包括：在衬底上方形成互连层；在所述互连层正上方形成多个mtj器件，其中，所述多个mtj器件包括工作mtj器件和一个或多个调节mtj器件，所述一个或多个调节mtj器件被配置为选择性地控制流至所述工作mtj器件的电流；以及在所述多个mtj器件上方形成第二互连层，其中，所述互连层和所述第二互连层中的一个或两个限定位线和一条或多条字线。附图说明当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可佳理解本发明的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。图1示出了具有调节访问装置的存储器电路的一些实施例的示意图，该调节访问装置被配置为选择性地对操作磁隧道结(mtj)器件提供访问。图2示出了具有调节访问装置的存储器电路的一些额外实施例的示意图，该调节访问装置包括调节mtj器件，该调节mtj器件被配置为选择性地对工作mtj器件提供访问。图3a至图3c示出了图2的公开的存储器电路的读取和写入操作的一些实施例的示意图。图4a至图4b示出了对应于图2的公开的存储器电路的集成芯片的截面图的一些实施例。图5a至图5b示出了具有调节访问装置的存储器电路的一些额外实施例。电子料回收，请选择上海海谷电子有限公司，用户的信赖之选，欢迎您的来电哦！中国台湾收购电子元器件回收网
ge)等的半导体或者例如sige、sic、gaas、inas、inp等的化合物半导体。在一些示例实施例中，基底110可以具有绝缘体上硅(soi)结构。基底110可以包括导电区域，例如，掺杂杂质的阱或掺杂杂质的结构。标准单元可以包括器件区rx1、第二器件区rx2以及使器件区rx1和第二器件区rx2沿第二方向y分离的有源切口区acr。器件区rx1和第二器件区rx2中的每个可以包括从基底110沿第三方向z突出的多个鳍型有源区ac(参见图12c)。多个有源区ac可以在方向x上彼此平行地延伸。器件隔离层112可以沿着第二方向y在基底110上位于多个有源区ac之间。多个有源区ac以鳍的形式沿着第三方向z从器件隔离层112突出。多个栅极绝缘层118和多条栅极线pc11、12、13、14、15和16可以形成在基底110上。栅极线pc11、12、13、14、15和16可以在与多个有源区ac交叉的第二方向y上延伸。多个栅极绝缘层118和多条栅极线pc11、12、13、14、15和16可以覆盖每个有源区ac的上表面和侧壁以及器件隔离层112的上表面。多个金属氧化物半导体(mos)晶体管可以沿着多条栅极线pc11、12、13、14、15和16形成。mos晶体管可以具有在有源区ac的上表面和两个侧壁中形成沟道的三维结构。图11提供了图例：“pc”表示栅极线，“ca”表示接触件。黑龙江进口晶振回收市场上海海谷电子有限公司为您提供电子料回收，有需求可以来电咨询！
1至202c,3分别包括被配置为存储数据的工作mtj器件106和通过调节提供给工作mtj器件106的电流而选择性地对工作mtj器件106提供访问的调节访问装置108。在一些实施例中，调节访问装置108包括连接至工作mtj器件106的同一层的调节mtj器件204和第二调节mtj器件206。例如，调节mtj器件204和第二调节mtj器件206可以都连接至工作mtj器件106的固定层110。在一些实施例中，调节mtj器件204连接在工作mtj器件106和字线wlx之间(x＝1,3,5)，并且第二调节mtj器件206连接在工作mtj器件106和第二字线wly(y＝2,4,6)之间。例如，在存储单元202a,1中，调节mtj器件204连接在工作mtj器件106和字线wl1之间，而第二调节mtj器件206连接在工作mtj器件106和字线wl2之间。调节mtj器件204、第二调节mtj器件206和工作mtj器件106分别包括mtj，mtj具有通过介电遂穿阻挡层112与自由层114分隔开的固定层110。在一些实施例中，固定层110可以包括钴(co)、铁(fe)、硼(b)、镍(ni)、钌(ru)、铱(ir)、铂(pt)等。在一些实施例中，介电遂穿阻挡层112可以包括氧化镁(mgo)、氧化铝(al2o3)等。在一些实施例中，自由层114可以包括钴(co)、铁(fe)、硼(b)等。在操作期间。
