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    P-MOS）：电源控制P-MOS通常用作电源的开关，控制设备的电源打开或者关闭。如上图，默认状态下LCD_PWR_EN是被拉低的，T2001关断，P-MOS的控制端（U2003的pin1，G极）是高电平，VGS=0，此时P-MOS关断，电压没有输出到右边。如果GPIO被拉高，T2001导通，MOS管G极被拉低，VGS=VBAT，超过了打开电压，此时P-MOS被打开，电压有输出到右侧。升压开关（N-MOS）：升压芯片内部其实就是个N-MOS，跟N-MOS的开关性质是一样的。PWM波控制升压芯片N-MOS的通断。PWM为高的时候，MOS打开，电感蓄流，PWM为低的时候，MOS关闭，带你干向二极管和Vout端释放电流。信号反向（N-MOS）N-MOS经常用于把控制信号反向。如上图，GPIO220控制USBHUB的Reset。Reset脚是低有效，而GPIO一般设计成默认是低电平，拉高有效。因此通过一个MOS管来把控制信号反向。GPIO拉低，MOS不通，RESET脚被上拉到。GPIO拉高，MOS导通，RESET脚被接到地上，RESET就生效了。充电控制（P-MOS）充电P-MOS芯片充电电路是智能硬件系统中，少量的MOS管工作在放大区的电路之一。通过控制GDRV脚（P-MOSGate脚）的电压，控制充电电流的大小。例如在恒流充电的时候，把电流控制在1A，在恒压充电的时候。双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。品质MOS管工厂直销

    通过反馈容易引起放大器的高频寄生振荡。为此，并联复合管管子一般不超过4个，而且在每管基极或栅极上串接防寄生振荡电阻。8、结型MOS管的栅源电压不能接反，可以在开路状态下保存，而绝缘栅型MOS管在不使用时，由于它的输入电阻非常高，须将各电极短路，以免外电场作用而使管子损坏。9、焊接时，电烙铁外壳必须装有外接地线，以防止由于电烙铁带电而损坏管子。对于少量焊接，也可以将电烙铁烧热后拔下插头或切断电源后焊接。特别在焊接绝缘栅MOS管时，要按源极-漏极-栅极的先后顺序焊接，并且要断电焊接。10、用25W电烙铁焊接时应迅速，若用45~75W电烙铁焊接，应用镊子夹住管脚根部以帮助散热。结型MOS管可用表电阻档定性地检查管子的质量（检查各PN结的正反向电阻及漏源之间的电阻值），而绝缘栅场效管不能用万用表检查，必须用测试仪，而且要在接入测试仪后才能去掉各电极短路线。取下时，则应先短路再取下，关键在于避免栅极悬空。在要求输入阻抗较高的场合使用时，必须采取防潮措施，以免由于温度影响使MOS管的输入电阻降低。如果用四引线的MOS管，其衬底引线应接地。陶瓷封装的芝麻管有光敏特性，应注意避光使用。对于功率型MOS管，要有良好的散热条件。品质MOS管工厂直销其优点是效率高（可达80%）、抗辐射能力强以及耐高温性能好。

    当栅-源电压VGS=0时，即使加上漏-源电压VDS，总有一个PN结处于反偏状态，漏-源极间没有导电沟道（没有电流流过），所以这时漏极电流ID=0。此时若在栅-源极间加上正向电压，图1-2-(b)所示，即VGS＞0，则栅极和硅衬底之间的SiO2绝缘层中便产生一个栅极指向P型硅衬底的电场，由于氧化物层是绝缘的，栅极所加电压VGS无法形成电流，氧化物层的两边就形成了一个电容，VGS等效是对这个电容充电，并形成一个电场，随着VGS逐渐升高，受栅极正电压的吸引，在这个电容的另一边就聚集大量的电子并形成了一个从漏极到源极的N型导电沟道，当VGS大于管子的开启电压VT（一般约为2V）时，N沟道管开始导通，形成漏极电流ID，我们把开始形成沟道时的栅-源极电压称为开启电压，一般用VT表示。控制栅极电压VGS的大小改变了电场的强弱，就可以达到控制漏极电流ID的大小的目的，这也是MOS管用电场来控制电流的一个重要特点，所以也称之为场效应管。3、MOS管的特性：上述MOS管的工作原理中可以看出，MOS管的栅极G和源极S之间是绝缘的，由于SiO2绝缘层的存在，在栅极G和源极S之间等效是一个电容存在，电压VGS产生电场从而导致源极-漏极电流的产生。此时的栅极电压VGS决定了漏极电流的大小。

