其第十四条规定：知识产权行政部门负责布图设计登记工作，受理布图设计登记申请。即你应当向知识产权局申请登记。申请人应提交的文件和样品包括布图设计登记申请表；布图设计的复制件或图样；布图已投入商业使用的，应提交含有该布图的集成电路样品；知识产权局规定的其他材料。申请人若面交申请，布图设计登记费2000元，与印花税5元要一次付清，一旦审查通过即可颁发证书。布图设计专有权的保护期限为10年；自登记申请之日或在世界任何地方投入商业利用之日起计算，以较前日期为准；布图设计自创作之日起15年（无论是否申请登记或商业利用）后，不再受本条我是今年西邮的新生我想知道集成电路设计与集成系统专业怎这个专业在西邮来说是非常热门的了，算是非常之好的专业啦;集成电路以后就业也很广，通过四年的学习，如果干本行可以进入很多集成电路和微电子芯片企业，如果干电路可以进入很多通信、电子信息类的公司，如果干网络可以进入腾讯之类的了，总之，这个专业知识给了你一个基础知识，至于以后怎样发展就要看你个人的啦，想往哪个方面发展，都是可以的，课程安排上给了你很大的自由度。目**星已经在西安罗落户，intel在成都，还有中芯国际之类的很多很好的企业。 上海海谷电子有限公司为您提供电子料回收，有需求可以来电咨询！山东集成电路回收市场
化学机械平坦化工艺)以形成互连层406a。在各个实施例中，衬底402可以是任何类型的半导体主体(例如，硅、sige、soi等)，诸如半导体晶圆和/或晶圆上的一个或多个管芯，以及任何与其相关的其它类型的半导体和/或外延层。在一些实施例中，ild层904可以包括一种或多种介电材料，诸如二氧化硅(sio2)、sicoh、氟硅酸盐玻璃、磷酸盐玻璃(例如，硼磷硅酸盐玻璃)等。在一些实施例中，导电材料可以包括通过沉积工艺(例如，cvd、pvd、pe-cvd、ald等)形成的金属(例如，钨、铝等)。在各个实施例中，互连层406a可以是互连线层、第二互连层、第三互连线层或更高金属互连线层。如图10的截面图1000所示，在互连层406a的上表面上方形成多个底电极通孔408。多个底电极通孔408由介电层1002围绕。在一些实施例中，介电层1002可以沉积在互连层406a上方，并且然后选择性地被图案化以限定底电极通孔开口。然后通过在底电极通孔开口内的沉积工艺形成多个底电极通孔408。在各个实施例中，介电层1002可以包括碳化硅、富硅氧化物、teos(正硅酸乙酯)等的一种或多种。在各个实施例中，多个底电极通孔408可以包括导电材料，诸如钛、氮化钛、钽等。在多个底电极通孔408上方形成多个mtj器件106、204和206。甘肃电子料高价回收价格电子料回收，请选择上海海谷电子有限公司，用户的信赖之选，有需求可以来电咨询！
虽然关于具有调节mtj器件的调节访问装置描述了图2至图8b中示出的操作和/或装置，但是应该理解，公开的存储单元不限于这样的实施例。而且，在可选实施例中，图2至图8b的操作和/或装置可以实施和/或包括具有调节薄膜电阻器(例如，包括钽、氮化钽、钛、钨等)的调节访问装置。图9至图12示出了形成具有存储器电路的集成芯片的方法的一些实施例的截面图900至1200，该存储器电路包括存储单元(例如，mram单元)，各存储单元具有被配置为选择性地对工作mtj器件提供访问的调节访问装置。虽然关于方法描述了图9至图12，但是应该理解，图9至图12中公开的结构不限于这种方法，而且可以作为于该方法的结构而单独存在。如图9的截面图900所示，在衬底402上方形成互连层406a。在一些实施例中，通过在衬底402上方形成层间介电(ild)层904来形成互连层406a。在一些实施例中，ild层904可以通过一个或多个附加介电层902与衬底402分隔开。图案化ild层904以限定沟槽906。在一些实施例中，可以通过在ild层904上方形成图案化的掩模层(未示出)并且实施蚀刻工艺来去除ild层904的未由图案化的掩模层覆盖的各部分来图案化ild层904。在沟槽906内形成导电材料，以及随后是平坦化工艺(例如。
