可以是诸如或/与/反相器(oai)或者与/或/反相器(aoi)的复合单元，还可以是诸如主从触发器或锁存器的存储单元。标准单元库可以包括关于多个标准单元的信息。例如，标准单元库可以包括标准单元的名称和功能，以及标准单元的时序信息、功率信息和布图信息。标准单元库可以存储在存储装置中，并且标准单元库可以通过访问存储装置来设置。基于输入数据和标准单元库执行布局和布线(s30)，并且基于布局和布线的结果设置定义集成电路的输出数据(s40)。在一些示例实施例中，当接收的输入数据是诸如通过将集成电路合成而生成的比特流或网表的数据时，输出数据可以是比特流或网表。在其他示例实施例中，当接收的输入数据是定义集成电路的布图的数据(例如，具有图形数据系统ii(gdsii)格式的数据)时，输出数据的格式也可以是定义集成电路的布图的数据。通过图13的方法设计和制造的集成电路可以包括半导体基底、多条栅极线和多条列金属线。如参照图1至图10所述，6n条金属线和4n条栅极线形成单元线路结构，其中，n是正整数并且多个单元线路结构布置在方向上。图14是示出根据示例实施例的集成电路的设计系统的框图。参照图14，设计系统1000可以包括存储介质1100、设计模块1400和处理器1500。回收，就选上海海谷电子有限公司，用户的信赖之选，有想法可以来我司咨询！贵州废弃电子料回收联系方式
在半导体基底200上方形成中间层210、220和230。半导体基底200包括作为半导体晶圆的硅。在各种实施例中，半导体基底200可以包括另一元素半导体(诸如，锗)、化合物半导体(诸如，碳化硅、砷化镓、磷化镓、磷化铟、砷化铟和/或锑化铟)、合金半导体(诸如，gaasp、alinas、algaas、ingaas、gainp和/或gainasp)或它们的组合。半导体基底200可以包括有源区、外延特征、隔离结构、鳍状半 导体区域和/或其他合适的特征。在一些示例实施例中，半导体基底200包括多晶硅层，该多晶硅层可被用于形成多晶硅栅电极或者用于在栅极替换工艺中形成虚设栅电极。中间层210、220和230可以是介电层，可以通过诸如热氧化、化学气相沉积(cvd)、物相沉积(pvd)、等离子体增强cvd(pecvd)和原子层沉积(ald)的一种或更多种沉积技术形成所述介电层。参照图4b，在设置在介电层230上方的层240和层250上方对光致抗蚀剂(或抗蚀剂图案)pr1、pr2和pr3进行图案化。例如，层250可以是含硅硬掩模层，层240可以是抗反射涂层。可以使用cvd、pvd或其他合适的方法形成层240和层250。在一些示例实施例中，可以在介电层230上方直接形成抗蚀剂图案pr1、pr2和pr3而没有层240和层250。河北电子物料回收价格上海海谷电子有限公司致力于提供回收，期待您的光临！
在图5中的具有n＝1的单元线路结构中，存在六条金属线和四条栅极线。图5包括多个单元线路结构，多个单元线路结构包括图5的左侧的单元线路结构以及图5的右侧的第二单元线路结构，第二单元线路结构在x方向(在此也称为方向x)上与单元线路结构相邻，并且第二单元线路结构的形貌与单元线路结构的形貌相同。参照图6，每个单元线路结构uws2的四条栅极线gl1至gl4可以通过sadp形成。如参照图4a至图4i所述，可以在栅极层gtl上方形成双倍心轴图案dpg1和dpg2。标签“dpg”可以理解如下：“d”表示双倍，“p”表示图案，“g”表示栅极。例如，双倍心轴图案dpg1和dpg2可以在方向x上布置成具有可以等于抗蚀剂图案的节距的相同的双倍心轴节距pdg。在这种情况下，每个单元线路结构uws2的四条栅极线gl1至gl4可以在方向x上布置成交替地具有栅极节距pg11和第二栅极节距pg12。栅极节距pg11和第二栅极节距pg12可以由表达式2表示。表达式2pg11＝wdg+wglpg12＝pdg-(wdg+wgl)在表达式2中，wdg表示双倍心轴图案dpg1和dpg2的宽度，wgl表示栅极线gl1至gl4的宽度。参照图7，每个单元线路结构uws3的四条栅极线gl1至gl4可以通过saqp形成。如参照图4a至图4i所述。
