电容并联电路分析并联后的等效电容容量等于各个电容容量之和。并联后的各个电容两端电压相等；并联后的耐压取决于耐压小的那个电容电压。电容器的类型电容器是一种两块导体中间夹着一块绝缘体（介质）构成的电子元件。电容的类型按照容量是否可变分为固定电容器和可变电容器两大类；按照介质类型可分为无机介质电容器、有机介质电容器和电解电容器三大类。不同介质的电容，在结构、成本、特性、用途方面都大不相同。无机介质电容器：包括陶瓷电容以及云母电容等。在CPU上我们会经常看到陶瓷电容。陶瓷电容的综合性能很好，可以应用GHz级别的超高频器件上，比如CPU/GPU。当然，它的价格也很贵。云母电容（CY）电容量：10p--0。1μ额定电压：100V--7kV主要特点：高稳定性，高可靠性，温度系数小。应用：高频振荡，脉冲等要求较高的电路高频瓷介电容（CC）电容量：1--6800p额定电压：63--500V主要特点：高频损耗小，稳定性好。应用于高频电路。低频瓷介电容（CT）电容量：10p--4。7μ额定电压：50V--100V主要特点：体积小，价廉，损耗大，稳定性差。应用：要求不高的低频电路玻璃釉电容（CI）电容量：10p--0。1μ额定电压：63--400V主要特点：稳定性较好，损耗小，耐高温。风华高压电容原装现货。龙岗区陶瓷电容厂家
它是一个多层叠合的结构，由多个简单平行板电容器的并联体。独石电容的特点：电容量大、体积小、可靠性高、电容量稳定。耐高温耐湿性好等。大的缺点是温度系数很高，做振荡器的稳漂让人受不了。就温漂而言：独石电容为正温糸数+130左右，CBB为负温系数-230，用适当比例并联使用，可使温漂降到很小.就价格而言：钽、铌电容贵，独石,CBB较便宜，瓷片电容低。但是有些高频零温漂黑点瓷片稍贵，云母电容Q值较高，也比较贵。电容器的标称参数主要参数：标称容量以及允许偏差。目前我国采用的固定式标称容量系列是：E24，E12,E6系列。他们分别使用的允许偏差是+-5%+-10%+-20%。标称电容量和允许偏差标称电容量是标志在电容器上的电容量。云母和陶瓷介质电容器的电容量较低(大约在5000pF以下)；纸、塑料和一些陶瓷介质形式的电容量居中；通常电解电容器的容量较大。电容的标称值分为E24、E12、E6三个系列：E6系列为常用的，E12系列次之，E24系列又次之。E24系列的取值为、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、乘以10的n次方；E12系列的取值为、、、、、、、、、、、；E6系列的取值为、、、、、。电容器实际电容量与标称电容量的偏差称误差，在允许的偏差范围称精度。龙华区电解电容麦克风风华车规电容原装现货。
当然电容价格也会高一些。电容的用途非常多，主要有如下几种：隔直流：作用是阻止直流通过而让交流通过。旁路（去耦）：为交流电路中某些并联的元件提供低阻抗通路。耦合：作为两个电路之间的连接，允许交流信号通过并传输到下一级电路滤波：这个对DIY而言很重要，显卡上的电容基本都是这个作用。温度补偿：针对其它元件对温度的适应性不够带来的影响，而进行补偿，改善电路的稳定性。计时：电容器与电阻器配合使用，确定电路的时间常数。调谐：对与频率相关的电路进行系统调谐，比如手机、收音机、电视机。整流：在预定的时间开或者关半闭导体开关元件。储能：储存电能，用于必须要的时候释放。例如相机闪光灯，加热设备等等。（如今某些电容的储能水平已经接近锂电池的水准，一个电容储存的电能可以供一个手机使用。