使得在所述印刷电路装配件中的每个印刷电路装配件上的散热器的顶表面与另一个印刷电路装配件上的热接口材料层接触，并且与所述热接口材料层热耦联。图5是移除了双列直插式存储模块组件的印刷电路装配件的图。图6是印刷电路装配件的图，包括已安装在印刷电路板插座中的双列直插式存储模块组件200并且包括已附接的分流管。图7a和图7b示出了根据一个实施例的、特征在于外部铰链的双列直插式存储模块组件。图8a和图8b示出了根据一个实施例的、特征在于内部铰链的双列直插式存储模块组件。图9示出了根据一个实施例的流程。附图是非详尽的，并且不限制本公开至所公开的精确形式。具体实施方式诸如双列直插式存储模块(dimm)的集成电路产生大量的热量，特别是在高密度配置中。现有许多技术对集成电路进行冷却，但是存在许多与这些现有技术相关的缺点。空气冷却是嘈杂的，并且因此当靠近办公室人员/在工作环境中布置时是不期望的。当需要维护双列直插式存储模块时，液体浸入式冷却是杂乱的。另一种方法使用将双列直插式存储模块封装在散热器中的双列直插式存储模块组件，所述散热器热耦联至循环制冷液体的冷却管。所公开的实施例以两个系统板为一对。上海海谷电子有限公司为您提供电子料回收，有想法的可以来电咨询！
信号dout的回转率是可控制的。初，src电路104向驱动器电路102提供一预设回转率，并且驱动器电路102驱动信号dout，其中信号dout具有该预设回转率。该预设回转率可以是特定值，或者可以是一范围中的数值。通常，一预设回转率被设计为满足一规范的要求。在信号dout的电气特性不理想的情况下，使用者在一使用者应用端12上测试ic元件10。使用者应用端12的一示波器120测量信号dout的一电压，并且示波器120，基于测量结果，在使用者应用端12的一使用者界面124上显示一电压波形122的图表。使用者基于例如使用者界面124的显示器上所示的电压来查看和计算信号dout的一实际回转率。接下来，使用者发送命令(例如，二进制数字)到src电路104。举例来说，通过使用者界面124的键盘、鼠标游标、触控显示器、按钮或其他控制件发送命令。替代地，使用者通过ic元件10的输入端引脚或固件码发送命令。src电路104，根据命令，增加或者降低信号dout的回转率。图2的流程图说明参考图1所示的比较方法的迭代流程。参照图2，迭代流程包括操作200、202、204、206和208。应当注意，操作206指的“评估”程序不软件模块的功能，而是在回到操作200的回转率(slewrate。上海海谷电子有限公司为您提供电子料回收，欢迎您的来电！江苏电子元件物料回收公司
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集成电路还包括连接在第二位线和工作mtj器件之间的第二调节mtj器件，字线连接至字线解码器并且第二位线连接至位线解码器。在一些实施例中，集成电路还包括连接在调节mtj器件和工作mtj器件之间的偏置电压线，偏置电压线连接至偏置电路，偏置电路被配置为选择性地将偏置电压施加至偏置电压线。在又一些其它实施例中，本发明涉及一种形成集成电路的方法。该方法包括在衬底上方形成互连层；在互连层正上方形成多个mtj器件，多个mtj器件包括工作mtj器件和一个或多个调节mtj器件，调节mtj器件被配置为选择性地控制流至工作mtj器件的电流；以及在多个mtj器件上方形成第二互连层，互连层和第二互连层中的一个或两个限定位线和一条或多条字线。在一些实施例中，一个或多个调节mtj器件分别包括固定层、自由层和设置在固定层和自由层之间的介电阻挡层。在一些实施例中，该方法还包括同时形成工作mtj器件和一个或多个调节mtj器件。上面概述了若干实施例的特征，使得本领域人员可以更好地理解本发明的方面。本领域人员应该理解，它们可以容易地使用本发明作为基础来设计或修改用于实施与本文所介绍实施例相同的目的和/或实现相同优势的其它工艺和结构。本领域技术人员也应该意识到。中国台湾收购电子元器件回收网
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