但是决定使用FRAM之前,必须确定系统中一旦超出对FRAM的100万次访问之后很不会有危险。FRAM与SRAM：从速度、价格及使用方便来看SRAM优于FRAM,但是从整个设计来看,FRAM还有一定的优势。假设设计中需要大约3K字节的SRAM,还要几百个字节用来保存启动代码的E2PROM配置。非易失性的FRAM可以保存启动程序和配置信息。如果应用中所有存储器的很大访问速度是70ns,那么可以使用一片FRAM完成这个系统,使系统结构更加简单。FRAM与DRAM：DRAM适用于那些密度和价格比速度更重要的场合。例如DRAM是图形显示存储器的很佳选择,有大量的像素需要存储,而恢复时间并不是很重...

因此可以节省闪存所需的高擦除能耗,以及慢擦除周期引起的延迟(该属性称为原位编程)。与闪存相比,这些新技术的写入过程能量要求非常低,减少或消除了对低效电荷泵的需求。所有这些新技术都提供随机数据访问,减少了保留两个副本：一个在闪存,一个在DRAM的需求。不用说,无论何时使用任何新型的存储器技术来取代当今的传统DRAM+NAND闪存架构,所有这些属性都将带来明显的功率节省以及性能提升。新型存储器类型包含下列几种。大多数新型存储器技术拥有下列属性：所有这些都是非易失性或持久性的,对比于需要定期刷新、高耗电量需求的DRAM具有明显的优势。它们都不需要闪存所需的高电荷泵擦除/写入电压。它们都没有使用闪存(...

SRAM多用于对性能要求极高的地方（如CPU的一级二级缓冲）,而DRAM则主要用于计算机的内存条等领域。推进存储器产业的发展,不仅是因为其处于集成电路产业的重要地位,更是基于信息安全的考量,只有在存储器、CPU等芯片领域具备自主可控能力,才能确保信息安全。当前从外部发展环境来看,我国在应用固态硬盘、磁硬盘、磁带、半导体等数据存储领域都面临“卡脖子”问题,亟须构筑存储领域发展长板。外存通常是磁性介质或光盘,像硬盘,软盘,磁带,CD等,能长期保存信息,并且不依赖于电来保存信息,但是由机械部件带动,速度与CPU相比就显得慢的多。当前我国在电存储和磁存储领域尚不具备国际竞争优势,特别是磁盘存储...

其可扩展性使STT-MRAM可能在未来几年成为低密度和中密度应用之DRAM和闪存的替代方案。阻变存储器,称为ReRAM或RRAM,包括许多不同的技术类别,其中包括氧空缺存储器、导电桥存储器、金属离子存储器、忆阻器、以及,纳米碳管,有些人甚至认为相变存储器也应该包括在这一类中。所有这些技术的共同之处在于存储器机制是由电阻器组成,依该电阻器处于高电阻或低电阻状态以表示“1”或“0”。电流流过电阻器读取它,并使用更高的电流来覆盖它。ReRAM都承诺简化和缩小存储器单元,因为它们不一定使用晶体管作为选择器,而是使用在位单元上方或下方构建的双端选择器。这不当应该将存储单元低降到其理论微小尺寸4f2,而且...

每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。Flash存储器位交换所有flash器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见,NAND发生的次数要比NOR多),一个比特位会发生反转或被报告反转了。比特位反转一位的变化可能不很明显,但是如果发生在一个关键文件上,这个小小的故障可能导致系统停机。如果只是报告有问题,多读几次就可能解决了。当然,如果这个位真的改变了,就必须采用错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法。位反转的问题更多见于NAND闪存,NAND的供应商建议使用NAND闪存的时候,同时使用EDC/ECC算法。这个问题对于用NAND存储多媒体信息时倒不是致命的。当然,如...

ATMEL的非易失性存储技术：作为非易失性存储器技术元老,ATMEL将把非易失性这个重要技术集成到为计算和消费产品服务的复杂产品之中,例如PC,存储产品,DVD,娱乐平台,游戏产品和玩具等。除了与不断涌现的电子设备制造商建立合作关系外,ATMEL的高密度存储器产品、微控制器和ASIC同样可以应用到工控、图像处理和汽车设备上。ATMEL公司是是世界上高级半导体产品设计、制造和行销的先导者,产品包括了微处理器、可编程逻辑器件、非易失性存储器、安全芯片、混合信号及RF射频集成电路。通过这些重要技术的组合,ATMEL生产出了各种通用目的及特定应用的系统级芯片,以满足当今电子工程师不断增长和演进的需求。...

