江西晶体管光耦群芯微代理国产品牌

光耦合器的技术参数主要有发光二极管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和压降VCE(sat）。此外，在传输数字信号时还需考虑上升时间、下降时间、延迟时间和存储时间等参数。电流传输比是光耦合器的重要参数，通常用直流电流传输比来表示。当输出电压保持恒定时，它等于直流输出电流IC与直流输入电流IF的百分比。使用光电耦合器主要是为了提供输入电路和输出电路间的隔离，在设计电路时，必须遵循下列原则：所选用的光电耦合器件必须符合国内和国际的有关隔离击穿电压的标准；由英国埃索柯姆（Isocom）公司、美国FAIRCHILD生产的4N××系列（如4N25、4N26、4N35）光耦合器，在国内应用地十分普遍。可以用于单片机的输出隔离；所选用的光耦器件必须具有较高的耦合系数。 随着器件价格的下降，使用线性光耦将是趋势。江西晶体管光耦群芯微代理国产品牌

智能功率模块（IPM）由高速，低功耗的IGBT芯片和优化的栅极驱动电路及多种保护电路集成在同一模块内。IPM的通态损耗和开关损耗都比较低，散热器的尺寸小，故整个系统的尺寸更小。智能功率模块接口光耦，内置一个砷化镓光电二极管和集成高增益光电探测器，具有较低的传输延迟时间及**小化脉冲失真宽度，从而有利于提升转换电路效率，减少切换的死区时间。智能功率模块接口光耦具有开路集电极输出、反相和同相的图腾柱配置。IPM控制输入会随着dv/dt的大小而变，所以用于直接驱动的光耦要求共模抑制高于10KV/μs。在输入和输出电压间增加屏蔽和将电流接地可改进光耦的共模抑制。群芯可提供高于15KV/μs的共模抑制产品。***用于IGBT/MOSFET驱动、IPM隔离驱动、交流/直流无刷电机驱动、变频器、工业逆变器等。北京IPM光耦群芯微代理型号光耦合器（opticalcoupler equipment，英文缩写为OCEP）亦称光电隔离器或光电耦合器，简称光耦。

以下为光电耦合器的常用参数：反向电流IR：在被测管两端加规定反向工作电压VR时，二极管中流过的电流。反向击穿电压VBR：被测管通过的反向电流IR为规定值时，在两极间所产生的电压降。正向压降VF：二极管通过的正向电流为规定值时，正负极之间所产生的电压降。正向电流IF：在被测管两端加一定的正向电压时二极管中流过的电流。结电容CJ：在规定偏压下，被测管两端的电容值。反向击穿电压V(BR)CEO：发光二极管开路，集电极电流IC为规定值，集电极与发射集间的电压降。输出饱和压降VCE(sat)：发光二极管工作电流IF和集电极电流IC为规定值时，并保持IC/IF≤CTRmin时（CTRmin在被测管技术条件中规定）集电极与发射极之间的电压降。反向截止电流ICEO：发光二极管开路，集电极至发射极间的电压为规定值时，流过集电极的电流为反向截止电流。电流传输比CTR：输出管的工作电压为规定值时，输出电流和发光二极管正向电流之比为电流传输比CTR。

太阳能（PV）逆变器将太阳能板产生的直流电压转换成交流电压，可用于公共电网和商用电器。光耦为该转换过程重要组成部分，因其能防止转换过程中输出端因元件损坏或传输失真造成的高电压和瞬变电压（强电）耦合到输入端（弱电）对输入控制电路造成影响；当用于隔离高频杂讯、高电压和高电流的电路与低电压控制电路时，光耦可提高性能，让印刷电路板（PCB）尺寸变得更小，且电路设计更容易。将高电压输出电路与低电压控制电路隔离，亦保障了安装、操作或修理太阳能逆变器电网的工作人员的人身安全。适用于太阳能逆变器的栅极驱动光耦，可驱动金属氧化物半导体场效管（MOSFET）和绝缘闸双极晶体管（IGBT），并能优化启动性能、提高杂讯***。就抗干扰设计而言，很多场合下，既能采用光电耦合器隔离驱动，也能采用继电器隔离驱动。

多路输出式电源变换器电路如图2所示。其输入电压为36V到90V的准方波电压，三路输出分别为：UO1=+5V(2A），UO2=+15V(0.17A），UO3=－15V(0.17A）。现将UO1定为主输出，其电压调整率SV=±0.4%；UO2和UO3为辅输出，总电源效率可达75%～80%。电路中采用一片***04Y型三端单片开关电源集成电路。主输出绕组电压经过VD2、C2、L1和C3整流滤波后，得到+5V电压。VD2采用MBR735型35V/7.5A肖特基二极管。两个辅输出绕组及输出电路完全呈对称结构。因为±15V输出电流较小，故整流管VD4和VD5均采用UF4002型100V/1A的超快恢复二极管。由线性光耦CNY17-2和可调式精密并联稳压器TL431C构成光耦反馈式精密开关电源，可以对+5V电压进行精密调整。反馈绕组电压通过VD3、C4整流滤波后，得到12V反馈电压。由P6KE120型瞬态电压抑制器和UF4002型超快恢复二极管构成的漏极钳位保护电路，能吸收由高频变压器漏感形成的尖峰电压，保护芯片内部的功率场效应管MOSFET不受损坏。光耦在数字电路上获得***的应用。AQY210EH型号光耦国产品牌替代

光耦合器的主要优点是：信号单向传输，输入端与输出端完全实现了电气隔离，输出信号对输入端无影响。江西晶体管光耦群芯微代理国产品牌

栅极驱动光耦包含一个GaAsPLED，LED光耦合到一个集成电路的功率输出级。这些光耦比较适合驱动功率IGBT和Mosfet的栅极，较高的输出电压能达到功率器件的栅级电压驱动要求。电压和电流由这些光耦提供，使他们能直接驱动高达1200V/100A的IGBT。栅极驱动光耦用于在控制电路和高压之间提供增强的电绝缘。其抑制高共模噪声的能力可防止在高频开关期间功率半导体的误动作。其共模瞬态耐久性比较高等级为35kV/μs，可用于逆变器、伺服系统等噪声环境恶劣的工业产品应用。江西晶体管光耦群芯微代理国产品牌

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