同样的附图标记始终表示同样的元件。可以省略重复的描述。在下文中，在三维空间中使用方向x、第二方向y和第三方向z描述根据示例实施例的集成电路的结构。方向x可以是行方向，第二方向y可以是列方向，第三方向z可以是竖直方向。方向x、第二方向y和第三方向z可以交叉，例如，可以彼此正交或垂直。图1是示出制造集成电路的方法的流程图。参照图1，在半导体基底上方的栅极层中形成多条栅极线，其中，所述多条栅极线布置在方向上并且在垂直于方向的第二方向上延伸(s100)。在栅极层上方的导电层中形成多条金属线，其中，所述多条金属线布置在方向上并且在第二方向上延伸，使得6n条金属线和4n条栅极线形成单元线路结构，其中，n是正整数，并且多个单元线路结构布置在方向上(s200)。根据示例实施例，可以通过自对准双倍图案化(sadp)或自对准四倍图案化(saqp)形成多条金属线。sadp和saqp是制造技术。此外，根据示例实施例，可以通过单图案化(即，直接图案化)、sadp或saqp形成多条栅极线。单图案化也是制造技术。下面将参照图4a至图4i描述单图案化、sadp和saqp。在一些实施例中，单元线路结构对应于未被划分为至少两个相等的子线路结构的小单元结构。在一些示例实施例中。上海海谷电子有限公司为您提供电子料回收，欢迎您的来电哦！甘肃集成电路回收行情
图2是图1的俯视方向示意图。附图标记列示如下：1-芯板；2-上覆铜层；3-下覆铜层；4-磁环；5-第二磁环；6-第三磁环；7-环形槽；8-第二环形槽；9-第三环形槽；10-环初级绕组外过孔；11-环初级绕组内过孔；12-环次级绕组内过孔；13-环次级绕组外过孔；14-第二环初级绕组外过孔；15-第二环初级绕组内过孔；16-第二环次级绕组内过孔；17-第二环次级绕组外过孔；18-第三环初级绕组外过孔；19-第三环初级绕组内过孔；20-第三环次级绕组内过孔；21-第三环次级绕组外过孔。具体实施方式下面结合附图(图1-图2)对本发明进行说明。图1是实施本发明一种集成电路基板的结构示意图，图1表现的是截面结构。图2是图1的俯视方向示意图。如图1至图2所示，一种集成电路基板，包括基板本体，所述基板本体中包括覆铜芯板，所述覆铜芯板包括芯板1和结合于芯板1表面的上覆铜层2以及结合于芯板1底面的下覆铜层3，所述芯板1上设置有开口朝上的环形槽(例如环形槽7；第二环形槽8；第三环形槽9)，所述开口延伸至所述上覆铜层2之外。所述环形槽为控深铣槽(即采用铣削工艺并控制槽深，保持一定的槽底厚度)，所述开口位于所述上覆铜层的部分为蚀刻开口(例如，蚀刻铜箔。甘肃集成电路回收行情电子料回收，请选择上海海谷电子有限公司，用户的信赖之选，欢迎您的来电哦！
可以在栅极层gtl上方顺序地形成四倍心轴图案qpg以及双倍心轴图案dpg1和dpg2。例如，四倍心轴图案qpg可以在方向x上布置成具有可以等于抗蚀剂图案的节距的相同的四倍心轴节距pqg。在这种情况下，每个单元线路结构uws3的四条栅极线gl1至gl4可以在方向x上布置成顺序地具有栅极节距pg21、第二栅极节距pg22、栅极节距pg21和第三栅极节距pg23。在一些实施例中，第三栅极节距pg23是距下一个单元线路结构的距离。栅极节距pg21、第二栅极节距pg22和第三栅极节距pg23可以彼此不同。栅极节距pg21、第二栅极节距pg22和第三栅极节距pg23可以由表达式3表示。表达式3pg21＝wdg+wglpg22＝wqg-wglpg23＝pqg-(wqg+2wdg+wgl)在表达式3中，wdg表示双倍心轴图案dpg1和dpg2的宽度，wqg表示四倍心轴图案qpg的宽度，wgl表示栅极线gl1至gl4的宽度。在下文中，将参照图8、图9和图10描述通过saqp形成多条列金属线的示例实施例。参照图8、图9和图10，单元线路结构uws4、uws5和uws6中的每个可以包括分别布置在方向x上的十二条列金属线ml1至ml12和八条栅极线gl1至gl8。如参照图4a至图4i所述，可以在列导电层ccl上方顺序地形成四倍心轴图案qpm1、qpm2和qpm3以及双心轴图案dpm1至dmp6。例如。