大型数据中心的能耗不断攀升,基于电池技术的物联网及移动设备也因功耗问题被人诟病。手机待机功耗中,存储是用电“大户”。正因为数据需要分级存储、分级调取,速度较慢,为让用户体验较快的响应速度,数据一般存储在静态随机存储器和动态随机存储器上,断电数据就会丢失,因此需要一直耗电。改变这些,就需要新一代存储器件,既具有接近静态存储器的纳秒级读写速度,又具有闪存级别的容量和类似Flash的数据断电不丢失存储特性。自旋转移矩-磁随机存储器（STT-MRAM）就是一种接近“万用存储器”要求的极具应用潜力的下一代新型存储器解决方案。STT-MRAM由于其数据以磁状态存储,具有天然的抗辐照、高可靠性以及几乎无限次...

常用的外存储器设备以两种方式之一来存储信息。磁带以大的盘式装置形式。在1970年代作为计算机存储的一大支柱,现在则以小而封闭的盒式磁带成为一种相对便宜的“离线”存储选择。尽管它在加载现代录音磁带和寻找到感兴趣数据的存储位置时,可能花费几秒甚至几分钟,但购买和维修这一存储媒质的长期花费是低廉的。各种光学存储器装置也是可得到的。在光学存储器装置中存取一串特定数据所需的时间,可能与在（磁）硬盘存取数据所需的时间一样短。在光盘某一平滑镜面上存在着微小的缺陷。在光盘表面烧一个孔洞表示二进制数1,没有烧孔则表示0。烧制而成的光盘是写一次,读多次。这个特征使得它们适合于长期的档案存储,且保持较高的存取速率。...

同样的,容量越大,速度也就越慢,速度和容量不可兼得,速度高必然贵并且容量小。铁电存储器（FRAM,ferroelectricRAM）是一种随机存取存储器,它将动态随机存取存储器（DRAM）的快速读取和写入访问——它是个人电脑存储中很常用的类型——与在电源关掉后保留数据能力（就像其他稳定的存储设备一样,如只读存储器和闪存）结合起来。铁电存储器（FRAM,ferroelectricRAM）是一种随机存取存储器,它将动态随机存取存储器（DRAM）的快速读取和写入访问——它是个人电脑存储中很常用的类型——与在电源关掉后保留数据能力（就像其他稳定的存储设备一样,如只读存储器和闪存）结合起来。由于...

铁电存储技术早在1921年提出,直到1993年美国Ramtron国际公司成功开发出较早个4K位的铁电存储器FRAM产品,所有的FRAM产品均由Ramtron公司制造或授权。FRAM有新的发展,采用了um工艺,推出了3V产品,开发出“单管单容”存储单元的FRAM,很大密度可达256K位。首先要说明的是铁电存储器和浮动栅存储器的技术差异。现有闪存和EEPROM都是采用浮动栅技术,浮动栅存储单元包含一个电隔离门,浮动栅位于标准控制栅的下面及通道层的上面。浮动栅是由一个导电材料,通常是多芯片硅层形成的(如图2所示)。浮动栅存储单元的信息存储是通过保存浮动栅内的电荷而完成的。利用改变浮动栅存储单...

小存储单元尺寸、高性能、低功耗一直是存储器设计师持续追求的目标。然而,14nm以下鳍式场效应晶体管技术无法直接套用在既有的嵌入式存储元件上。再者,为因应未来人工智能(AI)及边缘计算等高计算能力的需求,既有高容量存储器,如DRAM、NAND闪存的高耗电及速度问题已无法跟上需求的脚步。因此,半导体产业正处于转折点。微控制器(MCUs)和ASICs中的嵌入式存储器,以及从手持移动装置到超级计算机等所有应用的离散存储器芯片都在考虑更换。这些替换将有助于系统设计人员降低功耗,从而延长手持移动装置电池寿命或降低数据中心系统冷却要求,也能提高系统性能,符合未来这些高运算能力系统的需求。在某些情况下,通过使...

