在多个底电极通孔正上方形成多个mtj器件。多个mtj器件包括工作mtj器件和一个或多个调节mtj器件。图10示出了对应于步骤1306的一些实施例的截面图1000。在步骤1308中，在多个mtj器件正上方形成多个顶电极通孔。图11示出了对应于步骤1308的一些实施例的截面图1100。在步骤1310中，在多个顶电极通孔上方形成具有多个互连结构的第二互连层。多个互连结构限定位线和一条或多条字线。图11示出了对应于步骤1310的一些实施例的截面图1100。步骤1302至1310在衬底上方形成存储单元。在一些实施例中，可以重复步骤1302至1310(如步骤1312所示)以在存储单元上方形成第二存储单元。图12示出了对应于步骤1312的一些实施例的截面图1200。虽然方法1300描述了包括具有调节访问装置(包括mtj器件)的存储单元(例如，mram单元)的方法存储器电路，但是应该理解，在其它实施例中，调节装置可以包括电阻器(例如，薄膜电阻器)。在这样的实施例中，工作mtj器件可以通过组操作(在步骤1306中)形成，而包括电阻器的调节装置可以通过第二组单独的操作(在步骤1306和步骤1308之间发生)形成。例如，在工作mtj的形成(在步骤1306中)之后，可以通过一个或多个沉积和蚀刻工艺形成电阻器。因此，在一些实施例中。上海海谷电子有限公司是一家专业提供电子料回收的公司，欢迎新老客户来电！湖北电子料库存回收
每个单元线路结构的六条列金属线ml1至ml6可以在方向x上布置成交替地具有金属节距pm11和第二金属节距pm12。金属节距pm11和第二金属节距pm12可以由表达式1表示。表达式1pm11＝wdm+wmlpm12＝pdm-(wdm+wml)在表达式1中，wdm表示双倍心轴图案dpm1、dpm2和dpm3的宽度，wml表示列金属线ml1至ml6的宽度。在形成列金属线ml1至ml6之前，可以在列导电层ccl下方的栅极层gtl中形成针对每个单元线路结构的四条栅极线gl1至gl4。参照图5，每个单元线路结构uws1的四条栅极线gl1至gl4可以通过单图案化形成。在这种情况下，每个单元线路结构uws1的四条栅极线gl1至gl4可以在方向x上布置成具有相等的栅极节距pg1。栅极节距pg1可以等于通过曝光工艺形成的抗蚀剂图案的节距。图5示出了均具有相同的布图或相同的形貌(topography)的两个单元线路结构：左侧的一个被标识为uws1，在x轴上向右侧移位的一个也被标识为uws1。图5的左侧的uws1内的空间关系与右侧的uws1内的空间关系相同。空间关系包括gtl中的gl1、gl2、gl3、gl4之间的节距以及ccl中的ml1、ml2、ml3、ml4、ml5、ml6之间的节距还有ccl和gtl中的特征之间的相对节距。图5表示其中存在6n条金属线和4n条栅极线的通常示例。高价电子元器件回收价格上海海谷电子有限公司致力于提供电子料回收，竭诚为您服务。
所述多条金属线之中的在方向上顺序地相邻的每三条金属线之间的两个金属节距彼此不同。在所述方法的一些实施例中，所述多条金属线通过自对准双倍图案化(sadp)或自对准四倍图案化(saqp)形成。还在所述方法的一些实施例中，单元线路结构是未被划分为至少两个相等的子线路结构的小单元结构。此外，提供一种设计集成电路的方法，所述方法包括：接收定义集成电路的输入数据；设置包括多个标准单元的标准单元库；基于输入数据和标准单元库执行布局和布线；以及基于布局和布线的结果生成定义集成电路的输出数据，其中，所述集成电路包括：半导体基底，多条栅极线，形成在半导体基底上方的栅极层中，所述多条栅极线布置在方向上并且在垂直于方向的第二方向上延伸，以及多条金属线，形成在栅极层上方的导电层中，所述多条金属线布置在方向上并且在第二方向上延伸。在所述方法的一些实施例中，所述多条金属线中的6n条金属线和所述多条栅极线中的4n条栅极线形成单元线路结构，n是正整数，并且多个单元线路结构布置在方向上。根据示例实施例，一种集成电路包括：半导体基底、多条栅极线和多条金属线。所述多条栅极线形成在半导体基底上方的栅极层中，其中。
