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    IGBT模块驱动及保护技术1.引言IGBT是MOSFET和双极晶体管的复合器件。它既有MOSFET易驱动的特点，又具有功率晶体管高电压、电流大等优点。其特性发挥出MOSFET和功率晶体管各自的优点，正常情况下可工作于几十kHz的频率范围内，故在较高频率应用范围中，其中中、大功率应用占据了主导地位。IGBT是电压控制型器件，在它的栅极发射极之间施加十几V的直流电压，只有μA级的电流流过，基本上不消耗功率。但IGBT的栅极发射极之间存在较大的寄生电容（几千至上万pF），在驱动脉冲的上升和下降沿需要提供数A级的充放电电流，才能满足开通和关断的动态要求，这使得它的驱动电路也必须输出一定的峰值电流。IGBT作为一种大功率的复合器件，存在着过流时可能发生闭锁现象而造成损坏的问题。在过流时如采取一定的速度***栅极电压，过高的电流变化会引起过电压，需要采用软关断技术，因此掌握好IGBT的驱动和保护特性对于设计人员来说是十分必要的。2．IGBT的栅极特性IGBT的栅极通过氧化膜和发射极实现电隔离。由于氧化膜很薄，其击穿电压一般只能达到20到30V，因此栅极击穿是IGBT**常见的失效原因之一。在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过**大额定栅极电压。EconoBRIDGE 可在整流级*有二极管时实现不控整流，也可在整流级中使用晶闸管实现半控整流。山东有什么模块推荐货源

1.2正向特性1）外加正向电压较小时，二极管呈现的电阻较大，正向电流几乎为零，曲线OA段称为不导通区或死区。一般硅管的死区电压约为0.5伏，锗的死区电压约为0.2伏，该电压值又称门坎电压或阈值电压。2）当外加正向电压超过死区电压时，PN结内电场几乎被抵消，二极管呈现的电阻很小，正向电流开始增加，进入正向导通区，但此时电压与电流不成比例如AB段。随外加电压的增加正向电流迅速增加，如BC段特性曲线陡直，伏安关系近似线性，处于充分导通状态。3）二极管导通后两端的正向电压称为正向压降（或管压降），且几乎恒定。硅管的管压降约为0.7V，锗管的管压降约为0.3V。江苏质量模块报价表二极管导通后两端的正向电压称为正向压降（或管压降），且几乎恒定。硅管的管压降约为0.7V。

    随集电极-发射极电压的升高而增强（请参见等式（8））。低阻抗（即，低杂散电感）栅极驱动电路，也可比较大限度地降低发生寄生导通事件的风险。开关时间数据表中给出的开关时间，为确定半桥配置中的互补器件的接通与关断之间的恰当空载时间，提供了有用信息。关于设置恰当的空载时间的更多信息，请参阅参考资料[1]。数据表中给出的开关时间的定义如下，如图14中的示意图所示。接通延时（tdon）：10%栅极-发射极电压，至10%集电极电流升高时间（tr）：10%集电极电流，至90%集电极电流关断延时（tdoff）：90%栅极-发射极电压，至90%集电极电流下降时间（tf）：90%集电极电流，至10%集电极电流开关时间不能提供关于开关损耗的可靠信息，因为电压升高时间和下降时间以及电流拖尾均未确定。因此，每个脉冲造成的功率损耗需单独确定。图14开关波形示意图以及开关时间和功率损耗定义在数据表中，将每个脉冲造成的开关损耗定义为如下积分：积分范围t1和t2为：每个脉冲造成的接通功率损耗（Eon）：10%集电极电流，至2%集电极-发射极电压每个脉冲造成的关断功率损耗（Eoff）：10%集电极-发射极电压，至2%集电极电流这样，开关时间和每个脉冲造成的功率损耗。

    三、根据开关频率选择不同的IGBT系列IGBT的损耗主要由通态损态和开关损耗组成，不同的开关频率，开关损耗和通态损耗所占的比例不同。而决定IGBT通态损耗的饱和压降VCE(sat)和决定IGBT开关损耗的开关时间（ton，toff）又是一对矛盾，因此应根据不同的开关频率来选择不同特征的IGBT。在低频如fk<10KHz时，通态损耗是主要的，这就需要选择低饱和压降型IGBT系列。对于英飞凌产品需选用后缀为“KE3”或“DLC”系列IGBT；但英飞凌后缀为“KT3”系列饱和压降与“KE3”系列饱和压降相近，“KT3”比“KE3”开关损耗降低20％左右，因而“KT3”将更有优势。“KT3”由于开关速度更快，对吸收与布线要求更高。若开关频率在10KHz－15KHz之间，请使用英飞凌后缀为“DN2”和“KT3”的IGBT模块，今后对于fk≤15KHz的应用场合，建议客户逐步用“KT3”取代“KE3”，“DLC”或“DN2”。当开关频率fk≥15KHz时，开关损耗是主要的，通态损耗占的比例比较小。比较好选择英飞凌短拖尾电流“KS4”高频系列。当然对于fk在15KHz－20KHz之间时，“DN2”系列也是比较好的选择。英飞凌“KS4”高频系列，硬开关工作频率可达40KHz；若是软开关，可工作在150KHz左右。IGBT在高频下工作时。二极管承受反向电压时，加强了PN结的内电场，二极管呈现很大电阻，此时*有很小的反向电流。

    首先可用在线盘处串接灯泡的办法大致判断一下主板驱动等部分是否正常;2、接上线盘先开机试一下无锅能否正常报警，若能则关机放上锅具，采用几次短时(1秒左右)开机试加热后用手摸散热板(注意拔掉插头以防触电)温度，若温升明显则还有问题，需进一步查找发热原因?3、IGBT温度过高是电流过大，为什么过大就是没有通断通断，你说电压都正常，为何会爆管。你可以把线圈拆去，接上60W电灯泡试，有的是不亮，有的闪亮，如果常亮或比较亮就不行了!4.串接灯泡试，是间隙性闪亮，只是感觉亮的瞬间亮度比较亮。就会爆IGBT。5:很多电磁炉主板上电容已经减容，如:MC-SY191C型，有3个220UF/25V已经降至73UF没换新的话，维修好有时候用几天，有时候炒几盘菜客户就回修，又是爆IGBT等等2020-08-30美的电磁炉为什么总是烧IGBT看看大家的看法放锅加热爆IGBT管(侯森经历)故障检修方法如下：1、换好损坏的元件后，首先可用在线盘处串接灯泡的办法大致判断一下主板驱动等部分是否正常；2、接上线盘先开机试一下无锅能否正常报警，若能则关机放上锅具，采用几次短时（1秒左右）开机试加热后用手摸散热板（注意拔掉插头以防触电）温度，若温升明显则还有问题。当外加正向电压超过死区电压时，PN结内电场几乎被抵消，二极管呈现的电阻很小。安徽贸易模块成本价

正向电流开始增加，进入正向导通区，但此时电压与电流不成比例如AB段。山东有什么模块推荐货源

    igbt模块IGBT绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。IGBT非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。图1所示为一个N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构，N+区称为源区，附于其上的电极称为源极。N+区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P型区（包括P+和P一区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区（Subchannelregion）。而在漏区另一侧的P+区称为漏注入区（Draininjector），它是IGBT特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP晶体管提供基极电流，使IGBT导通。反之。山东有什么模块推荐货源

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