钽电容的主要厂商就是Kemet、AVX、Vishay。钽属于比较稀有的金属，因此，钽电容会比其他类型的电容要贵一点。但是性能要比铝电解电容要好，ESR更小，损耗更小，去耦效果更好，漏电流小。下图是Kemet一款固态钽电容的参数表：截图自Kemet规格书额定电压固态钽电容的工作电压需要降额设计。正常情况工作电压要低于额定电压的50%；高温环境或负载阻抗较低时，工作电压要低于额定电压的30%。具体降额要求应严格按照规格书要求。还需要注意钽电容的承受反向电压的情况，交流成分过大，可能会导致钽电容承受反向电压，导致钽电容失效。固态钽电容的主要失效模式是短路失效，会直接导致电路无法工作，甚至起火等风险。因此，需要额外注意可靠性设计，降低失效率。对于一旦失效，就会造成重大事故的产品，建议不要使用固态钽电容。额定纹波电流纹波电流流过钽电容，由于ESR存在会导致钽电容温升，加上环境温度，不要超过钽电容的额定温度以及相关降额设计。4片状多层陶瓷电容片状多层陶瓷电容应该是出货量极大的电容，制造商也比较多，像三大日系TDK、muRata、TaiyoYuden，美系像KEMET、AVX(已经被日本京瓷收购了)。三大日系做的比较好的就是有相应的选型软件。风华电容一级代理商。
还可以做延时电路，极常见的就是上电延时复位；一些定时芯片如NE556，可以产生三角波。·谐振源：与电感一起组成LC谐振电路，产生固定频率的信号。利用电容通高频、阻低频、隔直流的特性，电容还可以用作：电源去耦电源去耦应该是电容极大范围的应用，各种CPU、SOC、ASIC的周围、背面放置了大量的电容，目的就是保持供电电压的稳定。在DCDC电路中，需要选择合适的输入电容和输出电容来降低电压纹波。需要计算出相关参数。像IC工作时，不同时刻需要的工作电流是不一样的，因此，也需要大量的去耦电容，来保证工作电压得稳定。耦合隔直设计电路时，有些情况下，只希望传递交流信号，不希望传递直流信号，这时候可以使用串联电容来耦合信号。例如多级放大器，为了防止直流偏置相互影响，静态工作点计算复杂，通常级间使用电容耦合，这样每一级静态工作点可以单独分析。例如PCIE、SATA这样的高速串行信号，通常也使用电容进行交流耦合。旁路滤波顾名思义就是将不需要的交流信号导入大地。滤波其实也是一个意思。在微波射频电路中，各种滤波器的设计都需要使用电容。此外，像EMC设计，对于接口处的LED灯，都会在信号线上加一颗滤波电容，这样可以提高ESD测试时的可靠性。华科电容原装现货就找巨新科。盐田区电容公司
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但使用久了，寿命就有可能降低。电容的介质损耗电容器在电场作用下消耗的能量，通常用损耗功率和电容器的无功功率之比，即损耗角的正切值表示。损耗角越大，电容器的损耗越大，损耗角大的电容不适于高频情况下工作。DF值是高还是低，就同一品牌、同一系列的电容器来说，与温度、容量、电压、频率……都有关系；当容量相同时，耐压愈高的DF值就愈低。此外温度愈高DF值愈高，频率愈高DF值也会愈高。电容的漏电流电容器的介质对直流电流具有很大的阻碍作用。然而，由于铝氧化膜介质上浸有电解液，在施加电压时，重新形成的以及修复氧化膜的时候会产生一种很小的称之为漏电流的电流。通常，漏电流会随着温度和电压的升高而增大。它的计算公式大致是:I＝K×CV。漏电流I的单位是μA，K是常数。一般来说，电容器容量愈高，漏电流就愈大。从公式可得知额定电压愈高，电容的漏电流也愈大，因此降低工作电压亦可降低漏电流。电容的外型尺寸电容的外型尺寸与重量及接脚型态相关。singleended是径向引线式，screw是锁螺丝式，另外还有贴片铝电解电容等。至於重量，同容量同耐压，但品牌不同的两个电容做比较，重量一定不同；而外型尺寸更与外壳规划有关。一般来说。龙岗区陶瓷电容厂家
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