据悉,国内微电子集成电路先导工艺研发团队经过三年攻关,成功制备国内首例80纳米自旋转移矩-磁随机存储器器件,此项技术应用后,电脑死机也会保留所有数据,手机待机时间也有望大幅提高。存储器是电子系统的重要组成部分。目前绝大多数电子系统均采用寄存、主存加硬盘的存储体系结构。与之相对应,静态随机存储器（SRAM）、动态随机存储器（DRAM）、闪存（Flash）或硬盘（HDD）成为实现这三种存储体系的传统存储技术。一台电脑中,静态随机存储器对应的是CPU内的存储器,其特点是速度快,但容量小；动态随机存储器对应的是电脑主板上的内存条；闪存或者硬盘对应的就是电脑里的固态硬盘或者机械硬盘,其特点是速度慢,但容...

MRAM(MagneticRandomAccessMemory)是一种非易失性(Non-Volatile)的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力，以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。特点：1.非易失性、能耗低：非易失性指的是在关闭电源的情况下，数据也能得以保存而不丢失。相对而言，传统半导体存储器如eSRAM需要依赖持续供电以保存数据（易失性）。另外，相比于同样是非易失性的eFlash，eMRAM能耗要小的多，其所需工作电压与逻辑电压一致（1.1V），而不像eFlash那样需要高电压（8-12V），且其写入过程不需要先进行擦写操...

所有的ATMEL地点都经过ISO9001认证,大多数经过QS9000认证,有一些还通过了旨在保护环境的ISO14001认证。所有ATMEL的运作都受公司内部详细的质量规范所控制,并定期进行回顾和更新。其目的就是进行持续不断的改进,提高客户的总体满意度。ATMDL的质量体系二：ATMEL的质量小组与客户合作进行质量审计,以保证ATMEL符合客户的质量要求。从客户项目获得的经验将反馈到下一次产品的生产。ATMEL保持产品和技术更新的方法是已经在实行的研究和开发的合作。研发项目与主要客户和大学合作进行,从而获得先进的功能模块,以及工艺技术的改进。存储器的工作原理：对动态存储器进行写入操作时,...

除了与不断涌现的电子设备制造商建立合作关系之外,ATMEL的高密度存储器产品、微控制器和ASIC同样可以应用到工业控制、图像处理和汽车设备ATMEL公司是是世界上高级半导体产品设计、制造和行销的先导者,产品包括了微处理器、可编程逻辑器件、非易失性存储器、安全芯片、混合信号及RF射频集成电路。通过这些重要技术的组合,ATMEL生产出了各种通用目的及特定应用的系统级芯片,以满足当今电子系统设计工程师不断增长和演进的需求。外存储器：外存储器是一种单独于计算机的内存以及CPU的缓存之外的存储器。哪怕是在没有电的情况下,也能够将数据保存。外存储器的很大优点就是可以流动性。通过外存储器,我们可以非...

动态随机存储器（DynamicRAM）介绍：“动态”两字，指的是每隔一定的时间，就需要刷新充电一次，否则存储器内部的数据就会被去除。这是因为存储器DRAM的每个基本单元，是由一个晶体管加一个电容所构成，故存储器的基本工作逻辑为二进制。以电容中有无电荷来表示数字信号0或1。由于电容漏电快，存储器为防止因电容漏电而致信息读取出错，需周期性地给DRAM电容进行充电，故DRAM速度会比SRAM慢。同时，这种简洁的存储模式也使DRAM集成度远比SRAM要高。一个DRAM存储单元只需要一个电容加一个晶体管，而每个SRAM单元则需要4-6个晶体管和其他元件，故DRAM在高密度/大容量及成本方面，均比SRAM...

SRAM的特点---SRAM是英文StaticRAM的缩写，它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。而DRAM（DynamicRandomAccessMemory)每隔一段时间，要刷新充电一次，否则内部的数据即会消失，因此SRAM具有较高的性能，缺点是集成度较低，功耗较DRAM大，相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积。同样面积的硅片可以做出更大容量的DRAM，因此SRAM显得更贵。基本特点特点归纳：◎优点，速度快，不必配合内存刷新电路，可提高整体的工作效率。◎缺点，集成度低，功耗较大，相同的容量体积较大，而且价格较高，少量用于...

存储器可以分为内存和外存两种类型。内存是计算机中的临时存储器，它可以快速地读取和写入数据，但是当计算机关闭时，内存中的数据也会被清空。外存则是计算机中的长久存储器，它可以长期保存数据，即使计算机关闭也不会丢失。内存的种类有很多，包括DRAM、SRAM、ROM等。DRAM是一种动态随机存储器，它可以快速地读取和写入数据，但是需要不断地刷新才能保持数据的稳定性。SRAM则是一种静态随机存储器，它的读取速度比DRAM更快，但是价格也更高。ROM是一种只读存储器，它的数据是固定的，无法被修改。外存的种类也有很多，包括硬盘、固态硬盘、U盘等。硬盘是一种机械式存储器，它的读取速度较慢，但是容量...

