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山东磷酸铁锂靶材

来源: 发布时间:2022年04月08日

靶中毒的解决办法(1)采用中频电源或射频电源。(2)采用闭环控制反应气体的通入量。(3)采用孪生靶(4)控制镀膜模式的变换:在镀膜前,采集靶中毒的迟滞效应曲线,使进气流量控制在产生靶中毒的前沿,确保工艺过程始终处于沉积速率陡降前的模式。磁控溅射不起辉的常见原因有哪些,怎么应对?磁控溅射金属靶时,无法起辉的原因有很多,常见主要原因有:1.靶材安装准确否?2.靶材表面是否干净------------金属靶表面氧化或有不清洁物质,打磨清理干净后即可。3.起辉电源是否正常------------检查靶电源。4.靶与地线之间短路----------关掉机器,把设备的溅射靶卸下来,靶附近的零件仔细清洗一下;----------压靶盖旋的过紧,没有和靶材之间留下适当的距离,调整距离即可。5.永磁靶表面场强是否下降太多?---------如果下降太多,需要更换磁钢。6.起辉溅射真空度与前次的差别?---------更换不同的靶材,起辉压强不尽相同。换靶材后需要重新调功率匹配器的,只有功率匹配调好了才能正常起辉。关掉机器,把设备的溅射靶卸下来,靶附近的零件仔细清洗一下。山东磷酸铁锂靶材

靶材抛光装置100还包括:防护层400,所述防护层400位于所述固定板200与所述抛光片300之间。防护层400为弹性材料,能够在所述固定板200及靶材间提供缓冲,避免所述固定板200触撞靶材导致靶材受损。防护层400的厚度为30mm~35mm。若所述防护层400的厚度过小,所述防护层400起到的缓冲效果差,难以有效的保护靶材。若所述防护层400的厚度过大,使得所述防护层400的体积过大,进而造成所述靶材抛光装置100的体积过大,对操作者使用所述靶材抛光装置100带来不必要的困难。防护层400的材料。在其他实施例中,所述防护层的材料还可以为橡胶或棉花。防护层400与所述固定板200间通过粘结剂相粘接。所述防护层400与所述抛光片300间也通过粘结剂相粘接。在其他实施例中,所述抛光片朝向所述防护层的表面上具有勾刺结构,所述防护层与所述抛光片间通过所述勾刺结构相固定。常州CuCrNi靶材费用厚度适中:3mm左右,太厚,消耗部分磁强;太薄,容易变形。

所述靶材600具有十二条侧棱601,各条侧棱601均经过圆角处理。在圆角处理前,所述靶材600的侧棱601位置较为锐利。如果使用侧棱未经圆角处理的靶材600进行溅射镀膜,在溅射镀膜工艺过程中,所述靶材600的侧棱601位置容易发生前列放电的现象,导致镀膜的均匀性差,影响镀膜质量。圆角处理使得靶材侧棱601钝化,有助于防止前列放电现象的发生。利用所述靶材抛光装置100对所述靶材600进行抛光时,将所述靶材抛光装置100放置于所述靶材600上,使所述抛光片第二部分320表面与所述靶材600的侧棱601表面相贴合,并使所述抛光片部分310表面与所述靶材溅射面610相贴合,且所述抛光片第三部分330表面与所述靶材600的侧壁表面630相贴合。操作人员利用所述把手推动所述靶材抛光装置100,所述靶材抛光装置100相对所述靶材600移动,移动方向平行与被抛光的所述侧棱601延伸方向。所述抛光片300表面的磨砂颗粒与靶材600表面相摩擦,以获得光亮、平整的靶材600表面。