在多个底电极通孔正上方形成多个mtj器件。多个mtj器件包括工作mtj器件和一个或多个调节mtj器件。图10示出了对应于步骤1306的一些实施例的截面图1000。在步骤1308中，在多个mtj器件正上方形成多个顶电极通孔。图11示出了对应于步骤1308的一些实施例的截面图1100。在步骤1310中，在多个顶电极通孔上方形成具有多个互连结构的第二互连层。多个互连结构限定位线和一条或多条字线。图11示出了对应于步骤1310的一些实施例的截面图1100。步骤1302至1310在衬底上方形成存储单元。在一些实施例中，可以重复步骤1302至1310(如步骤1312所示)以在存储单元上方形成第二存储单元。图12示出了对应于步骤1312的一些实施例的截面图1200。虽然方法1300描述了包括具有调节访问装置(包括mtj器件)的存储单元(例如，mram单元)的方法存储器电路，但是应该理解，在其它实施例中，调节装置可以包括电阻器(例如，薄膜电阻器)。在这样的实施例中，工作mtj器件可以通过组操作(在步骤1306中)形成，而包括电阻器的调节装置可以通过第二组单独的操作(在步骤1306和步骤1308之间发生)形成。例如，在工作mtj的形成(在步骤1306中)之后，可以通过一个或多个沉积和蚀刻工艺形成电阻器。因此，在一些实施例中。回收，就选上海海谷电子有限公司。
导电覆盖层可以由金属氮化物(例如，tin、tan、它们的组合等)形成。间隙填充金属层可以填充有源区ac之间的空间并且在导电覆盖层上延伸。间隙填充金属层可以由w(例如，钨)层形成。间隙填充金属层可以例如通过使用ald方法、cvd方法或物相沉积(pvd)方法形成。多个导电接触件ca和cb可以位于有源区ac上的层ly1上。多个导电接触件ca和cb包括连接到有源区ac的源区/漏区116的多个接触件ca21、22、23、24、25、31、32、33、34和35(参见图12b)和连接到栅极线pc11、12、13、14、15和16的多个第二接触件cb41、42和43(参见图12a和12c)。多个导电接触件ca和cb可以通过覆盖有源区ac和栅极线pc的层间绝缘层132彼此绝缘。多个导电接触件ca和cb可以具有与层间绝缘层132的上表面基本处于同一水平处的上表面。层间绝缘层132可以是氧化硅层。第二层间绝缘层134和穿过第二层间绝缘层134的多个下通孔接触件v051、52、53、54、55、56、57、58、59、60、61和62位于层间绝缘层132上。第二层间绝缘层134可以是氧化硅层。在高于层ly1(例如，沿着第三方向z距基底110更远)的第二层ly2上沿方向x延伸的多条线路m171、72、73、74、75、76、77和78可以位于第二层间绝缘层134上。上海海谷电子有限公司致力于提供回收，有想法的不要错过哦！福建集成电路回收行情
上海海谷电子有限公司致力于提供回收，竭诚为您服务。贵州废弃电子料回收联系方式
根据示例实施例的集成电路以及制造和设计所述集成电路的方法可以通过单元线路结构uws1至uws6来提高集成电路的设计效率和性能。在下文中，参照可以支持根据示例实施例的集成电路的布图的理解的图11、图12a、图12b和图12c描述标准单元的示例结构。图11实质上是示意的，图11中未示出上述实施例的所有特征。图2示出在一些实施例中金属线“ml”相对于栅极线“gl”以6比4的比率出现。 图5和图7示出单个单元线路结构(uws)中存在六条金属线和四条栅极线的实施例。图8示出在具有八条栅极线(“gl”)的单个单元线路结构(uws)中存在十二条金属线(“ml”)的实施例。图11是示出示例标准单元的布图的示图，图12a、12b和12c是图11的标准单元的截面图。图12a、12b和12c示出包括鳍式场效应晶体管(finfet)的标准单元scl的一部分。图12a是图11的标准单元scl沿线a-a的截面图。图12b是图11的标准单元scl沿b-b线的截面图。图12c是图11的标准单元scl沿线c-c的截面图。参照图11、图12a、图12b和图12c，标准单元可以形成在具有上表面110a的基底110上，该上表面110a在水平方向(例如，方向x和第二方向y)上延伸。在一些示例实施例中，基底110可以包括例如硅(si)、锗。贵州废弃电子料回收联系方式
上海海谷电子有限公司一直专注于上海海谷电子有限公司是一家从事电子元器件回收与销售的公司。公司拥有专业的技术团队和雄厚的经济实力，可提供全国各地上门服务、**评估，工厂呆滞的电子元器件库存回收。 我司长期回收各类呆滞电子元器件库存，包括芯片，内存，CPU，电容，电阻，二、三极管，电感，晶振，继电器，开关等。长期一站式高价，回收工厂呆滞库存。，是一家电子元器件的企业，拥有自己**的技术体系。目前我公司在职员工以90后为主，是一个有活力有能力有创新精神的团队。诚实、守信是对企业的经营要求，也是我们做人的基本准则。公司致力于打造***的电子元件回收，电子料回收，呆滞料回收，电子物料回收。一直以来公司坚持以客户为中心、电子元件回收，电子料回收，呆滞料回收，电子物料回收市场为导向，重信誉，保质量，想客户之所想，急用户之所急，全力以赴满足客户的一切需要。