硬件工程师的工作内容与单片机是怎样的关系？硬件工程师就是电脑软硬件设计、安装、调试、解决故障的技术人员。硬件即计算机硬件简称，是对计算机中的电子、机械、光电元器件装置的统称。当前对于硬件工程师的岗位要求，是需要掌握电路的基本分析方法，掌握相关电路设计工具、数模电路知识、微控制器（单片机）应用等。上述前后两种描述，是有一点差别的。因为前者只属于计算机，后者则已经拓宽到电子电路。而电子电路包罗万象，范围要大得多。更因为现在电子线路中，已经大量应用了单片机，让普通的电子设备都具备了自动控制功能。单片机就像一部微型电脑，对电子设备和机械设备都可实现嵌入式应用。因此单片机的应用，已经大为拓宽了硬件工程的...

铁电存储技术早在1921年提出,直到1993年美国Ramtron国际公司成功开发出较早个4K位的铁电存储器FRAM产品,所有的FRAM产品均由Ramtron公司制造或授权。FRAM有新的发展,采用了um工艺,推出了3V产品,开发出“单管单容”存储单元的FRAM,很大密度可达256K位。首先要说明的是铁电存储器和浮动栅存储器的技术差异。现有闪存和EEPROM都是采用浮动栅技术,浮动栅存储单元包含一个电隔离门,浮动栅位于标准控制栅的下面及通道层的上面。浮动栅是由一个导电材料,通常是多芯片硅层形成的(如图2所示)。浮动栅存储单元的信息存储是通过保存浮动栅内的电荷而完成的。利用改变浮动栅存储单...

标准8051核的一个机器周期包括12个时钟周期,ALE信号在每个机器周期中两次有效,除了对外部数据存储器访问时只有效一次。8051对外部存储器的读或写操作需要两个机器周期。快速型8051如DS87C520或W77E58的一个机器周期只需4个时钟周期,而在一些新的如PHILIPS的8051中一个机器周期为6个时钟周期,而在任何一个机器周期中ALE信号都两次有效。尽管有这些不同,仍可以用ALE信号和地址片选来产生可用作FRAM访问CE的信号。要保证对FM1808的正确访问,必须注意两点：较早,访问时间必须大于70ns（即FRAM的访问时间）；第二,ALE的高电平宽度必须大于60ns。对于标...

大型数据中心的能耗不断攀升,基于电池技术的物联网及移动设备也因功耗问题被人诟病。手机待机功耗中,存储是用电“大户”。正因为数据需要分级存储、分级调取,速度较慢,为让用户体验较快的响应速度,数据一般存储在静态随机存储器和动态随机存储器上,断电数据就会丢失,因此需要一直耗电。改变这些,就需要新一代存储器件,既具有接近静态存储器的纳秒级读写速度,又具有闪存级别的容量和类似Flash的数据断电不丢失存储特性。自旋转移矩-磁随机存储器（STT-MRAM）就是一种接近“万用存储器”要求的极具应用潜力的下一代新型存储器解决方案。STT-MRAM由于其数据以磁状态存储,具有天然的抗辐照、高可靠性以及几乎无限次...

长期被国际巨头垄断的存储器市场终于迎来了中国玩家。在面对和长江存储一起经历国产NANDFLASH从无到有的八家主要合作伙伴时,长江存储CEO杨士宁(Simon)说道：“存储不是一个好做的行业,我可以很负责任跟大家说,比我在英特尔做CPU还要难。”而长江存储董事长、紫光集团董事长兼CEO赵伟国在现场也坦言,从2016年7月成立到现在三年多,长江存储这一“中国半导体有史以来比较大的项目”,经历了从32层到64层研发,过程非常不容易,“回想这三年多,真的是有一种雄关漫道真如铁的感觉。”与此同时,经历了一年多大萧条的存储器市场逐渐回暖,长江存储这一国产存储器厂商将迎来发展良机。“超出预期”存储...

