磁控靶材面积与承载功率范围 1、靶材面积与承载功率范围 (1) 圆形平面磁控靶功率密度范围一般为1~25瓦/cm2。 (2)矩形平面磁控靶功率密度范围一般为1~36瓦/cm2。 (3)柱状磁控靶、锥形平面磁控靶功率密度范围一般为40~50瓦/cm2。 2、磁控靶实际承载功率 磁控靶的实际的承载功率除了与溅射工艺、薄膜的质量要求等因数有关外，主要与靶的冷却状况和散热条件密切相关。磁控靶按其冷却散热方式的不同，分为“靶材直接水冷却”和“靶材间接水冷却”两种。 考虑到溅射靶长期使用老化后，其散热条件变差;兼顾各种不同靶材材质的散热系数的不同，磁控靶的使用时的承载功率，直接水冷却靶实际的承载大功率可按略小于功率密度范围的上限选取;间接水冷却靶的实际承载大功率可按功率密度范围上限值的二分之一左右选取。 磁控靶材(主要是Cu，Ag，黄铜(Brass)和Al青铜(Al bronze) “自溅射”时，一般是选用经过专门设计“靶材直接水冷却”的磁控溅射靶。其使用时的承载功率，均需大于靶功率密度范围的上限值(即>100W/cm2以上)。晶粒细小的靶的溅射速率比晶粒粗大的靶的溅射速率快。江苏Co靶材
中频双靶反应磁控溅射与直流反应磁控溅射相比具有以下几个显巨优点： (1)消除了靶面打弧放电现象，中频反应磁控溅射镀制的绝缘薄膜与直流反应磁控溅射镀制的同种膜相比，膜面缺 陷要少几个数量级; (2)可以得到比直流反应磁控溅射高出数倍的溅射沉积速率; (3)中频双靶反应磁控溅射的整个溅射沉积过程，可以始终稳定在所设定的工作点上，为大规模工业化稳定生产提供了条件。 选用非对称双极脉冲靶电源与选用“双靶-中频靶电源”不同，使用单个磁控靶进行反应磁控溅射，调节相应的镀膜工艺参数，可以消除磁控靶面打弧放电现象和实现长时间稳定的薄膜沉积，可以达到上述“中频-双靶反应磁控溅射”的同样效果。
江苏Co靶材导电胶：采用的导电胶要耐高温，厚度在0.02-0.05um。
锌锡合金，锌铝合金，锡镉合金，铜铟合金，铜铟镓合金，铜镓合金，以及锡，钼，钛等旋转靶材高纯铝靶材Al高纯铜靶材Cu高纯铁靶材Fe高纯钛靶材Ti高纯镍靶材Ni高纯镁靶材Mg高纯铬靶材Cr高纯锌靶材Zn高纯银靶材Ag高纯钴靶材Co高纯铌靶材Nb高纯锡靶材Sn高纯铟靶材In高纯锆靶材Zr高纯钽靶材Ta高纯锗靶材Ge高纯硅靶材Si高纯钨靶材W高纯铪靶材Hf高纯钇靶材Y高纯钆靶材Gd高纯钐靶材Sm高纯镝靶材Dy高纯铈靶材Ce高纯镧靶材La高纯金靶材Au高纯不锈钢靶材高纯石墨靶材C高纯硒靶材Se高纯钼靶材Mo高纯合金溅射靶材二元合金靶镍铬靶Ni-Cr镍铁靶Ni-Fe镍钴靶Ni-Co镍锆靶Ni-Zr镍铝靶Ni-Al镍铜靶Ni-Cu镍钒靶Ni-V铜铟靶Cu-In铜镓靶Cu-Ga铜硒靶Cu-Se钛铝靶Ti-Al铝硅靶Al-Si铝铜靶Al-Cu铝钛靶Al-Ti铝镁靶Al-Mg银铜靶Ag-Cu铁锰靶Fe-Mn铟锡靶In-Sn钴铁靶Co-Fe钨钛靶W-Ti锌铝靶Zn-Al铝钪靶Al-Sc铜锡靶Cu-Sn锆铝靶Zr-Al锆铁靶Zr-Fe锆硅靶Zr-Si钒铝靶V-Al硼铁靶B-Fe铝硅靶Al-Si硼铁靶B-Fe多元合金靶钴铁硼靶Co-Fe-B铜铟镓靶Cu-In-Ga铜铟镓硒靶Cu-In-Ga-Se等。旋转靶材用途编辑太阳能电池，建筑玻璃，汽车玻璃，半导体，平板电视等。
靶中毒的解决办法（1）采用中频电源或射频电源。（2）采用闭环控制反应气体的通入量。（3）采用孪生靶（4）控制镀膜模式的变换：在镀膜前，采集靶中毒的迟滞效应曲线，使进气流量控制在产生靶中毒的前沿，确保工艺过程始终处于沉积速率陡降前的模式。磁控溅射不起辉的常见原因有哪些，怎么应对？磁控溅射金属靶时，无法起辉的原因有很多，常见主要原因有：1.靶材安装准确否?2.靶材表面是否干净------------金属靶表面氧化或有不清洁物质，打磨清理干净后即可。3.起辉电源是否正常------------检查靶电源。4.靶与地线之间短路----------关掉机器，把设备的溅射靶卸下来，靶附近的零件仔细清洗一下；----------压靶盖旋的过紧，没有和靶材之间留下适当的距离，调整距离即可。5.永磁靶表面场强是否下降太多？---------如果下降太多，需要更换磁钢。6.起辉溅射真空度与前次的差别？---------更换不同的靶材，起辉压强不尽相同。换靶材后需要重新调功率匹配器的，只有功率匹配调好了才能正常起辉。采用中频电源或射频电源，可以溅射不导电的陶瓷靶材。