化学机械平坦化工艺)以形成互连层406a。在各个实施例中，衬底402可以是任何类型的半导体主体(例如，硅、sige、soi等)，诸如半导体晶圆和/或晶圆上的一个或多个管芯，以及任何与其相关的其它类型的半导体和/或外延层。在一些实施例中，ild层904可以包括一种或多种介电材料，诸如二氧化硅(sio2)、sicoh、氟硅酸盐玻璃、磷酸盐玻璃(例如，硼磷硅酸盐玻璃)等。在一些实施例中，导电材料可以包括通过沉积工艺(例如，cvd、pvd、pe-cvd、ald等)形成的金属(例如，钨、铝等)。在各个实施例中，互连层406a可以是互连线层、第二互连层、第三互连线层或更高金属互连线层。如图10的截面图1000所示，在互连层406a的上表面上方形成多个底电极通孔408。多个底电极通孔408由介电层1002围绕。在一些实施例中，介电层1002可以沉积在互连层406a上方，并且然后选择性地被图案化以限定底电极通孔开口。然后通过在底电极通孔开口内的沉积工艺形成多个底电极通孔408。在各个实施例中，介电层1002可以包括碳化硅、富硅氧化物、teos(正硅酸乙酯)等的一种或多种。在各个实施例中，多个底电极通孔408可以包括导电材料，诸如钛、氮化钛、钽等。在多个底电极通孔408上方形成多个mtj器件106、204和206。上海海谷电子有限公司是一家专业提供电子料回收的公司，有想法的不要错过哦！
如果与栅极线布置在相同方向上的金属线的节距与栅极线的节距不同，则一些金属轨道由于由不同的节距引起的混叠而不可用，并且设计受到限制。为了解决这些问题，示例实施例提供了在同一方向上延伸的栅极线和金属线的有效线路结构，以便使在制造工艺中设置的栅极线和金属线的资源大化。根据示例实施例的集成电路以及制造和设计所述集成电路的方法可以通过单元线路结构来提高集成电路的设计效率和性能。上述导电层可以称为列导电层，上述金属线可以称为列金属线。列金属线可以是在某一方向上(例如，在第二方向上)延伸的金属线，并且“列”不限于特定方向。图2是根据示例实施例的集成电路的截面图，图3是根据示例实施例的集成电路的图。参照图2和图3，集成电路包括半导体基底(未示出)、多条栅极线gl1至gl4n和多条金属线ml1至ml6n。多条栅极线gl1至gl4n形成在半导体基底上方的栅极层gtl中。多条栅极线gl1至gl4n布置在方向x上并在垂直于方向x的第二方向y上延伸。多条金属线ml1至ml6n形成在栅极层gtl上方的列导电层ccl中。多条金属线ml1至ml6n布置在方向x上并在第二方向y上延伸。栅极线gl1至gl4n中的至少一条可以被切割为栅极段。电子料回收，请选择上海海谷电子有限公司，让您满意，欢迎您的来电哦！辽宁二极管回收行情
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调节)提供给工作mtj器件的电流来选择性地对工作mtj器件提供访问。通过使用调节访问装置来选择性地对存储器阵列内的工作mtj器件提供访问，可以减小存储器阵列内的存储单元(例如，mram单元)的尺寸，因为该尺寸不再取决于驱动晶体管的尺寸。图1示出了具有调节访问装置的存储器电路100的一些实施例的示意图，该调节访问装置被配置为选择性地对工作mtj器件提供访问。存储器电路100包括具有多个存储单元104a,1至104b,2的存储器阵列102。多个存储单元104a,1至104b,2以行和/或列布置在存储器阵列102内。例如，行存储单元包括存储单元104a,1和104a,2，而列存储单元包括存储单元104a,1和104b,1。在一些实施例中，多个存储单元104a,1至104b,2可以包括多个mram单元。多个存储单元104a,1至104b,2(例如，mram单元)分别包括连接至调节访问装置108的工作mtj器件106。工作mtj器件106包括磁隧道结(mtj)，磁隧道结(mtj)具有通过介电遂穿阻挡层112a与自由层114a分隔开的固定层110a。固定层110a具有固定的磁向，而自由层114a具有可以在操作期间(通过隧道磁阻(tmr)效应)改变为相对于固定层110a的磁向平行(即，“p”状态)或反向平行(即，“ap”状态)的磁向。甘肃集成电路回收行情
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