常用的外存储器设备以两种方式之一来存储信息。磁带以大的盘式装置形式。在1970年代作为计算机存储的一大支柱,现在则以小而封闭的盒式磁带成为一种相对便宜的“离线”存储选择。尽管它在加载现代录音磁带和寻找到感兴趣数据的存储位置时,可能花费几秒甚至几分钟,但购买和维修这一存储媒质的长期花费是低廉的。各种光学存储器装置也是可得到的。在光学存储器装置中存取一串特定数据所需的时间,可能与在（磁）硬盘存取数据所需的时间一样短。在光盘某一平滑镜面上存在着微小的缺陷。在光盘表面烧一个孔洞表示二进制数1,没有烧孔则表示0。烧制而成的光盘是写一次,读多次。这个特征使得它们适合于长期的档案存储,且保持较高的存取速率。...

存储器可以分为内存和外存两种类型。内存是计算机中的临时存储器，它可以快速地读取和写入数据，但是当计算机关闭时，内存中的数据也会被清空。外存则是计算机中的长久存储器，它可以长期保存数据，即使计算机关闭也不会丢失。内存的种类有很多，包括DRAM、SRAM、ROM等。DRAM是一种动态随机存储器，它可以快速地读取和写入数据，但是需要不断地刷新才能保持数据的稳定性。SRAM则是一种静态随机存储器，它的读取速度比DRAM更快，但是价格也更高。ROM是一种只读存储器，它的数据是固定的，无法被修改。外存的种类也有很多，包括硬盘、固态硬盘、U盘等。硬盘是一种机械式存储器，它的读取速度较慢，但是容量...

各种NAND器件的存取方法因厂家而异。在使用NAND器件时。必须先写入驱动程序,才能继续执行其他操作。向NAND器件写入信息需要相当的技巧,因为设计师绝不能向坏块写入,这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。Flash存储器软件支持当讨论软件支持的时候,应该区别基本的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘仿真和闪存管理算法的软件,包括性能优化。在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持,在NAND器件上进行同样操作时,通常需要驱动程序,也就是内存技术驱动程序(MTD),NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。使用NOR器件时所需要的MTD要相对少一些,许多厂商都...

可以很容易地存取其内部的每一个字节。NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据,各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。NAND读和写操作采用512字节的块,这一点有点像硬盘管理此类操作,很自然地,基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。Flash存储器容量和成本NANDflash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半,由于生产过程更为简单,NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量,也就相应地降低了价格。NORflash占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分,而NANDflash只是用在8MB～128GB的产品当中,这也说明NOR主要应用...

再加上NAND闪存的逻辑为电子盘模块结构。内部不存在专门的存储控制器,一旦出现数据坏块将无法修,可靠性较NOR闪存要差。NAND闪存被广为应用于移动存储、数码相机、MP3播放器、掌上电脑等新兴数字设备中。由于受到数码设备强劲发展的带动,NAND闪存一直呈现指数级的超高速增长.NOR和NAND是市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NORflash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着,1989年,东芝公司发表了NANDflash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后,仍然有...

但是决定使用FRAM之前,必须确定系统中一旦超出对FRAM的100万次访问之后很不会有危险。FRAM与SRAM：从速度、价格及使用方便来看SRAM优于FRAM,但是从整个设计来看,FRAM还有一定的优势。假设设计中需要大约3K字节的SRAM,还要几百个字节用来保存启动代码的E2PROM配置。非易失性的FRAM可以保存启动程序和配置信息。如果应用中所有存储器的很大访问速度是70ns,那么可以使用一片FRAM完成这个系统,使系统结构更加简单。FRAM与DRAM：DRAM适用于那些密度和价格比速度更重要的场合。例如DRAM是图形显示存储器的很佳选择,有大量的像素需要存储,而恢复时间并不是很重...

随着计算机技术的不断发展，存储器的种类也在不断增加。除了传统的内存、外存和缓存之外，还有一些新型存储器正在逐渐成为主流。其中比较有代表性的是固态硬盘（SSD）和闪存存储器。固态硬盘是一种新型的存储器设备，它采用闪存芯片作为存储介质，具有读取和写入速度快、耐用、低功耗等优点。相比传统的机械硬盘，固态硬盘的读取和写入速度可以提高数倍，可以**提高计算机的运行速度。此外，固态硬盘还具有抗震、耐用、低功耗等优点，可以有效地提高计算机的性能和稳定性。闪存存储器是一种小型、便携式的存储器设备，它通常用于存储数据和文件。闪存存储器具有体积小、重量轻、读取和写入速度快等优点，可以方便地携带和使用。闪存存储器通...