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    Le是射极回路漏电感，用电感L1与二极管VD并联作为负载。图2IGBT开通波形IGBT开通波形见图2b。T0时刻，IGBT处于关断状态，栅极驱动电压开始上升，Uge的上升斜率上要由Rg和Cgc决定，上升较快。到t1时刻。Uge达到栅极门槛值(约4~5V)，集电极电流开始上升。导致Uge波形偏离原有轨迹的因素主要有两个：一是发射极电路中分布电感Le的负反馈作用；二是栅极-集电极电容Cgc的密勒效应。t2时刻，Ic达到比较大值，集射极电压Uce下降，同时Cgc放电，驱动电路电流增大，使得Rg和R上分压加大，也造成Uge下降。直到t3时刻，Uce降为0，Ic达到稳态值，Uge才以较快的上升率达到比较大值。IGBT关断波形如图2c所示。T0时刻栅极驱动电压开始下降，到t1时刻达到刚能维持Ic的水下，lGBT进入线性工作区，Uce开始上升，对Cgc、Cge充电，由于对两个寄生电容的耦合充电作用，使得在t1~t2期间，Uge基本不变。在t3时刻，Uce上升结束，Uge和Ic以栅极-发射极间固有阻抗下降为0。通过以上分析可知，对IGBT开通关断过程影响较大的因素是驱动电路的阻杭、Le和Cge。因此在设计驱动电路的时候，应选择Cgc较小的IGBT，并通过合理布线、选择合理电阻等方法改善开通与关断的过程。，四路驱动电路完全相同。大功率二极管和晶闸管旨在显著提高众多应用的效率，覆盖10 kW-10 GW的宽广功率范围。浙江进口模块批发价

    在它的栅极—发射极间施加十几V的直流电压，只有在uA级的漏电流流过，基本上不消耗功率。2IGBT模块的选择IGBT模块的电压规格与所使用装置的输入电源即试电电源电压紧密相关。其相互关系见下表。使用中当IGBT模块集电极电流增大时，所产生的额定损耗亦变大。同时，开关损耗增大，使原件发热加剧，因此，选用IGBT模块时额定电流应大于负载电流。特别是用作高频开关时，由于开关损耗增大，发热加剧，选用时应该降等使用。3使用中的注意事项由于IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20～30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点：在使用模块时，尽量不要用手触摸驱动端子部分，当必须要触摸模块端子时，要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后，再触摸；在用导电材料连接模块驱动端子时，在配线未接好之前请先不要接上模块；尽量在底板良好接地的情况下操作。在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极比较大额定电压，但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合，也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此，通常采用双绞线来传送驱动信号。宁夏变频模块高性价比 ›全程采用X射线100%监测生产，保 障产品的高性能和使用寿命 • 使用铜基板，便于快捷安装。

    栅极驱动电路的阻抗越低，这种效应越弱，此效应一直维持到t3时刻，Uce降到IGBT的饱和电压为止。它的影响同样减缓了IGBT的开通过程。在t3时刻后，Ic达到稳态值，影响栅极电压Uge的因素消失后，Uge以较快的上升率达到**大值。从图1的波形可以看出，由于Le和Cge的存在，在IGBT的实际运行中Uge减缓了许多，这种阻碍驱动电压上升的效应，表现为对集电极电流上升及开通过程的阻碍。为了减缓此效应，应使IGBT模块的Le和Cgc和栅极驱动电路的内阻尽量的小，以获得较快的开通速度。图2IGBT的关断波形如图2所示，t0时刻驱动电压开始下降，在t1时刻达到刚好能够维持集电极正常工作的电流水平，IGBT进入线性工作区。Uce开始上升，此时,栅极集电极间电容Cgc的密勒效应支配着Uge的下降，因Cgc耦合充电作用，Uge在t1到t2期间基本保持不变，在t2时刻Uge和Ic开始以栅极发射极固有阻抗所决定的速度下降，在t3时Uge和Ic均降为零，关断结束。从图2可以看出，由于电容Cgc的存在，使的IGBT的关断过程也延长了许多。为了减小此影响，一方面应该选择Cgc较小的IGBT器件，另一方面应该减小驱动电路的内阻抗，使流入Cgc的充电电流增加，可以加快Uge的下降速度。在实际应用中。

