北京IGBT DRIVE光耦群芯微代理加工

以下为光电耦合器的常用参数：反向电流IR：在被测管两端加规定反向工作电压VR时，二极管中流过的电流。反向击穿电压VBR：被测管通过的反向电流IR为规定值时，在两极间所产生的电压降。正向压降VF：二极管通过的正向电流为规定值时，正负极之间所产生的电压降。正向电流IF：在被测管两端加一定的正向电压时二极管中流过的电流。结电容CJ：在规定偏压下，被测管两端的电容值。反向击穿电压V(BR)CEO：发光二极管开路，集电极电流IC为规定值，集电极与发射集间的电压降。输出饱和压降VCE(sat)：发光二极管工作电流IF和集电极电流IC为规定值时，并保持IC/IF≤CTRmin时（CTRmin在被测管技术条件中规定）集电极与发射极之间的电压降。反向截止电流ICEO：发光二极管开路，集电极至发射极间的电压为规定值时，流过集电极的电流为反向截止电流。电流传输比CTR：输出管的工作电压为规定值时，输出电流和发光二极管正向电流之比为电流传输比CTR。 这种耦合的缺点是会在变压器铁芯片中损耗掉一部分功率，并可能造成某些失真。北京IGBT DRIVE光耦群芯微代理加工

脉冲上升时间tr,下降时间tf：光耦合器在规定工作条件下，发光二极管输入规定电流IFP的脉冲波，输出端管则输出相应的脉冲波，从输出脉冲前沿幅度的10%到90%，所需时间为脉冲上升时间tr。从输出脉冲后沿幅度的90%到10%，所需时间为脉冲下降时间tf。传输延迟时间tPHL,tPLH：从输入脉冲前沿幅度的50%到输出脉冲电平下降到1.5V时所需时间为传输延迟时间tPHL。从输入脉冲后沿幅度的50%到输出脉冲电平上升到1.5V时所需时间为传输延迟时间tPLH。入出间隔离电容CIO：光耦合器件输入端和输出端之间的电容值。入出间隔离电阻RIO：半导体光耦合器输入端和输出端之间的绝缘电阻值。入出间隔离电压VIO：光耦合器输入端和输出端之间绝缘耐压值. 上海插件817光耦群芯微代理资料光耦隔离就是采用光耦合器进行隔离，光耦合器的结构相当于把发光二极管和光敏（三极）管封装在一起。

光耦合器的电流传输比（CTR）的允许范围是50%～200%。这是因为当CTR<50%时，光耦中的LED就光纤耦合器需要较大的工作电流（IF>5.0mA），才能正常控制单片开关电源IC的占空比，这会增大光耦的功耗。若CTR>200%，在启动电路或者当负载发生突变时，有可能将单片开关电源误触发，影响正常输出。2、若用放大器电路去驱动光电耦合器，必须精心设计，保证它能够补偿耦合器的温度不稳定性和漂移。2、推荐采用线性光耦合器，其特点是CTR值能够在一定范围内做线性调整。

栅极驱动光耦包含一个GaAsPLED，LED光耦合到一个集成电路的功率输出级。这些光耦比较适合驱动功率IGBT和Mosfet的栅极，较高的输出电压能达到功率器件的栅级电压驱动要求。电压和电流由这些光耦提供，使他们能直接驱动高达1200V/100A的IGBT。栅极驱动光耦用于在控制电路和高压之间提供增强的电绝缘。其抑制高共模噪声的能力可防止在高频开关期间功率半导体的误动作。其共模瞬态耐久性比较高等级为35kV/μs，可用于逆变器、伺服系统等噪声环境恶劣的工业产品应用。它具有体积小、寿命长、无触点，抗干扰能力强，输出和输入之间绝缘，单向传输信号等优点。

光电耦合器分为两种：一种为非线性光耦，另一种为线性光耦。非线性光耦的电流传输特性曲线是非线性的，这类光耦适合于开关信号的传输，不适合于传输模拟量。线性光耦的电流传输特性曲线接近直线，并且小信号时性能较好，能以线性特性进行隔离控制。开关电源中常用的光耦是线性光耦。如果使用非线性光耦，有可能使振荡波形变坏，严重时出现寄生振荡，使数千赫的振荡频率被数十到数百赫的低频振荡依次为号调制。在开关电源中，利用线性光耦合器可构成电压反馈电路，通过调节控制端电流来改变占空比，达到精密稳压目的。国内有关单位投入大量人力物力也研究和开发了各种光电耦合器件。上海插件817光耦群芯微代理资料

光电耦合器可作为线性耦合器使用。北京IGBT DRIVE光耦群芯微代理加工

光耦合器（opTIcalcouplerequipment，英文缩写为OCEP）又称光电隔离器或光电耦合器，简称光电耦合器。它是一种以光为介质传输电信号的装置，通常是发光器(红外发光二极管)LED）与接收器（光敏半导体管，光敏电阻）密封在同一管壳中。当发光器在输入端发出光时，接收器接收光后产生光电流，从输出端流出“电—光—电”转换。光电耦合器以光为介质将输入端信号耦合到输出端，因其体积小、使用寿命长、无接触、抗干扰能力强、输出与输入之间绝缘、单向传输信号等优点，在数字电路中得到了***的应用。北京IGBT DRIVE光耦群芯微代理加工