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来源: 发布时间:2022年07月25日

    该微控制器15获取该发光二极管11周围的该热敏电路ntc电路的热敏电阻ntc的阻值,依据温度阻值曲线图(厂家提供的温度-阻值曲线图)获取该热敏电阻ntc的第二温度值,依据该热敏电阻ntc的第二温度值确定该发光二极管11的该良好温度值,该ntc离发光二极管距离比较近的情况下,该第二温度值可以确定为该发光二极管11的良好温度值。在本发明的一个实施例中,提供了一种发光二极管11的控制方法,图7是根据本发明实施例的一种发光二极管的控制方法的流程图,如图7所示,该方法包括如下步骤:步骤s702,获取发光二极管良好温度值和良好压差值,依据该良好温度值和该良好压差值,调用预存储的良好校准数据表进行良好对比,依据该良好对比的结果对该良好压差值进行校准后,获取第二压差值,良好校准数据表为该发光二极管的初始温度值和该初始电压值统计表;步骤s704,获取发光二极管的电流值,依据该第二压差值和该电流值,调用预存储的第二校准数据表进行第二对比,第二校准数据表为该发光二极管的初始压差值和初始电流值统计表,在该第二对比的结果不符合预设阈值的情况下,发送报警信息。通过上述步骤s702至s704,发光二极管11出厂工作后,微控制器15自主控制该发光二极管11的电流。广东乐山二极管代理商公司。重庆激光二极管哪里买

    一pmos管mp1和三pmos管mp3用于产生一电流镜单元偏置电压和二电流镜单元偏置电压。像素外偏置电压产生模块包括运放钳位和产生电流镜偏置两部分,运放钳位部分包括一运算放大器op1、二运算放大器op2、一电阻r1、二电阻r2、二pmos管mp2、四pmos管mp4。一运算放大器op1的正相输入端接基准电压vref,反相输入端接二pmos管mp2的源极即a点,a点通过运放钳位产生步进电压,步进电压的值通过基准电压vref设置,基准电压vref的大小即为想要实现的步进电压的值,一些实施例中基准电压vref和基准电流iref可由同一个带隙基准产生。二运算放大器op2的正相输入端接地,反相输入端接四pmos管mp4的源极即b点,b点通过运放钳位产生0v电压。产生电流镜偏置部分包括一pmos管mp1、三pmos管mp3,一pmos管mp1和三pmos管mp3分别与像素内偏压调节模块内的一电流镜单元和二电流镜单元构成电流镜结构,将流过一pmos管mp1和三pmos管mp3的电流进行镜像。像素内偏压调节模块包括一电流镜单元、二电流镜单元、三电阻r3和五pmos管mp5,一电流镜单元用于将流过一pmos管mp1的电流按比例镜像,二电流镜单元用于镜像流过三pmos管mp3的电流。肖特基 二极管厂家乐山、强茂、捷捷微二极管找巨新科。

    图4是根据本发明实施例的一种发光二极管的控制系统的结构框图二,如图4所示,该系统还包括报警电路21,所述报警电路21与所述微控制器15电性连接,在所述第二对比的结果超出第二校准数据表的合理范围的情况下,所述微控制器15发送报警信号给所述报警电路21,所述报警电路21进行报警,该报警电路21可以为发光设备的灯光报警,也可以是发声设备的声音报警。在一个实施例中,该驱动板12与该发光二极管11连接,微控制器15控制该驱动板15给该发光二管11输出电流的大小,该微控制器15可以设置一个变化的电流值范围,驱动板12将变化的电流值输出给该发光二极管11,该微控制器15也可以输出不同占空比的pwm信号,依据该pwm信号和预设的最大电流值,确定该驱动板12输入给该发光二极管11的该电流值,确定的过程包括:输出电流=pwm占空比*设置的最大电流,实现发光二极管11电流的精细控制。在一个实施例中,在该电压采集电路13是运算差分电路的情况下,通过运算差分电路接入该发光二极管11的两端,获取该发光二极管11的压差值。例如,图5是根据本发明实施例的运放差分输入电路的示意图,如图5所示,该发光二极管11两端的电压分别为v1和v2,输出的电压vout如公式1所示:当r1=r3。

