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其产品***应用于大功率直流开关、大功率中频感应加热电源、超声波电源、激光电源、雷达调制器及直流电动车辆调速等领域。逆导晶闸管以往的城市电车和地铁机车为了便于调速采用直流供电，用直流开关动作增加或减小电路电阻，改变电路电流来控制车辆的速度。但它有不能平滑起动和加速。开关体积大、寿命短，而且低速运行时耗电大（减速时消耗在启动电阻上）等缺点。自有了逆导晶闸管，采用了逆导晶闸管控制、调节车速，不*克服了上述缺点，而且还降低了功耗，提高了机车可靠性。晶闸管晶闸管逆导晶闸管是在普通晶闸管上反向并联一只二极管而成（同做在一个硅片上。它的等效电路和符号如图1所示。它的特点是能反向导通大电流。由于它的阳极和阴极接入反向并联的二极管，可对电感负载关断时产生的大电流、高电压进行快速释放。目前已经能生产出耐压达到1500～2500V正向电流达400A。吸收电流达150A，关断时间小于30微秒的逆导晶闸管。可关断晶闸管GTO（GateTurn-OffThyristor）亦称门控晶闸管。其主要特点为，当门极加负向触发信号时晶闸管能自行关断。晶闸管晶闸管前已述及，普通晶闸管（SCR）靠门极正信号触发之后，撤掉信号亦能维持通态。欲使之关断，必须切断电源。逆导晶闸管RCT(Reverse-ConductingThyristir)亦称反向导通晶闸管。山东本地美国IR可控硅&晶闸管模块

引起了电子雪崩，粒界层迅速变成低阻抗，电流迅速增加，泄漏了能量，抑制了过电压，从而使晶闸管得到保护。浪涌过后，粒界层又恢复为高阻态。压敏电阻的特性主要由下面几个参数来表示。标称电压：当参考压敏电阻直流1mA电流流动，它两端的电压值。通流数据容量：是用前沿8微秒、波宽20微秒的波形进行冲击以及电流，每隔5分钟冲击1次，共冲击10次，标称工作电压发生变化在-10［%］以内的大经济冲击产生电流值来表示。因为企业正常的压敏电阻粒界层只有通过一定程度大小的放电容量和放电次数，标称电压值不会随着研究放电次数不断增多而下降，而且也随着不同放电产生电流幅值的增大而下降，当大到某一部分电流时，标称电压下降到0，压敏电阻可以出现穿孔，甚至炸裂；因此我们必须进行限定通流数据容量。漏电流：将标称直流电压的一半加到压敏电阻上测量的电流。由于压敏电阻的通流容量大，残压低，抑制过电压能力强；平时漏电流小，放电后不会有续流，元件的标称电压等级多，便于用户选择；伏安特性是对称的，可用于交、直流或正负浪涌；因此用途较广。过电流保护由于半导体器件体积小、热容量小，特别像晶闸管这类高电压大电流的功率器件，结温必须受到严格的控制。定制美国IR可控硅&晶闸管模块供应普通晶闸管是一种半可控大功率半导体器件，出现于70年代。

有三个不同电极、阳极A、阴极K和控制极G.可控硅在电路中能够实现交流电的无触点控制，以小电流控制大电流，并且不象继电器那样控制时有火花产生，而且动作快、寿命长、可靠性好。在调速、调光、调压、调温以及其他各种控制电路中都有它的身影。可控硅分为单向的和双向的，符号也不同。单向可控硅有三个PN结，由外层的P极和N极引出两个电极，分别称为阳极和阴极，由中间的P极引出一个控制极。双向可控硅有其独特的特点：当阳极接合，阳极接合或栅极的正向电压，但没有施加电压时，它不导通，并且同时连接到阳极和栅极的正向电压反向电压时，它将被关上。一旦开启，控制电压有它的作用失去了控制，无论控制电压极性怎么没有了，不管控制电压，将保持在接通状态。关断，只有在阳极电压减小到一个临界值，或反之亦然。大多数双向可控硅引脚按t1、t2、g顺序从左到右排列(电极引脚向下，面向侧面有字符)。当施加到控制极g上的触发脉冲的大小或时间改变时，其传导电流的大小可以改变。与单向可控硅的区别是，双向可控硅G极上触发一个脉冲的极性可以改变时，其导通方向就随着不同极性的变化而改变，从而能够进行控制提供交流电系统负载。