电解锰片状99.7%1-10mm真空熔炼Co-F3501电解钴片状99.95%1-10mm真空熔炼Co-I3504电积钴块状99.95%40*40*5mm真空熔炼Co-G3533钴颗粒99.95%φ3*3mm真空熔炼W-G3536m真空熔炼Ta-G3533钽颗粒99.95%φ3*3mm真空熔炼Nb-G3533铌颗粒99.95%φ3*3mm真空熔炼Mo-G3533m真空熔炼Si-I5011多晶硅块状99.999%不规则块状真空熔炼In-G4501铟颗粒99.995%1-3mm真空熔炼Zr-I2402海绵锆块状99.4%3-25mm真空熔炼Hf-I2402海m真空熔炼Ge-G5006锗颗粒99.999%3-5mm真空熔炼La-I3011镧块状99.9%不规则块状真空熔炼Er-I3011铒块状99.9%不规则块状真空熔炼Dy-I3011镝块状99.9%不规则块状真空熔炼W-P3504钨粉末99.95%325目粉末冶金Al-P3504&nbs5目粉末冶金TiC-P2514碳化钛粉末99.5%3-5μm粉末冶金HfC-P2514碳化铪粉末99.5%3-5μm粉末冶金ZrB2-P2519二硼化锆粉末99.5%10μm粉末冶金Ti-F2612.2*L耗材配件Ta-F3513钽0*0.2mm耗材配件Nb-F3513*100*0.2mm耗材配件合金定制流程：1.客户提供需要的配比、块材大小和用量要求；因为用处不一样，所以不同用途的靶材对不同杂质含量的要求也不同。镇江镀膜靶材贴合
许多用户在采购靶材时没有从专业的角度去考虑，下面为大家指出购买靶材时需要注意的事项。江苏Co靶材
高纯金属的纯度分析原则： 高纯金属材料的纯度一般用减量法衡量。减量计算的杂质元素主要是金属杂质，不包括C ,O ,N ,H等间隙元素，但是间隙元素的含量也是重要的衡量指标，一般单独提出。依应用背景的不同，要求进行分析的杂质元素种类少则十几种, 多则70多种。简单的说高纯金属是几个N(九) 并不能真正的表达其纯度, 只有提供杂质元素和间隙元素的种类及其含量才能明确表达高纯金属的纯度水平。 高纯金属的纯度检测应以实际应用需要作为主要标准，例如目前工业电解钴的纯度一般接99.99 % ,而且检测的杂质元素种类较少。我国电解钴的有色金属行业标准(YS/ T25522000)要求分析C ,S ,Mn , Fe, Ni , Cu , As , Pb , Zn , Si , Cd , Mg , P , Al , Sn ,Sb , Bi等17 个杂质元素, Co9998电解钴的杂质总量不超过0.02，但这仍然不能满足功能薄膜材料材料的要求[2]。
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江阴典誉新材料科技有限公司地处江苏省江阴市，是一家专业生产溅射靶材和蒸发材料的公司，溅射靶材充分借鉴国外的先进技术，并通过与国内外**研发机构合作，整合各行业资源优势，生产出多系列***溅射靶材产品。 公司目前主要生产金属，合金，陶瓷三大类靶材产品。经过几年的发展和技术积累，已经拥有：真空热压，冷压烧结，真空熔炼，热等静压，等离子喷涂等技术。另外也可根据客户要求研发新型靶材并提供靶材金属化、绑定和背板服务。 江阴典誉新材料科技有限公司已为以下行业提供***的靶材：平面显示、装饰与工具、太阳能光伏和光热、电子和半导体、建筑与汽车玻璃大面积镀膜等工业领域。同时也为国内外各大院校和研究所提供了很多常规和新型的试验用靶材。 江阴典誉目前拥有真空热压炉两台，冷压烧结炉一台，真空熔炼设备两台，等静压设备一台，等离子喷涂两套，绑定平台两套，各类机加工设备七台，检验设备若干，确保出厂的每件产品都能达到甚至超过客户的预期。 江阴典誉秉承：“一切以客户的需求为导向，客户的所有需求一次做好。”的发展理念。