公开的写入操作可以在调节mtj器件(例如，图2中的204至206)处于高电阻状态来实施，以在选择和未选择的单元之间提供隔离。如图3a的示意图300所示，写入操作的步骤通过将数据状态写入存储器阵列102的行301中的存储单元202a,1和第三存储单元202a,3内的工作mtj器件来实施。通过将非零偏置电压v1(例如，2v)施加至字线wl1和wl2，将第二非零偏置电压v2(例如，6v)施加至字线wl3，将第三非零偏置电压v3(例如，8v)施加至位线bl1和bl3，并且将第四非零偏置电压v4(例如，4v)施加至位线bl2来实施写入操作的步骤。非零偏置电压v1(例如，2v)和第三非零偏置电压v3(例如，8v)之间的差异使得电流i1流过存储单元202a,1和第三存储单元202a,3内的调节mtj器件。电流i1小于切换电流isw，使得存储单元202a,1和第三存储单元202a,3内的调节mtj器件的状态不变。然而，来自调节mtj器件的电流加在一起，使得为电流i1的两倍的电流流过存储单元202a,1和第三存储单元202a,3内的工作mtj器件。电流i1的两倍的电流大于切换电流isw，以将数据状态写入存储单元202a,1和第三存储单元202a,3内的工作mtj器件。第二存储单元202a,2内的工作mtj器件不受写入操作的步骤的影响，因为非零偏置电压v1(例如。电子料回收，请选择上海海谷电子有限公司，让您满意，欢迎新老客户来电！河北电子元件物料回收处理
调节mtj器件、第二调节mtj器件和工作mtj器件106分别包括mtj，mtj具有通过介电遂穿阻挡层与自由层分隔开的固定层。在一些实施例中，固定层110可以包括钴(co)、铁(fe)、硼(b)、镍(ni)、钌(ru)、铱(ir)、铂(pt)等。在一些实施例中，介电遂穿阻挡层可以包括氧化镁(mgo)、氧化铝(al2o3)等。在一些实施例中，自由层可以包括钴(co)、铁(fe)、硼(b)等。在其它实施例中，调节访问装置108可以包括一个或多个电阻器(例如，包括氮化钽、钽、氮化钛、钛、钨等的薄膜电阻器)。例如，在一些实施例中，调节访问装置108可以包括与工作mtj器件106并联连接的薄膜电阻器和第二薄膜电阻器。在各个实施例中，调节访问装置108可以包括具有基本类似的尺寸或具有不同的尺寸的电阻器。存储器阵列102通过多条位线bl1至bl2和多条字线wl1至wl2连接至控制电路115。在一些实施例中，控制电路115包括连接至多条位线bl1至bl2的位线解码器116和连接至多条字线wl1至wl2的字线解码器118。调节访问装置108连接在字线wlx(x＝1或2)和工作mtj器件106之间，而工作mtj器件106连接在调节访问装置108和位线bly(y＝1或2)之间。为了访问工作mtj器件106。青海三极管回收服务上海海谷电子有限公司为您提供电子料回收，有想法的可以来电咨询！
如参考图5详细描述的。在训练阶段之后，mlc42进入推理/分类阶段，如参考图5详细描述的，以控制src电路104以调整信号dout的回转率。接下来，mlc42进入预测阶段316，如参考图5详细描述的以执行预测。一旦进入预测阶段316并且在完成mlc42的训练之后，就不再需要人力。使用mlc42来调整回转率是相对方便的。图4是根据本公开的一些实施例的神经网络32的网络示意图，其中神经网络32通过图3的机器学习电路42执行任务。虽然作为示例详细描述了神经网络32，但是可以使用任何合适的机器学习方法和技术。神经网络32包括一输入34、一经加权值36和一结果值38。输入34经一权重加权后决定出经加权值36。基于经加权值36产生结果值38。虽然示出了一个输入，但这是说明性的，任何输入、权重和其之间的连接的合适组合都可以使用。图5是根据本公开的一些实施例的通过图3的机器学习电路42执行的一程序310的流程图。参考图3，程序310包括一训练阶段312、一推理/分类阶段314和一预测阶段316。在训练阶段312中，mlc42执行一训练，在该训练中，决定及/或调整图4的经加权值36。在训练图4的神经网络32之后，在推理/分类阶段314中，mlc42可以对验证数据执行推断及/或分类。在涉及调整回转率的本实施例中。