在图5中的具有n＝1的单元线路结构中，存在六条金属线和四条栅极线。图5包括多个单元线路结构，多个单元线路结构包括图5的左侧的单元线路结构以及图5的右侧的第二单元线路结构，第二单元线路结构在x方向(在此也称为方向x)上与单元线路结构相邻，并且第二单元线路结构的形貌与单元线路结构的形貌相同。参照图6，每个单元线路结构uws2的四条栅极线gl1至gl4可以通过sadp形成。如参照图4a至图4i所述，可以在栅极层gtl上方形成双倍心轴图案dpg1和dpg2。标签“dpg”可以理解如下：“d”表示双倍，“p”表示图案，“g”表示栅极。例如，双倍心轴图案dpg1和dpg2可以在方向x上布置成具有可以等于抗蚀剂图案的节距的相同的双倍心轴节距pdg。在这种情况下，每个单元线路结构uws2的四条栅极线gl1至gl4可以在方向x上布置成交替地具有栅极节距pg11和第二栅极节距pg12。栅极节距pg11和第二栅极节距pg12可以由表达式2表示。表达式2pg11＝wdg+wglpg12＝pdg-(wdg+wgl)在表达式2中，wdg表示双倍心轴图案dpg1和dpg2的宽度，wgl表示栅极线gl1至gl4的宽度。参照图7，每个单元线路结构uws3的四条栅极线gl1至gl4可以通过saqp形成。如参照图4a至图4i所述。电子料回收哪家好，请选择上海海谷电子有限公司，用户的信赖之选！
虽然关于具有调节mtj器件的调节访问装置描述了图2至图8b中示出的操作和/或装置，但是应该理解，公开的存储单元不限于这样的实施例。而且，在可选实施例中，图2至图8b的操作和/或装置可以实施和/或包括具有调节薄膜电阻器(例如，包括钽、氮化钽、钛、钨等)的调节访问装置。图9至图12示出了形成具有存储器电路的集成芯片的方法的一些实施例的截面图900至1200，该存储器电路包括存储单元(例如，mram单元)，各存储单元具有被配置为选择性地对工作mtj器件提供访问的调节访问装置。虽然关于方法描述了图9至图12，但是应该理解，图9至图12中公开的结构不限于这种方法，而且可以作为于该方法的结构而单独存在。如图9的截面图900所示，在衬底402上方形成互连层406a。在一些实施例中，通过在衬底402上方形成层间介电(ild)层904来形成互连层406a。在一些实施例中，ild层904可以通过一个或多个附加介电层902与衬底402分隔开。图案化ild层904以限定沟槽906。在一些实施例中，可以通过在ild层904上方形成图案化的掩模层(未示出)并且实施蚀刻工艺来去除ild层904的未由图案化的掩模层覆盖的各部分来图案化ild层904。在沟槽906内形成导电材料，以及随后是平坦化工艺(例如。电子料回收，请选择上海海谷电子有限公司，让您满意，欢迎新老客户来电！湖南高价电子元器件回收平台
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所述主板的下方安装有信号接头，所述主板的边角处装设有减震螺栓，所述减震螺栓的下方焊接有支撑杆，所述支撑杆的内部安装有紧固螺栓，所述紧固螺栓的下方套设有连杆，所述连杆的上方安装有线夹。的，所述散热板为鳍形设计。的，所述橡胶塞为方形设计，所述橡胶塞镶嵌在隔线板内部均匀开设的方形通孔内。的，所述信号接头包括母头、卡扣和，所述母头的两侧设置有卡扣，所述卡扣的底端焊接在的上方，所述母头焊接在主板的底部，所述连接在信号线上。的，所述减震螺栓包括螺杆、弹簧、垫片、第二垫片、第二弹簧和限位块，所述螺杆的顶部套设有弹簧，所述弹簧的下方焊接有垫片，所述垫片的下方安装有第二垫片，所述第二垫片的下方焊接有第二弹簧，所述第二弹簧的下方焊接在限位块的顶端，所述减震螺栓共设置有四组，且四组所述减震螺栓分别安装在主板的四个边角上。的，所述支撑杆共设置有两组，两组所述支撑杆的两端分别焊接在减震螺栓的下方，所述支撑杆的内部开设有滑槽，所述连杆通过紧固螺栓与支撑杆构成滑动结构。的，所述线夹共设置有三组，且三组所述线夹通过转动轴连接在连杆的上方，所述线夹通过转动轴与连杆构成转动结构。与现有技术相比。湖北电子料库存回收
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