AT89S52是一种低功耗、高性能CMOS8位微控制器，是具有8K系统可编程Flash存储器。使用Atmel公司高密度非易失性存储器技术制造，与工业80C51产品指令和引脚完全兼容。片上Flash允许程序存储器在系统内编程，亦适于常规编程器。在单芯片上，拥有灵巧的8位CPU和在系统可编程Flash，使得AT89S52在众多嵌入式控制应用系统中得到广泛应用。主要性能1、与MCS-51单片机产品兼容;2、8K字节在系统可编程Flash存储器;3、1000次擦写周期;4、全静态操作:0Hz-33MHz;5、三级加密程序存储器;6、32个可编程I/O口线;7、三个16位定时器/计数器;8、6个中断源;9、全双工UART串行通道;10、低功耗空闲和掉电模式;11、掉电后中断可唤醒;12、看门狗定时器;13、双数据指针;14、掉电标识符。14、掉电标识符。深圳进口芯片，深圳原装IC，原厂现货经销。浙江只读存储器原理
存储器的基本概念元素----存储器：存放程序和数据的器件。存储位：存放一个二进制数位的存储单元，是存储器比较小的存储单位，或称记忆单元。存储字：一个数（n位二进制位）作为一个整体存入或取出时，称存储字。存储单元：存放一个存储字的若干个记忆单元组成一个存储单元。存储体：大量存储单元的组成存储体。存储单元地址：存储单元的编号。字编址：对存储单元按字编址。字节编址：对存储单元按字节编址。寻址：由地址寻找数据，从对应地址的存储单元中访存数据。浙江存储器哪家便宜深圳存储器代理商，深圳进口芯片经销商。
之前部分研究者采用将NOR闪存作为主存，可以解决计算机掉电数据丢失问题，但是闪存有擦写次数有限，随机写性能较差，写延迟较大等的缺点，而采用相变存储器或者基于相变存储器的异构主存方法可以更好地解决上述问题；②相变存储器的随机读写性能能够有效地解决大规模科学计算中小粒度随机I/O对磁盘访问所造成的I/O瓶颈，用相变存储器代替传统的硬盘具有很大的优势；③闪存和相变存储器都是新型非易失性存储器，没有机械装置并且可随机读写，但是和相变存储器相比，闪存的读写性能略显不足，特别是写入前需要整块擦除的缺陷，导致闪存只能通过一系列更加复杂的技术化才能替代存储系统的部分功能。
静态随机存取存储器(sram)多年来被应用于各种场合。凡是需要快速存取数据的应用，特别是在要求初始存取等待时间很短的情况下，都会考虑使用sram，这已经成为一个常识。随着网络系统对带宽和速度的持续推动，sram已成为网络系统中重要的支持元件。在手机、消费电子、汽车、pos、打印机、医疗设备等领域有着较广的应用。静态随机存取存储器（StaticRandom-AccessMemory，SRAM）是随机存取存储器的一种。所谓的“静态”，是指这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持。存储器芯片认准千百路科技，提供全系列存储器芯片。
SRAM的应用：通用的产品asynchronous界面，例如28针32Kx8的chip（通常命名为XXC256），以及类似的产品比较多16Mbit每片synchronous界面，通常用做高速缓存（cache）以及其它要求突发传输的应用，比较多18Mbit（256Kx72）每片集成于芯片内作为微控制器的RAM或者cache（通常从32bytes到128kilobytes）作为强大的微处理器的主caches，如x86系列与许多其它CPU（从8kiB到几百万字节的量级）作为寄存器（参见寄存器堆）用于特定的ICs或ASIC（通常在几千字节量级）用于FPGA与CPLD进口芯片厂家，原厂存储器芯片现货，深圳代理经销商提供一站式服务。浙江存储器哪家便宜
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SRAM主要用于二级高速缓存（Level2Cache)。它利用晶体管来存储数据。与DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面积中SRAM的容量要比其他类型的内存小。SRAM的速度快但昂贵，一般用小容量的SRAM作为更高速CPU和较低速DRAM之间的缓存（cache）.SRAM也有许多种，如AsyncSRAM(AsynchronousSRAM，异步SRAM）、SyncSRAM(SynchronousSRAM，同步SRAM）、PBSRAM(PipelinedBurstSRAM，流水式突发SRAM），还有INTEL没有公布细节的CSRAM等。基本的SRAM的架构如图1所示，SRAM一般可分为五大部分：存储单元阵列（corecellsarray），行/列地址译码器(decode），灵敏放大器(SenseAmplifier），控制电路（controlcircuit），缓冲/驱动电路（FFIO）。SRAM是静态存储方式，以双稳态电路作为存储单元，SRAM不像DRAM一样需要不断刷新，而且工作速度较快，但由于存储单元器件较多，集成度不太高，功耗也较大。[2]浙江只读存储器原理
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