基于训练数据获取经加权值36。接下来，进入推理/分类阶段314。在推理/分类阶段314中，mlc42基于经加权值36对验证数据进行分类。在验证数据的分类之后，使用者将这种分类与参考分类进行比较，从而获得一校正率。如果这样的校正率满足在操作504中在规范中获得的所需校正率，则推理/分类阶段314结束，并且进入预测阶段316。如果校正率不满足所需的校正率，则重复上述过程。图8的流程图说明根据本公开的一些实施例的基于图6的迭代流程的图5的预测阶段316。参照图8，不执行操作502的评估。mlc42控制src电路104而不需要人力。因此，使用mlc42来调整回转率是相对方便的。图9是根据本公开的一些实施例的图3的机器学习电路42的电路图。参考图9，mlc42包括一测量电路60、一数据库70和一分类器电路80。测量电路60经配置以通过实际测量信号dout来获取信号dout的一实际电压vout，并提供实际电压vout。实际电压vout的微分决定信号dout的实际回转率。测量电路60将多个实际电压vout值提供给数据库70以存储在数据库70。数据库70将实际电压vout提供给使用者界面44。使用者界面44例如在使用者界面44的显示器上显示实际电压vout。分类器电路80从数据库70获得电压vout。此外。电子料回收，请选择上海海谷电子有限公司，有需要可以联系我司哦！
同样的附图标记始终表示同样的元件。可以省略重复的描述。在下文中，在三维空间中使用方向x、第二方向y和第三方向z描述根据示例实施例的集成电路的结构。方向x可以是行方向，第二方向y可以是列方向，第三方向z可以是竖直方向。方向x、第二方向y和第三方向z可以交叉，例如，可以彼此正交或垂直。图1是示出制造集成电路的方法的流程图。参照图1，在半导体基底上方的栅极层中形成多条栅极线，其中，所述多条栅极线布置在方向上并且在垂直于方向的第二方向上延伸(s100)。在栅极层上方的导电层中形成多条金属线，其中，所述多条金属线布置在方向上并且在第二方向上延伸，使得6n条金属线和4n条栅极线形成单元线路结构，其中，n是正整数，并且多个单元线路结构布置在方向上(s200)。根据示例实施例，可以通过自对准双倍图案化(sadp)或自对准四倍图案化(saqp)形成多条金属线。sadp和saqp是制造技术。此外，根据示例实施例，可以通过单图案化(即，直接图案化)、sadp或saqp形成多条栅极线。单图案化也是制造技术。下面将参照图4a至图4i描述单图案化、sadp和saqp。在一些实施例中，单元线路结构对应于未被划分为至少两个相等的子线路结构的小单元结构。在一些示例实施例中。上海海谷电子有限公司致力于提供电子料回收，欢迎您的来电哦！吉林进口晶振回收联系方式
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2v)和第四非零偏置电压v4(例如，4v)之间的差异使得第二电流i2流过第二存储单元202a,2内的调节mtj器件。然而，第二电流i2的两倍小于切换电流isw，因此没有将数据状态写入至第二存储单元202a,2内的工作mtj器件。类似地，连接至字线wl3和wl4的工作mtj器件也不受写入操作的步骤的影响。如图3b的示意图302所示，通过将第二数据状态写入存储器阵列102的行301中的第二存储单元202a,2内的工作mtj器件来实施写入操作的第二步骤。通过将非零偏置电压v1(例如，6v)施加至字线wl1和wl2，将第二非零偏置电压v2(例如，2v)施加至位线bl1和bl3并且将第三偏置电压v3(例如，0v)施加至位线bl2来实施写入操作的第二步骤。非零偏置电压v1(例如，6v)和第三偏置电压v3(例如，0v)之间的差异使得电流i1流过第二存储单元202a,2内的调节mtj器件。电流i1小于切换电流isw，使得第二存储单元202a,2内的调节mtj器件的状态不变。然而，电流i1(其流过第二存储单元202a,2内的工作mtj器件)的两倍大于切换电流isw，以将第二数据状态写入第二存储单元202a,2内的工作mtj器件。存储单元202a,1和第三存储单元202a,3内的工作mtj器件不受写入操作的第二步骤的影响，因为非零偏置电压v1(例如，6v)和第二非零偏置电压v2。河北电子元件物料回收处理
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