实施例提供了许多可以在各种具体环境中实施的可应用的发明概念。所讨论的具体实施例说明制造和使用实施例的具体方式，并不限制本公开的范围。在各个视图和说明性实施例中，相同的附图标记经配置以表示相同的元件。现在将详细参考附图中所示的示例性实施例。只要可能，在附图和说明书中使用相同的附图标记表示相同或相似的部分。在附图中，为了清楚和方便，可夸大形状和厚度。该描述将特别针对形成根据本公开的装置的一部分或更直接地与其配合的元件。应该理解，未具体示出或描述的元件可以采用各种形式。贯穿本说明书对“一些实施例”或“实施例”的引用意味着结合该实施例描述的特定特征、结构或特性包括在至少一个实施例中。因此，贯穿本说明书在各个地方出现的短语“在一些实施例中”或“在实施例中”不一定指代相同的实施例。此外，特定特征、结构或特性可以在一个或多个实施例中以任何合适的方式组合。在附图中，相同的附图标记经配置以在各个视图中指示相同或相似的元件，并且示出和描述了本发明的说明性实施例。附图不一定按比例绘制，并且在一些情况下，附图已被夸大及/或简化，经配置以说明目的。基于以下本发明的说明性实施例。回收，就选上海海谷电子有限公司，用户的信赖之选，有需要可以联系我司哦！上海三极管回收行情
在图5中的具有n＝1的单元线路结构中，存在六条金属线和四条栅极线。图5包括多个单元线路结构，多个单元线路结构包括图5的左侧的单元线路结构以及图5的右侧的第二单元线路结构，第二单元线路结构在x方向(在此也称为方向x)上与单元线路结构相邻，并且第二单元线路结构的形貌与单元线路结构的形貌相同。参照图6，每个单元线路结构uws2的四条栅极线gl1至gl4可以通过sadp形成。如参照图4a至图4i所述，可以在栅极层gtl上方形成双倍心轴图案dpg1和dpg2。标签“dpg”可以理解如下：“d”表示双倍，“p”表示图案，“g”表示栅极。例如，双倍心轴图案dpg1和dpg2可以在方向x上布置成具有可以等于抗蚀剂图案的节距的相同的双倍心轴节距pdg。在这种情况下，每个单元线路结构uws2的四条栅极线gl1至gl4可以在方向x上布置成交替地具有栅极节距pg11和第二栅极节距pg12。栅极节距pg11和第二栅极节距pg12可以由表达式2表示。表达式2pg11＝wdg+wglpg12＝pdg-(wdg+wgl)在表达式2中，wdg表示双倍心轴图案dpg1和dpg2的宽度，wgl表示栅极线gl1至gl4的宽度。参照图7，每个单元线路结构uws3的四条栅极线gl1至gl4可以通过saqp形成。如参照图4a至图4i所述。海南呆滞料回收处理上海海谷电子有限公司致力于提供回收，有需求可以来电咨询！
和/或金属线ml1至ml6n中的至少一条可以被切割为金属段。如图2和图3中所示，6n条金属线ml1至ml6n和4n条栅极线gl1至gl4n可以形成单元线路结构uws，并且多个单元线路结构uws可以布置在方向x上。多条金属线ml1至ml6n之中的在方向x上顺序地相邻的每三条金属线之间的两个金属节距可以彼此不同。例如，在方向x上相邻的金属线ml1、第二金属线ml2和第三金属线ml3之间的金属节距pma和第二金属节距pmb可以彼此不同。以相同的方式，在方向x上相邻的第二金属线ml2、第三金属线ml3和第四金属线ml4之间的第二金属节距pmb和第三金属节距pmc可以彼此不同。金属节距pma和第三金属节距pmc可以彼此相同或不同。在一些示例实施例中，每个单元线路结构uws可以包括六条金属线和四条栅极线。在这种情况下，每个单元线路结构uws的六条金属线可以通过sadp形成。下面将参照图5、图6和图7描述sadp的示例实施例。在一些示例实施例中，每个单元线路结构uws可以包括十二条金属线和八条栅极线。在这种情况下，每个单元线路结构uws的十二条金属线可以通过saqp形成。下面将参照图8、图9和图10描述saqp的示例实施例。通常，多个导电层可以布置在栅极层gtl上方。
