浙江插件817光耦群芯微代理

目前大功率充电桩输入输出端都是处在不同的高电压环境，在实现所有功能时首先要考虑其各个装置都能达到安全隔离的要求，防止电路间的器件受到高电压击穿损伤，所以在各电路间使用到光电耦合器作为电路间信号隔离和功率器件驱动隔离。1.充电模块常用高速光耦–高速信号通讯用，如QX6N135、QX6N137、QX074L等；2.驱动模块常用(智能)栅极驱动光耦和IPM接口光耦：(智能)栅极驱动光耦–驱动高压MOS或者高压IGBT，如QX341、QX3120、QX33xJ系列等；IPM接口驱动光耦–驱动IPM隔离模块或其他隔离芯片，如QX4504、QX480等。IPM的通态损耗和开关损耗都比较低，散热器的尺寸小，故整个系统的尺寸更小，IPM具有较低的传输延迟时间及**小化脉冲失真宽度，有利于提升转换电路效率，减少切换的死区时间。光电耦合器在多种电子设备中的应用非常常见。浙江插件817光耦群芯微代理

在动力电池、集成控制器、驱动电机及VCU上，光耦作为数据隔离传输、信号反馈、信号放大、电机驱动等电路上起着关键的作用。常用光耦型号：1.晶体管光耦：QX81x、QX101x、QX35x、QX3Hx、QX85x、QX8801；2.光继电器：QXV258、QXY258、QX2xx、QX17x；3.高速光耦：QX6N13x、QXM6xx、QX772x、QX053x、QX063x；4.栅极驱动光耦：QX314、QX34x、QX350、QX31xx;5.智能栅极驱动光耦：QX316J、QX33xJ；6.光隔离运算放大器：QXC790、QXC78、QX7840；TLP292-4型号光耦国产品牌替代光耦合器是70年代发展起来产新型器件。

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宁波群芯微电子股份有限公司成立于2018年7月，位于宁波杭州湾新区。群芯微电子的团队成员来自于国内外大型半导体公司，在集成电路芯片设计、工艺制程、封装测试及应用方面拥有丰富的经验。芯片技术**着世界比较高水平的制造加工技术，是全球高科技国力竞争的战略必争制高点，与**专注于某一项芯片技术的企业相比，群芯的光电集成电路产品几乎覆盖了芯片制造的全工艺环节。特别是所拥有的多芯片封装工艺，激光划片工艺，使得我们的产品可以快速迭代，并满足客户个性化的需求。在计算机数字通信及实时控制中作为信号隔离的接口器件，可以**提高计算机工作的可靠性。

光耦隔离就是采用光耦合器进行隔离，光耦合器的结构相当于把发光二极管和光敏（三极）管封装在一起。发光二极管把输入的电信号转换为光信号传给光敏管转换为电信号输出，由于没有直接的电气连接，这样既耦合传输了信号，又有隔离作用。只要光耦合器质量好，电路参数设计合理，一般故障少见。如果系统中出现异常，使输入、输出两侧的电位差超过光耦合器所能承受的电压，就会使之被击穿损坏。可以认为是一个发光二极管和一个光电二极管或三极管封装到一起。可以实现信号的完全电气隔离。在信号采集系统中***采用。光耦是通电使发光二极管发光，光敏二极管接受光导通的器件。其好处输入和输出是隔离的，就象变压器一样。6N137和6N138是光耦8脚IC，具体参数搜索一下即可光偶隔离器的缺点是尺寸太大。 光电耦合器应用于数字电路，可以将脉冲信号进行放大。浙江插件817光耦群芯微代理

现场变送器输出模拟量信号，电压频率转换器将变送器送来的电压信号转换成脉冲序列，通过光耦隔离后送出。浙江插件817光耦群芯微代理

以下为光电耦合器的常用参数：反向电流IR：在被测管两端加规定反向工作电压VR时，二极管中流过的电流。反向击穿电压VBR：被测管通过的反向电流IR为规定值时，在两极间所产生的电压降。正向压降VF：二极管通过的正向电流为规定值时，正负极之间所产生的电压降。正向电流IF：在被测管两端加一定的正向电压时二极管中流过的电流。结电容CJ：在规定偏压下，被测管两端的电容值。反向击穿电压V(BR)CEO：发光二极管开路，集电极电流IC为规定值，集电极与发射集间的电压降。输出饱和压降VCE(sat)：发光二极管工作电流IF和集电极电流IC为规定值时，并保持IC/IF≤CTRmin时（CTRmin在被测管技术条件中规定）集电极与发射极之间的电压降。反向截止电流ICEO：发光二极管开路，集电极至发射极间的电压为规定值时，流过集电极的电流为反向截止电流。电流传输比CTR：输出管的工作电压为规定值时，输出电流和发光二极管正向电流之比为电流传输比CTR。 浙江插件817光耦群芯微代理

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