    MOS管，只要是电子相关专业的，只要是硬件工程师，都会学过：书上说，MOS管的主要作用是放大。不过实际在智能硬件产品开发和物联网产品开发中，几乎没有用到放大用的MOS管，绝大部分是用来做开关的。偶尔有些放大作用的MOS管，也是集成在芯片里面的。可以毫不夸张的讲，只要不是做IC设计的，几乎用不到MOS管的放大功能。自己搭出来的MOS放大电路，性能不可能有专业芯片公司做的好的。本文主要讲MOS管在常用的数字电路板上的用法。至于MOS管G、S、D三个端口、N-MOS、P-MOS这样的基础知识，我们就不赘述了，需要的读者请自行翻书查资料吧。用作开关的时候，不管是N-MOS还是P-MOS，记住一句话即可：VGS有电压差，MOS管就导通。VGS没有电压差，MOS管就关闭。MOS管常见的主要用途有以下几种负极开关（N-MOS）：设备控制LED灯控制电路马达控制电路N-MOS广泛应用于设备通断的控制。例如上图的LED灯控制和电动马达的控制。GPIO口拉高，MOS管就导通，LED灯亮、马达转动。GPIO拉低，MOS管就关闭，LED灯灭，马达就停止转动。在普通的低电压数字电路上，这种控制方式对MOS管本身没有什么特定高要求，随便抓一个N-MOS也可以用。NPN的三极管也可以用。正极开关。P-MOS管的通断控制，其实就是控制其Vgs的电压，从而达到控制电源的目的。

    由以上分析我们可以画出mos管工作原理图中MOS管电路部分的工作过程（见图）。工作原理同前所述。MOS管应用电路MOS管明显的特性是开关特性好，所以被广泛应用在需要电子开关的电路中，常见的如开关电源和马达驱动，也有照明调光。现在的MOS驱动，有几个特别的需求：1、低压应用当使用5V电源，这时候如果使用传统的mos管工作原理图图腾柱结构，由于三极管的be有，导致实际终加在gate上的电压只有。这时候，我们选用标称gate电压。同样的问题也发生在使用3V或者其他低压电源的场合。2、宽电压应用输入电压并不是一个固定值，它会随着时间或者其他因素而变动。这个变动导致PWM电路提供给MOS管的驱动电压是不稳定的。为了让MOS管在高gate电压下安全，很多MOS管内置了稳压管强行限制gate电压的幅值。在这种情况下，当提供的驱动电压超过稳压管的电压，就会引起较大的静态功耗。同时，如果简单的用电阻分压的原理降低gate电压，就会出现输入电压比较高的时候，MOS管工作良好，而输入电压降低的时候gate电压不足，引起导通不够彻底，从而增加功耗。3、双电压应用在一些控制电路中，逻辑部分使用典型的5V或者，而功率部分使用12V甚至更高的电压。两个电压采用共地方式连接。由于栅源之间寄生电容的存在，当栅极的驱动电压拉低时，MOS管并不会立即关断。品质MOS管工厂直销

MOS 管作为半导体领域基础的器件之一，无论是在 IC 设计里，还是板级电路应用上，都十分广。品质MOS管工厂直销

    1.是用N沟道还是P沟道。选择好MOS管器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOS管，这也是出于对电压驱动的考虑。确定所需的额定电压，或者器件所能承受的大电压。额定电压越大，器件的成本就越高。根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。就选择MOS管而言，必须确定漏极至源极间可能承受的大电压，即大VDS。知道MOS管能承受的大电压会随温度而变化这点十分重要。我们须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围，确保电路不会失效。需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备（如电机或变压器）诱发的电压瞬变。不同应用的额定电压也有所不同；通常，便携式设备为20V、FPGA电源为20～30V、85～220VAC应用为450～600V。2.确定MOS管的额定电流。该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的大电流。品质MOS管工厂直销

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