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    其总损耗与开关频率的关系比较大，因此若希望IGBT工作在更高的频率，可选择更大电流的IGBT模块；另一方面，软开关主要是降低了开关损耗，可使IGBT模块工作频率**提高。随着IGBT模块耐压的提高，IGBT的开关频率相应下降，下面列出英飞凌IGBT模块不同耐压，不同系列工作频率fk的参考值。600V“DLC”开关频率可达到30KHz600V“KE3”开关频率可达到30KHz1200V“DN2”开关频率可达到20KHz1200V“KS4”开关频率可达到40KHz1200V“KE3”开关频率可达到10KHz1200V“KT3”开关频率可达到15KHz1700V“DN2”开关频率可达到10KHz1700V“DLC”开关频率可达到5KHz1700V“KE3”开关频率可达到5KHz3300V“KF2C”开关频率可达到3KHz6500V“KF1”开关频率可达到1KHz。我们的产品组合包括不同的先进IGBT功率模块产品系列，它们拥有不同的电路结构、芯片配置和电流电压等级。新能源模块商城

    随集电极-发射极电压的升高而增强（请参见等式（8））。低阻抗（即，低杂散电感）栅极驱动电路，也可比较大限度地降低发生寄生导通事件的风险。开关时间数据表中给出的开关时间，为确定半桥配置中的互补器件的接通与关断之间的恰当空载时间，提供了有用信息。关于设置恰当的空载时间的更多信息，请参阅参考资料[1]。数据表中给出的开关时间的定义如下，如图14中的示意图所示。接通延时（tdon）：10%栅极-发射极电压，至10%集电极电流升高时间（tr）：10%集电极电流，至90%集电极电流关断延时（tdoff）：90%栅极-发射极电压，至90%集电极电流下降时间（tf）：90%集电极电流，至10%集电极电流开关时间不能提供关于开关损耗的可靠信息，因为电压升高时间和下降时间以及电流拖尾均未确定。因此，每个脉冲造成的功率损耗需单独确定。图14开关波形示意图以及开关时间和功率损耗定义在数据表中，将每个脉冲造成的开关损耗定义为如下积分：积分范围t1和t2为：每个脉冲造成的接通功率损耗（Eon）：10%集电极电流，至2%集电极-发射极电压每个脉冲造成的关断功率损耗（Eoff）：10%集电极-发射极电压，至2%集电极电流这样，开关时间和每个脉冲造成的功率损耗。家居模块批发厂家它们可以与 EconoPACK 2 & 3 和 EconoPACK 4 封装三相桥较高程度地配合使用。

    RC吸收电路因电容C的充电电流在电阻R上产生压降，还会造成过冲电压，.RCD电路因用二极管旁路了电阻上的充电电流，从而克服了过冲电压。放电阻止型缓冲电路中吸收电容C的放电电压为电源电压，每次关断前C*将上次关断电压的过冲部分能量回馈到电源，减小了吸收电路的功耗。因电容电压在IGBT关断时从电源电压开始上升，它的过电压吸收能力不如RCD型充放电型。从吸收过电压的能力来说，放电阻止型效果稍差，但能量消耗较小。对缓冲吸收电路的要求是：⑴尽量减小主电路的布线电感L；⑵吸收电容应采用低感或无感吸收电容，它的引线应尽量短，**好直接接在IGBT的端子上；⑶吸收二极管应采用快开通和快软恢复二极管，以免产生开通过电压，和反向恢复引起较大的振荡过电压。，得出了设计时应注意的几点事项：⑴IGBT由于集电极-栅极的寄生电容的密勒效应的影响，能引起意外的电压尖峰损害，所以设计时应让栅极的阻抗足够低，以尽量消除其负面影响；⑵栅极串联电阻和驱动电路内阻抗对IGBT的开通过程及驱动脉冲的波形都有很大的影响，所以设计时要综合考虑；⑶应采用慢降栅压技术来控制故障电流的下降速率，从而抑制器件的du/dt和Uge的峰值，达到短路保护的目的。

双向可控硅作用1、双向可控硅在电路中的作用是：用于交流调压或交流电子开关。2、双向可控硅”是在普通可控硅的基础上发展而成的，它不仅能代替两只反极性并联的可控硅，而且*需一个触发电路，是比较理想的交流开关器件。其英文名称TRIAC即三端双向交流开关之意。3、可控硅的优点很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍数高达几十万倍；反应极快，在微秒级内开通、关断；无触点运行，无火花、无噪音；效率高，成本低等等。双向可控硅应用现在可控硅应用市场很多，可控硅应用在自动控制领域，机电领域，工业电器及家电等方面都有可控硅的身影。许先生告诉记者，他目前的几个大单中还有用于卷发产品的单，可见可控硅在人们的生活中都有应用。更重要的是，可控硅应用相当稳定，比方说用于家电产品中的电子开关，可以说是鲜少变化的。无论其他的元件怎么变化，可控硅的变化是不大的，这相对来说，等于扩大的可控硅的应用市场，减少了投资的风险。当加上输入信号VI（一般为高电平）、并且交流负载电源电压通过零点时，双向晶闸管被触发，将负载电源接通。

    因此在驱动电路的输出端给栅极加电压保护，并联电阻Rge以及反向串联限幅稳压管，如图4所示。图4栅极保护电路栅极串联电阻Rg对IGBT开通过程影响较大。Rg小有利于加快关断速度，减小关断损耗，但过小会造成di/dt过大，产生较大的集电极电压尖峰。根据本设计的具体要求，Rg选取Ω。栅极连线的寄生电感和栅极与射极间的寄生电容耦合，会产生振荡电压，所以栅极引线应采用双绞线传送驱动信号，并尽可能短，比较好不超过m，以减小连线电感。四路驱动电路光耦与PWM两路输出信号的接线如图5所示。图5四路驱动电路光耦与PWM的两路输出信号的接线实验波形如图6所示。图6a是栅极驱动四路输出波形。同时测四路驱动波形时，要在未接通主电路条件下检测。因为使用多踪示波器检测时，只允许一只探头的接地端接参考电位，防止发生短路烧坏示波器。只有检测相互间电路隔离的电路信号时，才可以同时使用接地端选择公共参考电位。图6b是IGBT上集-射极电压Uce波形。由于全桥式逆变电路中IGBT相互间的电路信号是非隔离的，不能用普通探头进行多踪示波，该电压波形是用高压隔离探头测得，示波器读数为实际数值的1/50。由波形可知，lGBT工作正常。在桥式逆变电路中影响Uce波形的。二极管由管芯、管壳和两个电极构成。管芯是一个PN结，在PN结的两端各引出一个引线，并用塑料。海南模块厂家直销

具有比较高功率密度和更多功能的高性能平板封装器件、具有高性价比的晶闸管/二极管模块。新能源模块商城

西门康IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)结构和工作原理绝缘栅双极型晶体管是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。西门康IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。在西门康IGBT得到大力发展之前，功率场效应管MOSFET被用于需要快速开关的中低压场合，晶闸管、GTO被用于中高压领域。MOSFET虽然有开关速度快、输入阻抗高、热稳定性好、驱动电路简单的优点;但是，在200V或更高电压的场合，MOSFET的导通电阻随着击穿电压的增加会迅速增加，使得其功耗大幅增加，存在着不能得到高耐压、大容量元件等缺陷。双极晶体管具有优异的低正向导通压降特性，虽然可以得到高耐压、大容量的元件，但是它要求的驱动电流大，控制电路非常复杂，而且交换速度不够快。新能源模块商城

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