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无锡哪里减薄用清洗剂生产

来源: 发布时间:2024年03月29日

    将待加工部件固定在托盘上包括:采用光刻胶将待加工部件固定在托盘上。具体地,将待加工部件背面喷涂厚度约为2μm的光刻胶,如az4620光刻胶,然后在托盘表面喷涂厚度约为3μm的光刻胶,如az4620光刻胶,之后,将托盘光刻胶面向上放于温度为90℃的热板上,将待加工部件光刻胶面和托盘光刻胶面贴合,在2×10-2mabr真空下,施加1bar压强于待加工部件上进行键合,键合时间20min。s102:通过喷头向待加工部件的待加工表面喷涂抛光液,来对待加工表面进行抛光;s103:通过磁转子旋转对待加工表面进行机械研磨,来对待加工表面进行减薄。可选地,本发明实施例中,s102和s103可以交替进行,也就是说,控制磁转子旋转一段时间后,控制磁转子停止旋转,并控制喷头喷涂抛光液,停止喷涂抛光液后,再次控制磁转子旋转,以此类推。本发明实施例中,通过磁转子和喷头交替工作,实现了减薄和抛光两种工艺交替作用,使得减薄和抛光一体化完成,整个过程稳定,速度快,控制性好,重复度高,无粉尘污染,衬底减薄终厚度达到20μm,抛光面ra<2nm。由于减薄过程中待加工部件20如inp基晶圆本身不旋转,因此,可以降低抛光减薄过程中对待加工部件20如inp基晶圆的挤压应力。清洗剂的分类有哪些;无锡哪里减薄用清洗剂生产

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    降低待加工部件20如inp基晶圆的机械加工损伤。由于本发明实施例中采用光刻胶对托盘和待加工部件进行了固定,因此,对待加工部件的待加工表面进行抛光和减薄之后,还包括:对待加工部件进行清洗;采用特定溶液对光刻胶进行腐蚀,以将待加工部件与托盘分离。具体地,在完成抛光和减薄后,可以采用直链烷基苯磺酸盐溶剂对待加工部件20进行清洗,用di水冲洗干净,40℃的氮气吹干。之后,将清洗后的待加工部件20和托盘10侵入60℃的nmp(n甲基吡咯烷酮)30min,使得待加工部件20和托盘10自动分离,取出待加工部件20后清洗干净即可。本发明实施例提供的方法,还包括:在磁转子运行一段时间后,更换磁转子。如磁转子12工作1小时后,可以将磁转子12更换为新的磁转子,以使磁转子与待加工表面贴合紧密,避免了传统减薄工艺中由于转子形变误差造成的加工精度失真。本说明书中各个实施例采用递进的方式描述,每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处,各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言,由于其与实施例公开的方法相对应,所以描述的比较简单,相关之处参见方法部分说明即可。对所公开的实施例的上述说明。无锡显示面板用减薄用清洗剂产品介绍去除多余涂层,选择减薄用清洗剂,效果好。

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    通过旋紧螺钉使螺钉的端头部分与所述支撑条431或所述第二支撑条432接触,从而实现对所述连接部433的固定,避免所述连接部433在振动时发生脱离等情况。同时螺钉的设置,可实现所述底支撑件43结构的快速装卸,便于维修更换。值得指出的是,为达到防止所述连接部433脱离的效果,所述限位块438和所述第二限位块439并非于设置为螺钉,通过在所述限位块438和所述第二限位块439的端部设置横截面合适的部件,使所述限位块438、所述第二限位块439与所述连接部433卡接,即可实现螺钉的效果。所述接触部434设置有弧形槽,玻璃的下边缘设置于所述弧形槽内,从而实现所述底支撑件43对玻璃的位置固定。在进行减薄或其他加工过程中,玻璃通过所述玻璃加工治具4进行移动或放置时,均会产生振动;同时在进行蚀刻冲刷时,在酸液冲击的作用下由于玻璃底部固定,易使玻璃产生弯曲,通过所述底支撑件43的结构设置,可实现设置于所述接触部434上玻璃的悬浮柔性支撑,有效缓冲玻璃所受到的外界压力或冲击力,避免振动或冲击对玻璃带来的损伤;同时可有效降低所述玻璃加工治具4往复移动带来的振动,使玻璃底部在所述连接部433的限制下进行小幅度的移动,在保证玻璃在所述玻璃加工治具4上有效摆动。

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    且所述限位块438和所述第二限位块439均可在所述限位孔437内移动,通过所述连接部433的限位效果,避免所述支撑条431和所述第二支撑条432在磁力作用下产生脱离,从而使所述支撑条431和所述第二支撑条432在磁力和所述连接部433的限位力作用下保持平衡。一般的,所述位块438和所述第二限位块439均设置为圆柱型,从而便于所述限位块438和所述第二限位块439在所述限位孔437内的移动。当放置于所述底支撑件43上的玻璃受到冲击或振动时,所述支撑条431可相对于所述第二支撑条432作水平方向的偏移移动,或所述限位块438和所述第二限位块439均在所述限位孔437内移动,使所述支撑条431可相对于所述第二支撑条432作竖直方向的移动,从而可实现对各个方向上冲击力或振动的吸收缓冲效果,提高玻璃的安全性。较佳的,所述限位块438和所述第二限位块439可设置为螺钉,所述限位孔437宽度配合所述螺钉的螺纹直径设置,在所述支撑条431和所述第二支撑条432上设置螺纹孔,通过将所述限位块438和所述第二限位块439与所述螺纹孔螺纹连接,从而实现所述限位块438和所述第二限位块439在所述支撑条431和所述第二支撑条432上的固定。通过将所述限位块438和所述第二限位块439设置为螺钉。什么地方需要使用 减薄用清洗剂。广州哪家减薄用清洗剂联系方式

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    本发明涉及半导体制造技术领域,更具体地说,涉及一种抛光减薄装置和抛光减薄方法。背景技术:采用iii-v族化合物制作的半导体器件和超高速数字/数模混合电路等凭借其优良的频率特性,已经成为通讯、雷达、制导、空间防御、高速智能化武器及电子对抗等现代化装备的部件之一。在众多的iii-v族化合物中,inp(磷化铟)化合物具有独特的优势,这主要得益于其优良的材料特性,例如,inp和ingaas(铟镓砷)之间的晶格失配很小,以及电子饱和速率很高等,所以不论是hemt(highelectronmobilitytransistor,高电子迁移率晶体管)结构还是hbt(heterojunctionbipolartransistor,异质结双极晶体管)结构,都具有非常优异的高频、大功率性能。但是,inp材料的物理性能却很差,非常易碎,很小的碰撞或振动都会导致晶圆碎裂而前功尽弃,因此,inp材料的制造加工面临着很多工艺上的难题。尤其是在超高频率、大功率的inp基rfic(射频集成电路)的制造工艺中,如何在对inp基晶圆进行减薄抛光时,减小或避免inp基晶圆的损伤是本领域技术人员亟待解决的问题之一。技术实现要素:有鉴于此,本发明提供了一种抛光减薄装置和抛光减薄方法,以减小或避免inp基晶圆的减薄抛光损伤。为实现上述目的。无锡哪里减薄用清洗剂生产