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8、变容二极管用于自动频率控制（AFC）和调谐用的小功率二极管称变容二极管。日本厂商方面也有其它许多叫法。通过施加反向电压， 使其 PN 结的静电容量发生变化。因此，被使用于自动频率控制、扫描振荡、调频和调谐等用途。通常，虽然是采用硅的扩散型二极管，但是也可采用合金扩散型、外延结合型、双重扩散型等特殊制作的二极管，因为这些二极管对于电压而言，其静电容量的变化率特别大。结电容随反向电压 VR 变化，取代可变电容，用作调谐回路、振荡电路、锁相环路，常用于电视机高频头的频道转换和调谐电路，多以硅材料制作深圳市凯轩业科技厂家直销，原装控制芯片。江苏ESD静电管/放电管单价

8、外延型二极管用外延面长的过程制造 PN 结而形成的二极管。制造时需要非常高超的技术。因能随意地控制杂质的不同浓度的分布，故适宜于制造高灵敏度的变容二极管。9、肖特基二极管基本原理是：在金属（例如铅）和半导体（N 型硅片）的接触面上，用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与 PN 结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有 40V 左右。其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间 trr 特别地短。因此，能制作开关二极和低压大电流整流二极管。山东ESD静电管/放电管销售代理凯轩业电子，控制芯片信赖之选。

4，反向漏电是指二极管反向偏置时，流过处于反向工作的二极管PN结的微小电流，反向漏电流越小，二极管的单方向导电性能越好，在电路中，发光二极管通常都工作在正向偏置状态下，漏电流参数没有什么影响。但对作为整流管二极管的1N4007来说，由于其经常会处在反向偏置状态，所以反向漏电流的参数对其很重要。反向漏电流还与温度有着密切的关系，温度每升高10℃，反向屯流大约增大一倍；5，较大反向峰值电流是指二极管在较高反向工作电压下允许流过的反向电流，这个电流值越小，表明二极管质量越好。二极管IN5399为高反压整流二极管，可直接代换的整流二极管有RL157、IN5408，也可以用2只常见的IN4007并联代换。

二极管的工作原理晶体二极管为一个由 p 型半导体和 n 型半导体形成的 p-n 结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于 p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流 I0。当外加的反向电压高到一定程度时，p-n 结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。原装控制芯片选深圳凯轩业电子有限公司。

整流二极管还能够起到保护作用，当整流二极管外加反向电压不超过一定范围时，通过整流二极管的电流少数载流子漂移运动从而形成的反向电流，可以防止接错正负极。整流二极管的作用中的反向击穿，反向击穿按机理原理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。整流二极管在高掺杂浓度的情况下，整流二极管因势垒区宽度很小，反向电压较大会破坏势垒区内共价键结构，使电子脱离共价键束缚，产生电子空穴，整流二极管的作用中的另一种击穿为雪崩击穿。当整流二极管反向电压增加到较大数值时，外加电场会使电子漂移速度加快，从而使整流二极管共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生新的电子空穴对。只做原装，控制芯片，选深圳市凯轩业科技有限公司。黑龙江ESD静电管/放电管厂家现货

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6、平面型二极管在半导体单晶片（主要地是 N 型硅单晶片）上，扩散 P 型杂质，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在 N 型硅单晶片上但选择性地扩散一部分而形成的 PN 结。因此，不需要为调整 PN 结面积的药品腐蚀作用。由于半导体表面被制作得平整，故而得名。并且，PN 结合的表面，因被氧化膜覆盖，所以公认为是稳定性好和寿命长的类型。较初，对于被使用的半导体材料是采用外延法形成的，故又把平面型称为外延平面型。对平面型二极管而言，似乎使用于大电流整流用的型号很少，而作小电流开关用的型号则很多。 江苏ESD静电管/放电管单价

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