阴-阳极间距对靶溅射电压的影响   真空气体放电阴-阳极间距能够对靶溅射电压造成一定的影响。在阴-阳极间距偏大时,等效气体放电的内阻主要由等离子体等效内阻决定,反之,在阴-阳极间距偏小时,将会导致等离子体放电的内阻呈现较小数值。由于在磁控靶点火起辉后进入正常溅射时,如果阴-阳极间距过小,由于靶电源输出的溅射电压具有一定的软负载特性,就有可能出现在溅射电流已达工艺设定值时,靶溅射电压始终很低又调不起来的状况。“工艺型”靶电源可以改善和弥补这种状况;而“经济型”靶电源对这种状况无能为力。   1. 孪生靶(或双磁控靶)阴-阳极间距   对称双极脉冲中频靶电源和正弦波中频靶电源带孪生靶或双磁控靶运行时,建议其两交变阴-阳极的小极间距不应小于2英2口寸;   2. 单磁控靶阴-阳极间距   靶电源带单磁控靶运行时,一般都不存在这方面问题;但是,在小真空室带长矩形平面磁控单靶时容易忽略这个问题,磁控靶面与真空室金属壳体内壁的小极间距一般亦建议不小于2英2口寸。反应溅射生成物在靶表面、基片表面、和其他结构表面进行。

靶材磁控溅射的原理是什么?磁控溅射原理:在被溅射的靶极(阴极)与阳极之间加一个正交磁场和电场,溅射靶材在高真空室中充入所需要的惰性气体(通常为Ar气),磁铁在靶材料表面形成250~350高斯的磁场,同高压电场组成正交电磁场。在电场的作用下,Ar气电离成正离子和电子,靶上加有一定的负高压,从靶极发出的电子受磁场的作用与工作气体的电离几率增大,在阴极附近形成高密度的等离子体,Ar离子在洛仑兹力的作用下加速飞向靶面,以很高的速度轰击靶面,使靶上被溅射出来的原子遵循动量转换原理以较高的动能脱离靶面飞向基片淀积成膜。磁控溅射一般分为二种:直流溅射和射频溅射,其中直流溅射设备原理简单,在溅射金属时,其速率也快。而射频溅射的使用范围更大,除可溅射导电材料外,也可溅射非导电的材料,同时还司进行反应溅射制备氧化物、氮化物和碳化物等化合物材料。溅射靶材射频的频率提高后就成为微波等离子体溅射,目前常用的有电子回旋共振(ECR)型微波等离子体溅射。为了减少靶材固体中的气孔,提高溅射薄膜的性能,通常要求靶材具有较高的密度。常州CuCrNi靶材费用

一般情况下磁控溅射的溅射电压在400V-600V之间,当发生靶中毒时,溅射电压会降低。山东磷酸铁锂靶材

ITO薄膜制作过程中的影响因素    ITO薄膜在溅镀过程中会产生不同的特性,有时候表面光洁度比较低,出现“麻点”的现象,有时候会出现高蚀间隔带,在蚀刻时还会出现直线放射型缺划或电阻偏高带,有时候会出现微晶沟缝。         常用的ITO靶材是通过烧结法生产的,就是由氧化铟(In2O3)和氧化锡(SnO2)粉末按照一定的比例进行混合,通常质量比是90%In2O3和10% SnO2,形成的黑灰色陶瓷半导体(氧化铟锡,ITO)。一般通过外观就可以了解ITO靶材的质量,深灰色是好的,相反越黑质量越差,我国生产的ITO靶材质量还可以的是黑灰色的。         研究显示,在真空镀膜机ITO薄膜溅镀过程中,使用磁控溅射的方式,基底温度控制在200℃左右可以保证薄膜85%以上高可见光透过率下,电阻率达到低,而薄膜的结晶度也随着基底温度的提高而提高,晶粒尺寸也逐渐增大,超过200℃后透射率趋于减弱;使用电子束蒸镀的方式,随着退火温度升高,晶粒尺寸变大,表面形貌均一稳定,超过600℃后颗粒变得大小不一,形状各异,小颗粒团聚现象严重,薄膜表面形貌破坏。山东磷酸铁锂靶材

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