但这个发展速度也是非常惊人的。集成电路是一门高科技，它促进了很多门学科的发展，包括自动化、装备生产、精密仪器、微细加工等产业。1美金的芯片所能带动的GDP相当于100美金，而全世界一年的芯片产值所撬动的GDP，相当于中国和美国的GDP之和，而且，这个产业对我们国家的信息安全具有非常重要的作用。中国的芯片市场占了全世界的，是世界上大的芯片需求市场，但自给率却不到10%。从2008年开始，我国的集成电路进口占据了进口商品中大的一部分，甚至超过了石油和粮食。目前，我国集成电路生产技术还比较落后，面临着巨大的挑战。首先，为了降低成本，我们要尽量在单位面积上制造出更多的晶体管，缩小电路板面积。其次，努力提高集成电路的运算速度，这关乎我们所使用的电脑、手机的运算速度。第三，要保证产品性能稳定，保证足够的成品率，避免漏电太大，影响手机等电子设备的续航时间。第四，我们的新兴产品要尽快进入市场，这样才能保证产品有足够的盈利空间，保证充足的资金继续做下一代研发。半导体、晶体管和集成电路技术，通过微型化、自动化、计算机化和机器人化，将从根本上改变人类的生活方式。微电子技术的奥秘。回收，就选上海海谷电子有限公司，让您满意，欢迎新老客户来电！
ge)等的半导体或者例如sige、sic、gaas、inas、inp等的化合物半导体。在一些示例实施例中，基底110可以具有绝缘体上硅(soi)结构。基底110可以包括导电区域，例如，掺杂杂质的阱或掺杂杂质的结构。标准单元可以包括器件区rx1、第二器件区rx2以及使器件区rx1和第二器件区rx2沿第二方向y分离的有源切口区acr。器件区rx1和第二器件区rx2中的每个可以包括从基底110沿第三方向z突出的多个鳍型有源区ac(参见图12c)。多个有源区ac可以在方向x上彼此平行地延伸。器件隔离层112可以沿着第二方向y在基底110上位于多个有源区ac之间。多个有源区ac以鳍的形式沿着第三方向z从器件隔离层112突出。多个栅极绝缘层118和多条栅极线pc11、12、13、14、15和16可以形成在基底110上。栅极线pc11、12、13、14、15和16可以在与多个有源区ac交叉的第二方向y上延伸。多个栅极绝缘层118和多条栅极线pc11、12、13、14、15和16可以覆盖每个有源区ac的上表面和侧壁以及器件隔离层112的上表面。多个金属氧化物半导体(mos)晶体管可以沿着多条栅极线pc11、12、13、14、15和16形成。mos晶体管可以具有在有源区ac的上表面和两个侧壁中形成沟道的三维结构。图11提供了图例：“pc”表示栅极线，“ca”表示接触件。回收，就选上海海谷电子有限公司，让您满意，欢迎您的来电哦！上海电子料上门回收公司
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如果与栅极线布置在相同方向上的金属线的节距与栅极线的节距不同，则一些金属轨道由于由不同的节距引起的混叠而不可用，并且设计受到限制。为了解决这些问题，示例实施例提供了在同一方向上延伸的栅极线和金属线的有效线路结构，以便使在制造工艺中设置的栅极线和金属线的资源大化。根据示例实施例的集成电路以及制造和设计所述集成电路的方法可以通过单元线路结构来提高集成电路的设计效率和性能。上述导电层可以称为列导电层，上述金属线可以称为列金属线。列金属线可以是在某一方向上(例如，在第二方向上)延伸的金属线，并且“列”不限于特定方向。图2是根据示例实施例的集成电路的截面图，图3是根据示例实施例的集成电路的图。参照图2和图3，集成电路包括半导体基底(未示出)、多条栅极线gl1至gl4n和多条金属线ml1至ml6n。多条栅极线gl1至gl4n形成在半导体基底上方的栅极层gtl中。多条栅极线gl1至gl4n布置在方向x上并在垂直于方向x的第二方向y上延伸。多条金属线ml1至ml6n形成在栅极层gtl上方的列导电层ccl中。多条金属线ml1至ml6n布置在方向x上并在第二方向y上延伸。栅极线gl1至gl4n中的至少一条可以被切割为栅极段。上海三极管回收行情
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