    附图说明此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解,构成本申请的一部分,本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明,并不构成对本发明的不当限定。在附图中:图1是根据本发明实施例的一种发光二极管的控制系统的结构框图一;图2是根据发明实施例的压降和温度的初始工作统计示意图;图3是根据发明实施例的压降和电流的初始工作统计示意图;图4是根据本发明实施例的一种发光二极管的控制系统的结构框图二;图5是根据本发明实施例的运放差分输入电路的示意图;图6是根据本发明实施例的热敏电阻ntc温度采集电路的示意图;图7是根据本发明实施例的一种发光二极管的控制方法的流程图。具体实施方式下文中将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。需要说明的是,在不矛盾的情况下,本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。本发明的实施例提供了一种发光二极管的控制系统,图1是根据本发明实施例的一种发光二极管的控制系统的结构框图一,如图1所示,该系统包括:发光二极管11、驱动板12、电压采集电路13、温度采集电路14和微控制器15;该温度采集电路14获取该发光二极管11良好温度值,并发送给该微控制器15;该电压采集电路14获取该发光二极管11的压差值。强茂开关二极管原装现货。

    所述有机发光二极管在基板上或在基板上方并且包括电极、面向电极的第二电极、以及包含延迟荧光掺杂剂和磷光掺杂剂并布置在电极与第二电极之间的发光材料层;以及布置在基板与有机发光二极管之间并与有机发光二极管连接的薄膜晶体管,其中磷光掺杂剂相对于延迟荧光掺杂剂的重量百分比等于或小于5%。在另一方面,照明装置包括:基板;和有机发光二极管,所述有机发光二极管在基板上或在基板上方并且包括电极、面向电极的第二电极、以及包含延迟荧光掺杂剂和磷光掺杂剂并布置电极与第二电极之间的发光材料层,其中磷光掺杂剂相对于延迟荧光掺杂剂的重量百分比等于或小于5%。根据本发明的一方面,磷光掺杂剂相对于延迟荧光掺杂剂的重量百分比等于或小于约%、或者等于或小于约%。根据本发明的一个方面,磷光掺杂剂相对于延迟荧光掺杂剂的重量百分比等于或大于约%、或者等于或大于约%。根据本发明的一方面,有机发光二极管、有机发光显示装置或照明装置的fwhm在可见光范围内或在450nm至750nm、或500nm至700nm、或500nm至650nm的范围内等于或大于约55nm、60nm、70nm、80nm、90nm、100nm、110nm、120nm、130nm、140nm或甚至150nm。根据本发明的一方面。乐山二极管原装现货。潮州乐山无线电二极管公司

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    ex4)使用式15的延迟荧光掺杂剂和式16的磷光掺杂剂作为掺杂剂以形成eml(基质:%,延迟荧光掺杂剂:30重量%,磷光掺杂剂:%)7.实施例5(ex5)使用式15的延迟荧光掺杂剂和式16的磷光掺杂剂作为掺杂剂以形成eml(基质:%,延迟荧光掺杂剂:30重量%,磷光掺杂剂:%)8.实施例6(ex6)使用式15的延迟荧光掺杂剂和式16的磷光掺杂剂作为掺杂剂以形成eml(基质:%,延迟荧光掺杂剂:30重量%,磷光掺杂剂:%)9.实施例7(ex7)使用式15的延迟荧光掺杂剂和式16的磷光掺杂剂作为掺杂剂以形成eml(基质:%,延迟荧光掺杂剂:30重量%,磷光掺杂剂:%)10.实施例8(ex8)使用式15的延迟荧光掺杂剂和式16的磷光掺杂剂作为掺杂剂以形成eml(基质:%,延迟荧光掺杂剂:20重量%,磷光掺杂剂:%)11.实施例9(ex9)使用式15的延迟荧光掺杂剂和式16的磷光掺杂剂作为掺杂剂以形成eml(基质:%,延迟荧光掺杂剂:20重量%,磷光掺杂剂:%)12.实施例10(ex10)使用式15的延迟荧光掺杂剂和式16的磷光掺杂剂作为掺杂剂以形成eml(基质:%,延迟荧光掺杂剂:40重量%,磷光掺杂剂:%)13.实施例11(ex11)使用式15的延迟荧光掺杂剂和式16的磷光掺杂剂作为掺杂剂以形成eml(基质:%。重庆激光二极管哪里买

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