿色环保型功能材料。近年来研究发现，热电薄膜化有助于热电材料减低热导率，从而能够有效的提高材料的热电转换效率，因此具有十分重要的科学研究价值。Zn-Sb合金是采用的P 型热电半导体材料之一，但由于其较低的热电优值，所以没有得到普遍的应用。 但近几年研究发现，在263 K~767K 温度区间稳定存在的β-Zn4Sb3 具有非常优异的热电性能，材料少含稀土材料以及可适用于中温，被国内外认为是具有前景的中温热电材料之一。因此，本文选取纯度为99.99%的Zn 和Sb 金属靶作为靶材，采用直流磁控共溅射技术，制备Zn-Sb 合金热电薄膜，研究不同热处理条件下合成的Zn-Sb 化合物热电薄膜的结构与热电特性变化规律。 结果表明，选取适当的溅射Zn和Sb的功率条件，溅射完成合金薄膜后在Ar 气氛下进行623 K 退火热处理，可形成具有单一β-Zn4Sb3相结构的Zn-Sb 热电薄膜，且薄膜颗粒大，较致密，所制备的热电薄膜具有优良的热电性能。许多用户在采购靶材时没有从专业的角度去考虑，下面为大家指出购买靶材时需要注意的事项。扬州YF3靶材型号
一般情况下磁控溅射的溅射电压在400V-600V之间，当发生靶中毒时，溅射电压会降低。扬州YF3靶材型号
靶材的比较大厚度为30mm；所述靶材组件还包括用于固定靶材的背板；所述靶材呈凹形结构；所述靶材包括用于溅射的溅射面；所述溅射面包括***平面、第二平面和斜面；所述斜面与水平面的夹角为8°；所述斜面位于所述***平面和第二平面之间；所述***平面为圆形；所述第二平面为环形；所述靶材的材质包括钛；所述背板的材质包括铜。所得靶材组件溅射强度好，使得溅射过程中薄膜厚度均匀，使用寿命增加。本实施例提供一种长寿命靶材组件，所述靶材表面的比较高点和比较低点的垂直距离为5.8mm；所述靶材表面的硬度为22hv；其中，所述靶材的比较大厚度为28mm；所述靶材组件还包括用于固定靶材的背板；所述靶材呈凹形结构；所述靶材包括用于溅射的溅射面；所述溅射面包括***平面、第二平面和斜面；所述斜面与水平面的夹角为3°；所述斜面位于所述***平面和第二平面之间；所述***平面为圆形；所述第二平面为环形；所述靶材的材质包括钽；所述背板的材质包括铜。扬州YF3靶材型号
江阴典誉新材料科技有限公司地处江苏省江阴市，是一家专业生产溅射靶材和蒸发材料的公司，溅射靶材充分借鉴国外的先进技术，并通过与国内外知名研发机构合作，整合各行业资源优势，生产出多系列高品质溅射靶材产品。 公司目前主要生产金属，合金，陶瓷三大类靶材产品。经过几年的发展和技术积累，已经拥有：真空热压，冷压烧结，真空熔炼，热等静压，等离子喷涂等技术。另外也可根据客户要求研发新型靶材并提供靶材金属化、绑定和背板服务。 江阴典誉新材料科技有限公司已为以下行业提供高品质的靶材：平面显示、装饰与工具、太阳能光伏和光热、电子和半导体、建筑与汽车玻璃大面积镀膜等工业领域。同时也为国内外各大院校和研究所提供了很多常规和新型的试验用靶材。 江阴典誉目前拥有真空热压炉两台，冷压烧结炉一台，真空熔炼设备两台，等静压设备一台，等离子喷涂两套，绑定平台两套，各类机加工设备七台，检验设备若干，确保出厂的每件产品都能达到甚至超过客户的预期。 江阴典誉秉承：“一切以客户的需求为导向，客户的所有需求一次做好。”的发展理念。