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奥地利键合机售后服务

来源: 发布时间:2023年09月02日

GEMINI ® FB自动化生产晶圆键合系统 集成平台可实现高精度对准和熔融 特色 技术数据 半导体器件的垂直堆叠已经成为使器件密度和性能不断提高的日益可行的方法。晶圆间键合是实现3D堆叠设备的重要工艺步骤。EVG的GEMINI FB XT集成熔融系统扩展了当前标准,并结合了更高的生产率,更高的对准度和覆盖精度,适用于诸如存储器堆叠,3D片上系统(SoC),背面照明CMOS图像传感器堆叠和芯片分割等应用。该系统具有新的Smart View NT3键合对准器,该键合对准器是专门为<50 nm的熔融和混合晶片键合对准要求而开发的。EVG键合机可配置为黏合剂、阳极、直接/熔融、玻璃料、焊料(包括共晶和瞬态液相)和金属扩散、热压缩工艺。奥地利键合机售后服务

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EVG 晶圆键合机上的键合过程 支持全系列晶圆键合工艺对于当今和未来的器件制造是至关重要。键合方法的一般分类是有或没有夹层的键合操作。虽然对于无夹层键合(直接键合,材料和表面特征利于键合,但为了与夹层结合,键合材料的沉积和组成决定了键合线的材质。 EVG 键合机软件支持 基于Windows的图形用户界面的设计,注重用户友好性,并可轻松引导操作员完成每个流程步骤。多语言支持,单个用户帐户设置和集成错误记录/报告和恢复,可以简化用户的日常操作。所有EVG系统都可以远程通信。因此,我们的服务包括通过安全连接,电话或电子邮件,对包括经过现场验证的,实时远程诊断和排除故障。EVG经验丰富的工艺工程师随时准备为您提供支持,这得益于我们分布于全球的支持结构,包括三大洲的洁净室空间:欧洲 (HQ), 亚洲 (日本) 和北美 (美国).奥地利键合机售后服务EVG键合机顶部和底部晶片的duli温度控制补偿了不同的热膨胀系数,实现无应力键合和出色的温度均匀性。

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BONDSCALE与EVG的行业基准GEMINIFBXT自动熔融系统一起出售,每个平台针对不同的应用。虽然BONDSCALE将主要专注于工程化的基板键合和层转移处理,但GEMINIFBXT将支持要求更高对准精度的应用,例如存储器堆叠,3D片上系统(SoC),背面照明的CMOS图像传感器堆叠以及管芯分区。特征:在单个平台上的200mm和300mm基板上的全自动熔融/分子晶圆键合应用通过等离子活化的直接晶圆键合,可实现不同材料,高质量工程衬底以及薄硅层转移应用的异质集成支持逻辑缩放,3D集成(例如M3),3DVLSI(包括背面电源分配),N&P堆栈,内存逻辑,集群功能堆栈以及超越CMOS的采用的层转移工艺和工程衬底BONDSCALE™自动化生产熔融系统的技术数据晶圆直径(基板尺寸):200、300毫米ZUI高数量或过程模块8通量每小时ZUI多40个晶圆处理系统4个装载口特征:多达八个预处理模块,例如清洁模块,LowTemp™等离子活化模块,对准验证模块和解键合模块XT框架概念通过EFEM(设备前端模块)实现ZUI高吞吐量光学边缘对准模块:Xmax/Ymax=18µm3σ

EVG501晶圆键合机,先进封装,TSV,微流控加工。基本功能:用于学术和工业研究的多功能手动晶圆键合系统。适用于:微流体芯片,半导体器件处理,MEMS制造,TSV制作,晶圆先进封装等。一、简介:EVG501是一种高度灵活的晶圆键合系统,可处理从单芯片到150mm(200mm键合室的情况下为200mm)的基片。该工具支持所有常见的晶圆键合工艺,如阳极,玻璃料,焊料,共晶,瞬态液相和直接键合。易于操作的键合室和工具设计,让用户能快速,轻松地重新装配不同的晶圆尺寸和工艺,转换时间小于5分钟。这种多功能性适合大学,研发机构或小批量生产。键合室的基本设计在EVG的HVM(量产)工具上是相同的,例如GEMINI,键合程序很容易转移,这样可以轻松扩大生产量。二、特征:带有150mm或200mm加热器的键合室独特的压力和温度均匀性与EVG的机械和光学对准器兼容灵活的设计和研究配置从单芯片到晶圆各种工艺(共晶,焊料,TLP,直接键合)可选涡轮泵(<1E-5mbar)可升级阳极键合开放式腔室设计,便于转换和维护试生产需求:同类产品中比较低拥有成本开放式腔室设计,便于转换和维护ZUI小占地面积的200mm键合系统程序与EVGHVM键合系统完全兼容。三、参数:ZUI大键合力:20kN,加热器尺寸:150mm。EVG键合机也可以通过添加电源来执行阳极键合。对于UV固化的黏合剂,可选的键合室盖里具有UV源。

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共晶键合[8,9]是利用某些共晶合金熔融温度较低的特点,以其作为中间键合介质层,通过加热熔融产生金属—半导体共晶相来实现。因此,中间介质层的选取可以很大程度影响共晶键合的工艺以及键合质量。中间金属键合介质层种类很多,通常有铝、金、钛、铬、铅—锡等。虽然金—硅共熔温度不是蕞 低( 363 ℃ ) 的,但其共晶体的一种成分即为预键合材料硅本身,可以降低键合工艺难度,且其液相粘结性好,故本文采用金—硅合金共晶相作为中间键合介质层进 行表面有微结构的硅—硅共晶键合技术的研究。而金层与 硅衬底的结合力较弱,故还要加入钛金属作为黏结层增强金层与硅衬底的结合力,同时钛也具有阻挡扩散层的作用, 可以阻止金向硅中扩散[10,11]。对于无夹层键合工艺,材料和表面特征利于键合,但为了与夹层结合,键合材料沉积和组成决定了键合线的材质。中国澳门奥地利键合机

EVG的GEMINI FB XT集成熔融键合系统,扩展了现有标准,并拥有更高的生产率,更高的对准和涂敷精度。奥地利键合机售后服务

熔融和混合键合系统:

熔融或直接晶圆键合可通过每个晶圆表面上的介电层长久连接,该介电层用于工程衬底或层转移应用,例如背面照明的CMOS图像传感器。混合键合扩展了与键合界面中嵌入的金属焊盘的熔融键合,从而允许晶片面对面连接。混合绑定的主要应用是高级3D设备堆叠。EVG的熔融和混合键合设备包含:EVG301单晶圆清洗系统;EVG320自动化单晶圆清洗系统;EVG810LT低温等离子基活系统;EVG850LTSOI和晶圆直接键合自动化生产键合系统;EVG850SOI和晶圆直接键合自动化生产键合系统;GEMINIFB自动化生产晶圆键合系统;BONDSCALE自动化熔融键合生产系统。 奥地利键合机售后服务

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