所述多条栅极线布置在方向上并且在垂直于方向的第二方向上延伸。所述多条金属线形成在栅极层上方的导电层中，其中，所述多条金属线布置在方向上并且在第二方向上延伸。6n条金属线和4n条栅极线形成单元线路结构，其中，n是正整数，并且多个单元线路结构布置在方向上。根据示例实施例，一种制造集成电路的方法，所述方法包括：在半导体基底上方的栅极层中形成多条栅极线，所述多条栅极线布置在方向上并且在垂直于方向的第二方向上延伸；以及在栅极层上方的导电层中形成多条金属线，所述多条金属线布置在方向上并且在第二方向上延伸，使得6n条金属线和4n条栅极线形成单元线路结构，其中，n是正整数，并且多个单元线路结构布置在方向上。根据示例实施例，一种设计集成电路的方法包括：接收定义集成电路的输入数据；设置包括多个标准单元的标准单元库；基于输入数据和标准单元库执行布局和布线；以及基于布局和布线的结果生成定义集成电路的输出数据。所述集成电路包括：半导体基底，多条栅极线，形成在半导体基底上方的栅极层中，所述多条栅极线布置在方向上并且在垂直于方向的第二方向上延伸，以及多条金属线，形成在栅极层上方的导电层中。上海海谷电子有限公司是一家专业提供电子料回收的公司，有想法的可以来电咨询！
基于训练数据获取经加权值36。接下来，进入推理/分类阶段314。在推理/分类阶段314中，mlc42基于经加权值36对验证数据进行分类。在验证数据的分类之后，使用者将这种分类与参考分类进行比较，从而获得一校正率。如果这样的校正率满足在操作504中在规范中获得的所需校正率，则推理/分类阶段314结束，并且进入预测阶段316。如果校正率不满足所需的校正率，则重复上述过程。图8的流程图说明根据本公开的一些实施例的基于图6的迭代流程的图5的预测阶段316。参照图8，不执行操作502的评估。mlc42控制src电路104而不需要人力。因此，使用mlc42来调整回转率是相对方便的。图9是根据本公开的一些实施例的图3的机器学习电路42的电路图。参考图9，mlc42包括一测量电路60、一数据库70和一分类器电路80。测量电路60经配置以通过实际测量信号dout来获取信号dout的一实际电压vout，并提供实际电压vout。实际电压vout的微分决定信号dout的实际回转率。测量电路60将多个实际电压vout值提供给数据库70以存储在数据库70。数据库70将实际电压vout提供给使用者界面44。使用者界面44例如在使用者界面44的显示器上显示实际电压vout。分类器电路80从数据库70获得电压vout。此外。上海海谷电子有限公司为您提供电子料回收，有想法的可以来电咨询！甘肃电子料高价回收价格
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位线解码器116被配置为基于从控制单元120接收的地址saddr1选择性地向一条或多条位线bl1至bl2提供信号(例如，电压)。而字线解码器118被配置为基于从控制单元120接收的地址saddr2选择性地向一条或多条字线wl1至wl2提供信号(例如，电压)。调节访问装置108被配置为调节电流(提供给相关的工作mtj器件106的信号)，并且由此选择性地对相关的工作mtj器件106提供访问。例如，在写入操作期间，存储器阵列102内的调节访问装置108可以对选择的存储单元内的工作mtj器件提供大于或等于小切换电流(即，足以使存储单元的数据状态改变的电流)电流，而对未选择的存储单元内的工作mtj器件提供小于小切换电流的电流。使用调节访问装置108来选择性地对工作mtj器件106提供访问提供了没有驱动晶体管的存储单元。没有驱动晶体管的存储单元允许存储器阵列102的尺寸减小，从而改进存储器电路100的性能并且减小成本。图2示出了具有调节访问装置的存储器电路200的一些额外实施例的示意图，该调节访问装置包括被配置为选择性地对工作mtj器件提供访问的调节mtj器件。存储器电路200包括存储器阵列102，存储器阵列102具有以行和列布置的多个存储单元202a,1至202c,3(例如，mram单元)。多个存储单元202a。山东集成电路回收市场
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