α和θ都是用来表示晶闸管在承受正向电压的半个周期的导通或阻断范围的。通过改变控制角α或导通角θ，改变负载上脉冲直流电压的平均值UL，实现了可控整流。晶闸管晶体闸流管（英语：Thyristor），简称晶闸管，指的是具有四层交错P、N层的半导体装置。**早出现与主要的一种是硅控整流器（SiliconControlledRectifier，SCR），中国大陆通常简称可控硅，又称半导体控制整流器，是一种具有三个PN结的功率型半导体器件，为***代半导体电力电子器件的**。晶闸管的特点是具有可控的单向导电，即与一般的二极管相比，可以对导通电流进行控制。晶闸管具有以小电流（电压）控制大电流（电压）作用，并体积小、轻、功耗低、效率高、开关迅速等优点，***用于无触点开关、可控整流、逆变、调光、调压、调速等方面。发展历史/晶闸管编辑半导体的出现成为20世纪现代物理学其中一项**重大的突破，标志着电子技术的诞生。而由于不同领域的实际需要，促使半导体器件自此分别向两个分支快速发展，其中一个分支即是以集成电路为**的微电子器件，特点为小功率、集成化，作为信息的检出、传送和处理的工具；而另一类就是电力电子器件，特点为大功率、快速化。1955年。金属封装晶闸管又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种。

所以一旦可控硅导通后，即使控制极G的电流消失了，可控硅仍然能够维持导通状态，由于触发信号只起触发作用，没有关断功能，所以这种可控硅是不可关断的。由于他只有导通和关断两种工作状态，所以晶闸管具有开关特性，这也就是晶闸管的作用。晶闸管在工作过程中，它的阳极（A）和阴极（K）与电源和负载连接，组成晶闸管的主电路，晶闸管的门极G和阴极K与控制晶闸管的装置连接，组成晶闸管的控制电路。晶闸管为半控型电力电子器件，它的工作条件如下：1.晶闸管承受反向阳极电压时，不管门极承受何种电压，晶闸管都处于反向阻断状态。2.晶闸管承受正向阳极电压时，在门极承受正向电压的情况下晶闸管才导通。这时晶闸管处于正向导通状态，这就是晶闸管的闸流特性，即可控特性。3.晶闸管在导通情况下，只要有一定的正向阳极电压，不论门极电压如何，晶闸管保持导通，即晶闸管导通后，门极失去作用。门极只起触发作用。4.晶闸管在导通情况下，当主回路电压（或电流）减小到接近于零时，晶闸管关断。4全控型晶闸管的工作条件：1.晶闸管承受反向阳极电压时，不管门极承受何种电压，晶闸管都处于反向阻断状态。2.晶闸管承受正向阳极电压时，在门极承受正向电压。晶闸管按其关断速度可分为普通晶闸管和高频（快速）晶闸管。定制美国IR可控硅&晶闸管模块供应

有的三个腿一般长，从左至右，依次是阴极、阳极和门极。山东本地美国IR可控硅&晶闸管模块

测量时黑表笔接阳极A，红表笔接阴极K，此时表针不动，显示阻值为无穷大(∞)。用镊子或导线将晶闸管的阳极A与门极短路(见图2)，相当于给G极加上正向触发电压，此时若电阻值为几欧姆至几十欧姆(具体阻值根据晶闸管的型号不同会有所差异)，则表明晶闸管因正向触发而导通。再断开A极与G极的连接(A、K极上的表笔不动，只将G极的触发电压断掉)。若表针示值仍保持在几欧姆至几十欧姆的位置不动，则说明此晶闸管的触发性能良好。特殊的晶闸管/晶闸管编辑双向晶闸管TRIAC晶闸管从外表上看，双向晶闸管和普通晶闸管很相似，也有三个电极。但是，它除了其中一个电极G仍叫做控制极外，另外两个电极通常却不再叫做阳极和阴极，而统称为主电极Tl和T2。它的符号也和普通晶闸管不同，是把两个晶闸管反接在一起画成的，如图2所示。它的型号，在我国一般用“3CTS”或“KS”表示；国外的资料也有用“TRIAC”来表示的。从内部结构来看，双向晶闸管是一种N—P—N—P—N型五层结构的半导体器件，见图3(a)。为了便于说明问题，我们不妨把图3(a）看成是由左右两部分组合而成的，如图3(b)。这样一来，原来的双向晶闸管就被分解成两个P—N—P—N型结构的单向晶闸管了。山东本地美国IR可控硅&晶闸管模块