    以减少寄生电感。在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。此外，在栅极—发射极间开路时，若在集电极与发射极间加上电压，则随着集电极电位的变化，由于集电极有漏电流流过，栅极电位升高，集电极则有电流流过。这时，如果集电极与发射极间存在高电压，则有可能使IGBT发热及至损坏。在使用IGBT的场合，当栅极回路不正常或栅极回路损坏时（栅极处于开路状态），若在主回路上加上电压，则IGBT就会损坏，为防止此类故障，应在栅极与发射极之间串接一只10KΩ左右的电阻。在安装或更换IGBT模块时，应十分重视IGBT模块与散热片的接触面状态和拧紧程度。为了减少接触热阻，比较好在散热器与IGBT模块间涂抹导热硅脂。一般散热片底部安装有散热风扇，当散热风扇损坏中散热片散热不良时将导致IGBT模块发热，而发生故障。因此对散热风扇应定期进行检查，一般在散热片上靠近IGBT模块的地方安装有温度感应器，当温度过高时将报警或停止IGBT模块工作。4保管时的注意事项一般保存IGBT模块的场所，应保持常温常湿状态，不应偏离太大。常温的规定为5～35℃，常湿的规定在45～75％左右。在冬天特别干燥的地区，需用加湿机加湿;尽量远离有腐蚀性气体或灰尘较多的场合。二极管导通后两端的正向电压称为正向压降（或管压降），且几乎恒定。硅管的管压降约为0.7V。

双向可控硅作用1、双向可控硅在电路中的作用是：用于交流调压或交流电子开关。2、双向可控硅”是在普通可控硅的基础上发展而成的，它不仅能代替两只反极性并联的可控硅，而且*需一个触发电路，是比较理想的交流开关器件。其英文名称TRIAC即三端双向交流开关之意。3、可控硅的优点很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍数高达几十万倍；反应极快，在微秒级内开通、关断；无触点运行，无火花、无噪音；效率高，成本低等等。双向可控硅应用现在可控硅应用市场很多，可控硅应用在自动控制领域，机电领域，工业电器及家电等方面都有可控硅的身影。许先生告诉记者，他目前的几个大单中还有用于卷发产品的单，可见可控硅在人们的生活中都有应用。更重要的是，可控硅应用相当稳定，比方说用于家电产品中的电子开关，可以说是鲜少变化的。无论其他的元件怎么变化，可控硅的变化是不大的，这相对来说，等于扩大的可控硅的应用市场，减少了投资的风险。具有比较高功率密度和更多功能的高性能平板封装器件、具有高性价比的晶闸管/二极管模块。品质模块批发厂家

P区的引出的电极称为正极或阳极，N区的引出的电极称为负极或阴极。浙江进口模块批发价

    则降低了故障时器件的损耗，延长了器件抗短路的时间，而且能够降低器件关断时的di/dt，对器件的保护十分有利。若延时后故障信号依然存在，则关断器件，若故障信号消失，则驱动电路恢复到正常工作状态，因而**增强了抗*扰的能力。上述降栅压的方法只考虑了栅压与短路电流大小的关系，而在实际应用中，降栅压的速度也是一个重要因素，它直接决定了故障电流下降的di/dt。慢降栅压技术就是通过限制降栅压的速度来控制故障电流的下降速度，从而抑制器件的di/dt和Uce的峰值。图3给出了慢降栅压的具体电路图。图3正常工作时，因故障检测二极管VD1的导通，将a点的电压钳位在稳压二极管ZV1的击穿电压之下，晶体管VT1始终保持截止状态。V1通过驱动电阻Rg正常开通和关断。电容C2为硬开关应用场合提供一很小的延时，使V1开通时Uce有一定的时间从高电压降到通态压降，而不使保护电路动作。当电路发生过流和短路故障时，V1上的Uce上升，a点电压随之上升，到一定值时，VZ1击穿，VT1开通，b点电压下降，电容C1通过电阻R1充电，电容电压从零开始上升，当电容电压上升至约，晶体管VT2开通，栅极电压Uge随着电容电压的上升而下降，通过调节C1的数值，可控制电容的充电速度。浙江进口模块批发价

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