电子元器件基础知识（1）——电阻导电体对电流的阻碍作用称为电阻，用符号R表示，单位为欧姆、千欧、兆欧，分别用Ω、KΩ、MΩ表示。一、电阻的型号命名方法：国产电阻器的型号由四部分组成（不适用敏感电阻）部分：主称，用字母表示，表示产品的名字。如R表示电阻，W表示电位器。第二部分：材料，用字母表示，表示电阻体用什么材料组成，T-碳膜、H-合成碳膜、S-有机实心、N-无机实心、J-金属膜、Y-氮化膜、C-沉积膜、I-玻璃釉膜、X-线绕。第三部分：分类，一般用数字表示，个别类型用字母表示，表示产品属于什么类型。1-普通、2-普通、3-超高频、4-高阻、5-高温、6-精密、7-精密、8-高压、9-特殊、G-高功率、T-可调。第四部分:序号，用数字表示，表示同类产品中不同品种，以区分产品的外型尺寸和性能指标等例如：RT11型普通碳膜电阻电子元器件基础知识（2）——电容电容是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于隔直，耦合，旁路，滤波，调谐回路，能量转换，控制电路等方面。用C表示电容，电容单位有法拉（F）、微法拉（uF）、皮法拉（pF）,1F=10^6uF=10^12pF电容器的型号命名方法国产电容器的型号一般由四部分组成（不适用于压敏、可变、真空电容器）。上海海谷电子有限公司为您提供电子元器件回收，有想法可以来我司咨询！北京废弃电子元器件回收服务
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有力促进其规模化应用。此外物联网、智能化等领域的发展还推动了智能医疗、智慧交通等领域的快速发展近几年由于下游需求的上涨，行业在现有产能的情况下2017年在缺货领域开始涨价，这也从侧面反映出我国新型电子元器件行业市场需求的旺盛。二、2018-2023年我国新型电子元器件市场需求预测5G不*自身具有巨大的产业价值，还能带动芯片、器件、材料、软件等多种基础产业的快速发展。5G将与互联网、物联网以及工业、交通、医疗等行业应用融合地更加紧密，进而推动新一轮的产业创新浪潮。在三网融合建设中，无论是网络设备还是终端设备都离不开各种元器件。在三网融合建设中，无论是网络设备还是终端设备都离不开各种元器件。网络的改造升级、终端设备的多样化设计都要依托关键元器件技术的革新。建设高速铁路，需要现代化的路网指挥系统、现代化的高速机车，这些都和电子元器件尤其是大功率电力电子器件密不可分。随着新能源的应用，对环保节能型电子元器件产品的需求也将越来越大。这都为相关的元器件企业提供了巨大的市场机遇。但是，目前我国的电子元器件产品，无论技术还是规模都不足以支撑起这些新兴产业的发展。
为了提高电子产品的可靠性，合理的热设计是必不可少的。在合理的热设计中，除散热结构设计外，选用耐热性能良好的电子元器件也是十分关键的。电子元器件的耐热性能包括耐工作温度和耐焊接温度两个方面。①温度对真空元器件的影响。过高的温度对真空元器件玻璃壳和内部结构均有不良的影响。温度过高会使玻璃壳因热应力而损坏，同时也能使管内的气体电离，电离后的离子将轰击阴极，破坏其镀层，导致发射率下降，加速老化，缩短其工作寿命。因此，真空元器件的玻璃壳温度不得超过150～200℃。②温度对功率器件的影响。功率器件的结温是由功率器件的耗散功率、环境温度及散热情况决定的，而功率器件结温对其工作参数及可靠性有很大的影响：●功率器件的电流放大倍数随结温的升高而增大，这将引起工作点的漂移，增益不稳定，可能造成多级放大器自激或振荡器频率不稳定等不良后果。●当功率器件的结温升高时，会使穿透电流和电流放大倍数迅速增加，集电极电流的增大促使结温进一步升高，而结温升高又使电流进一步增大，终导致元器件被“热击穿”。为了防止热击穿，功率器件的结温不宜过高。③温度对电阻的影响。温度的升高会导致电阻的使用功率下降。如RTX型碳膜电阻。上海海谷电子有限公司是一家专业提供电子元器件回收的公司，有想法的可以来电咨询！
常见的A/D、D/A器件有8位，10位，12位，14位，16位等。2)速度：应根据输入信号的高频率来确定，保证转换器的转换速率要高于系统要求的采样频率，满足Nyquist采样定理。3)通道：确认A/D转换需要的通道数量，多路采样的模式，并行还是串行。4)数字接口方式：接口有并行/串行之分，串行又有SPI、I2C、SM等多种不同标准。数值编码通常是二进制，也有BCD（二~十进制）、双极性的补码、偏移码等，推荐SPI和I2C接口。5)模拟信号类型：通常AD器件的模拟输入信号都是电压信号，而D/A器件输出的模拟信号有电压和电流两种。6)极性：根据信号是否过零，还分成单极性（Unipolar）和双极性（Bipolar），优先选择单极性芯片。7)电源电压：有单电源，双电源和不同电压范围之分，早期的A/D、D/A器件要有+15V/-15V，如果选用单+5V电源的芯片则可以使用单片机系统电源，推荐5V供电电压。8)量程确认输入信号在A/D芯片的量程范围内，并能充分利用的量程。9)基准电压：有内、外基准和单、双基准之分，优先有内部基准的芯片。10)功耗：一般CMOS工艺的芯片功耗较低，对于电池供电的手持系统对功耗要求比较高的场合一定要注意功耗指标。11)封装：禁止选用DIP封装，只使用贴片封装。12)/保持。上海海谷电子有限公司是一家专业提供电子元器件回收的公司，期待您的光临！苏州电子元器件回收服务
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属于P沟道场效应管，黑表笔所接的也是栅极G。若不出现上述情况，可以调换红、黑表笔，按上述方法进行测试，直至判断出栅极为止。一般结型场效应管的源极与漏极在制造时是对称的，所以，当栅极G确定以后，对于源极S、漏极D不一定要判别，因为这两个极可以互换使用。源极与漏极之间的电阻为几千欧。7．三极管电极的判别对于一只型号标示不清或无标志的三极管，要想分辨出它们的三个电极，也可用万用表测试。先将万用表量程开关拨在R×100或R×lk电阻挡上。红表笔任意接触三极管的一个电极，黑表笔依次接触另外两个电极，分别测量它们之间的电阻值，若测出均为几百欧低电阻时，则红表笔接触的电极为基极b，此管为PNP管。若测出均为几十至上百千欧的高电阻时，则红表笔接触的电极也为基极b，此管为NPN管。在判别出管型和基极b的基础上，利用三极管正向电流放大系数比反向电流放大系数大的原理确定集电极。任意假定一个电极为c极，另一个电极为e极。将万用表量程开关拨在R×1k电阻挡上。对于PNP管，令红表笔接c极，黑表笔接e极，再用手同时捏一下管子的b、c极，但不能使b、c两极直接相碰，测出某一阻值。然后两表笔对调进行第二次测量，将两次测的电阻相比较，对于PNP型管。北京废弃电子元器件回收服务
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