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杭州国产异质结装备供应商

来源: 发布时间:2023年12月26日

异质结(Heterojunction with Intrinsic Thin-layer,HJT)电池为对称的双面结构,主要由 N 型单晶硅片衬底、正面和背面的本征/掺杂非晶硅薄膜层(包括 N 型非晶硅薄膜 n-a-Si:H、本征非晶硅薄膜 i-a-Si:H 和 P 型非晶硅薄膜 p-a-Si:H)、双面的透明导电氧化薄膜(TCO) 层和金属电极构成。其中,本征非晶硅层起到表面钝化作用,P型掺杂非晶硅层为发射层,N 型掺杂非晶硅层起到背场作用。HJT是有潜力优势的技术,在将来HJT电池与钙钛矿技术进行复合叠层,突破转换效率30%成为可能。釜川提供高效异质结电池整线设备湿法制绒设备、PVD、PECVD、电镀铜设备等。杭州国产异质结装备供应商

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异质结太阳能电池使用晶体硅片进行载流子传输和吸收,并使用非晶/或微晶薄硅层进行钝化和结的形成。顶部电极由透明导电氧化物(TCO)层和金属网格组成。异质结硅太阳能电池已经吸引了很多人的注意,因为它们可以达到很高的转换效率,可达26.3%,相关团队对HJT极限效率进行更新为28.5%,同时使用低温度加工,通常整个过程低于200℃。低加工温度允许处理厚度小于100微米的硅晶圆,同时保持高产量。异质结电池转换效率高,拓展潜力大,工艺简单并且降本路线清晰,契合了光伏产业发展的规律,是有潜力的下一代电池技术。苏州高效异质结设备供应商零界高效异质结电池整线解决方案叠加了双面微晶、无银或低银金属化工艺,明显提升了太阳能电池的转换效率。

异质结是由不同材料组成的结构,其中至少有一种材料是半导体材料。根据不同的材料组合方式和结构特点,异质结可以分为以下几种主要类型:结:由p型半导体和n型半导体组成的结构,是常见的异质结。在pn结中,p型半导体和n型半导体的电子浓度和空穴浓度不同,形成了电场,使得pn结具有整流、光电转换等特性。2.Schottky结:由金属和半导体组成的结构,金属为n型或p型半导体提供电子或空穴,形成势垒,使得电子或空穴在两种材料之间流动。Schottky结具有快速开关、高频特性等优点。3.量子阱结:由两种不同带隙能量的半导体材料组成,中间夹着一层非常薄的半导体材料,形成能量势阱。量子阱结具有量子效应,可以用于制造激光器、太阳能电池等器件。4.量子点结:由非常小的半导体颗粒组成,大小通常在1-10纳米之间。量子点结具有量子效应,可以用于制造高效的光电转换器件。5.悬挂门结:由两个不同材料的半导体组成,其中一个半导体材料被刻蚀成一个非常薄的层,形成一个悬挂的结构。悬挂门结具有高灵敏度、低功耗等特点,可以用于制造传感器、存储器等器件。

高效异质结电池整线设备,HWCVD 1、热丝化学气相沉积(HotWireCVD,HWCVD)是利用高温热丝催化作用使SiH4分解来制备非晶硅薄膜,对衬底无损伤,且成膜质量非常好,但镀膜均匀性较差,且热丝作为耗材,成本较高;2、HWCVD一般分为三个阶段,是反应气体在热丝处的分解反应,二是基元向衬底运输过程中的气相反应,第三是生长薄膜的表面反应。PECVD镀膜均匀性较高,工艺窗口宽,对衬底损伤较大。HWCVD是利用高温热丝催化作用使SiH4分解来成膜,对衬底无损伤,且成膜质量好,但镀膜均匀性较差且成本较高。光伏异质结的制造工艺包括薄膜沉积、热处理、光刻等步骤,具有灵活性高、可定制化的优点。

高效异质结电池整线解决方案,TCO的作用:在形成a-Si:H/c-Si异质结后,电池被用一个~80纳米的透明导电氧化物接触。~80纳米薄的透明导电氧化物(TCO)层和前面的金属网格。透明导电氧化物通常是掺有Sn的InO(ITO)或掺有Al的ZnO。通常,TCO也被用来在电池的背面形成一个介电镜。因此,为了理解和优化整个a-Si:H/c-Si太阳能电池,还必须考虑TCO对电池光电性能的影响。由于其高掺杂度,TCO的电子行为就像一个电荷载流子迁移率相当低的金属,而TCO/a-Si:H结的电子行为通常被假定为类似于金属-半导体结。  TCO的功函数对TCO/a-Si:H/c-Si结构中的带状排列以及电荷载流子在异质结上的传输起着重要作用。此外,TCO在大约10纳米薄的a-Si:H上的沉积通常采用溅射工艺;在此,应该考虑到在该溅射工艺中损坏脆弱的a-Si:H/c-Si界面的可能性,并且在工艺优化中必须考虑到。高效异质结电池PECVD设备是制备微晶硅的中心设备,其工艺机理复杂,影响因素众多,需要专业公司制备。广州国产异质结报价

光伏异质结的应用领域不断扩大,包括但不限于家庭、商业、工业、农业等领域。杭州国产异质结装备供应商

HJT电池整线装备,形成洁净硅片表面,由于HJT电池中硅片衬底表面直接为异质结界面的一部分,避免不洁净引进的缺陷和杂质而带来的结界面处载流子的复合。碱溶液浓度较低时,单晶硅的(100)与(111)晶面的腐蚀速度差别比较明显,速度的比值被称为各向异性因子(anisotropicfactorAF);因此改变碱溶液的浓度及温度,可以有效地改变AF,使得在不同方向上的速度不同,在硅片表面形成密集分布的“金字塔”结构的减反射绒面;在制绒工序,绒面大小为主要指标,一般可通过添加剂的选择、工艺配比的变化、工艺温度及工艺时间等来进行调节控制。杭州国产异质结装备供应商