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西安可擦可编程只读存储器原理

来源: 发布时间:2023年02月02日

SRAM的主要用途---主要用于二级高速缓存(Level2Cache)。它利用晶体管来存储数据。与DRAM相比,SRAM的速度快,但在相同面积中SRAM的容量要比其他类型的内存小。SRAM的速度快但昂贵,一般用小容量的SRAM作为更高速CPU和较低速DRAM之间的缓存(cache).SRAM也有许多种,如AsyncSRAM(AsynchronousSRAM,异步SRAM)、SyncSRAM(SynchronousSRAM,同步SRAM)、PBSRAM(PipelinedBurstSRAM,流水式突发SRAM),还有INTEL没有公布细节的CSRAM等。SRAM一般可分为五大部分:存储单元阵列(corecellsarray),行/列地址译码器(decode),灵敏放大器(SenseAmplifier),控制电路(controlcircuit),缓冲/驱动电路(FFIO)。SRAM是静态存储方式,以双稳态电路作为存储单元,SRAM不像DRAM一样需要不断刷新,而且工作速度较快,但由于存储单元器件较多,集成度不太高,功耗也较大。〖千百路科技〗专注存储器芯片系列。西安可擦可编程只读存储器原理

SRAM(静态数据随机存取存储器)主要用于:通用性的商品。asynchronous界面,比如28针32Kx8的chip(一般取名为XXC256),及其相近的商品数比较多16Mbit一片;synchronous界面,一般用作高速缓存(cache)及其它规定突发传送的应用,比较多18Mbit(256Kx72)一片。集成于芯片之内。作为微处理器的RAM或是cache(一般从32bytes到128kilobytes);作为强劲的微控制器的主caches,如x86系列与很多其它CPU(从8kiB到上百万字节数的数量级)。作为寄存器使用。用于特殊的ICs或ASIC(一般在几千字节数量级);用于FPGA与CPLD。


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随着电子存储技术的快速推进,相变存储器、铁电存储器、磁存储器等逐渐引起市场关注。其中,相变存储器应用领域较为广,由于其特殊的存储结构,不但可以提供优良的存储功能,而且还具有很好的抗辐照性能,有望在航天航空领域得到更加广的应用。相变存储器,简称PCM,相变存储器就是利用特殊材料在晶态和非晶态之间相互转化时所表现出来的导电性差异来存储数据的。相变存储器通常是利用硫族化合物在晶态和非晶态巨大的导电性差异来存储数据的一种信息存储装置。

AT24C02芯片是怎么删除所存储的数据?这里分享一些工程师的经验:删除AT24C02的数据只要写255就行了。更具体的方法请详细查证。AT24C02芯片是以IIC接口的EEPROM器件。所谓EEPROM即电可擦除可编程只读存储器,是ROM的一种。它是只读存储器,即掉电可继续存储数据,而同时又可以在高于普通电压的作用下擦除和重写,这就方便了单片机对其的开发,现在电脑上的ROM很多都是用的EEPROM。存储器原理现以DRAM(动态存储器)为例来讲解存储器的工作原理。对动态存储器进行写入操作时,行地址首先将RAS锁存于芯片中,然后列地址将CAS锁存于芯片中,WE有效,写入数据,则写入的数据被存储于指定的单元中。对动态存储器进行读出操作时,CPU首先输出RAS锁存信号,获得数据存储单元的行地址,然后输出CAS锁存信号,获得数据存储单元的列地址,保持WE=1,便可将已知行列地址的存储单元中数据读取出来。千百路科技是一家专注于存储器系列芯片的深圳代理公司。

AT24C02功能描述:支持I2C,总线数据传送协议I2C,总线协议规定任何将数据传送到总线的器件作为发送器。任何从总线接收数据的器件为接收器。数据传送是由产生串行时钟和所有起始停止信号的主器件控制的。主器件和从器件都可以作为发送器或接收器,但由主器件控制传送数据(发送或接收)的模式,由于A0、A1和A2可以组成000~111八种情况,即通过器件地址输入端A0、A1和A2可以实现将比较多8个AT24C02器件连接到总线上,通过进行不同的配置进行选择器件。存储器原厂供货-批零价格优势、质量保障。中山非易失性存储器是什么

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SRAM的类型------非挥发性SRAM(Non-volatileSRAM,nvSRAM)具有SRAM的标准功能,但在失去电源供电时可以保住其数据。非挥发性SRAM用于网络、航天、医疗等需要关键场合—保住数据是关键的而且不可能用上电池。异步SRAM(AsynchronousSRAM)的容量从4Kb到64Mb。SRAM的快速访问使得异步SRAM适用于小型的cache很小的嵌入式处理器的主内存,这种处理器广用于工业电子设备、测量设备、硬盘、网络设备等等。根据晶体管类型分类---双极性结型晶体管(用于TTL与ECL)—非常快速但是功耗巨大。西安可擦可编程只读存储器原理

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