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    即检测输入端或直流端的总电流，当此电流超过设定值后比较器翻转，***所有IGBT输入驱动脉冲，使输出电流降为零。这种过载过流保护，一旦动作后,要通过复位才能恢复正常工作。IGBT能够承受很短时间的短路电流，能够承受短路电流的时间与该IGBT的饱和导通压降有关，随着饱和导通压降的增加而延长。如饱和压降小于2V的IGBT允许的短路时间小于5μS，而饱和压降为3V的IGBT的允许短路时间可达15μS，4～5V时可达到30μS以上。存在以上的关系是由于随着饱和导通压降的降低，IGBT的阻抗也降低，短路电流同时增大，短路时的功耗随着电流的平方增大，造成承受短路时间迅速减小。通常采取的保护措施有软关断和降栅压两种。软关断是指在过流和短路时，直接关断IGBT。但是，软关断抗干扰能力差，一旦检测到过流信号就关断，很容易发生误动作。为增加保护电路的抗干扰能力，可在故障信号和保护动作之间加一延时，不过故障电流会在这个延时时间内急剧上升，**增加了故障损耗，同时还会导致器件的di/dt过大。所以往往是保护电路启动了，器件依然损坏了。降栅压旨在检测到器件过流时，马上降低栅压，但器件仍维持导通。降栅压后，设有固定延时，故障电流在这一段时间内被限制在一个较小的值。该器件还适用于通用线电压整流器应用，如电源和标准驱动。湖北模块欢迎选购

    根据数据表中标示的IGBT的寄生电容，可以分析dV/dt引起的寄生导通现象。可能的寄生导通现象，是由集电极-栅极和栅极-发射极之间的固有容性分压器引起的（请参见图9）。考虑到集电极-发射极上的较高瞬态电压，这个固有的容性分压器比受限于寄生电感的外接栅极驱动电路快得多。因此，即使栅极驱动器关断了IGBT，即，在零栅极-发射极电压状态下，瞬态集电极-发射极电压也会引起与驱动电压不相等的栅极-发射极电压。忽略栅极驱动电路的影响，可以利用以下等式，计算出栅极-发射极电压：因此，商数Cres/Cies应当尽可能低，以避免dV/dt引起寄生导通现象（商数约为35，请参见图12）。此外，输入电容应当尽可能低，以避免栅极驱动损耗。图12IGBT的寄生电容（摘自数据表）数据表中给出的寄生电容是在恒定的25V集电极-发射极电压条件下的值（请参见图12）。栅极-发射极电容约为该恒定集电极-发射极电压条件下的值（等式（9））。反向传递电容严重依赖于集电极-发射极电压，可以利用等式（10）估算得到（请参见图13）：图13利用等式（9）和（10）计算得到的不同集电极-发射极电压条件下的输入和反向传递电容近似值所以，防止dV/dt引起的寄生导通现象的稳定性。河北模块销售价格实际应用中，反向电流越小说明二极管的反向电阻越大，反向截止性能越好。

    进而控制Uge的下降速度；当电容电压上升至VZ2的击穿电压时，VZ2击PDF文件使用"pdfFactoryPro"试用版本创建江苏宏微科技有限公司设计天地与应用指南穿，Uge被钳位在一个固定的值上，慢降栅压过程结束。同时驱动电路通过光耦输出故障信号。如果在延时过程中，故障信号消失了，则a点电压降低，VT1恢复截止，C1通过R2放电，d点电位升高，VT2也恢复截止，Uge上升，电路恢复正常工作状态。，尤其是在短路故障的情况下，如不采取软关断措施，它的临界电流下降率将达到kA/μS。极高的电压下降率将会在主电路的分布电感上感应出很高的过电压，导致IGBT关断时电流电压的运行轨迹超出安全工作区而损坏。所以从关断的角度考虑，希望主电路的电感和电流下降率越小越好。但是对IGBT的开通来说，集电极电路的电感有利抑制反向二极管的反向恢复电流和电容器充放电造成的峰值电流，能减小开通损耗，承受较高的开通电流上升率。一般情况下，IGBT开关电路的集电极不需要串联电感，其开通损耗可以通过改善栅极驱动条件加以控制。，通常都要给IGBT主电路设计关断吸收缓冲电路。IGBT的关断缓冲吸收电路可分为充放电型和放电阻止型。充放电型有RC吸收和RCD吸收两种。

    其总损耗与开关频率的关系比较大，因此若希望IGBT工作在更高的频率，可选择更大电流的IGBT模块；另一方面，软开关主要是降低了开关损耗，可使IGBT模块工作频率**提高。随着IGBT模块耐压的提高，IGBT的开关频率相应下降，下面列出英飞凌IGBT模块不同耐压，不同系列工作频率fk的参考值。600V“DLC”开关频率可达到30KHz600V“KE3”开关频率可达到30KHz1200V“DN2”开关频率可达到20KHz1200V“KS4”开关频率可达到40KHz1200V“KE3”开关频率可达到10KHz1200V“KT3”开关频率可达到15KHz1700V“DN2”开关频率可达到10KHz1700V“DLC”开关频率可达到5KHz1700V“KE3”开关频率可达到5KHz3300V“KF2C”开关频率可达到3KHz6500V“KF1”开关频率可达到1KHz。通过晶体管图示仪观察到硅二极管的伏安特性如下图所示。

英飞凌二极管综述：具有比较高功率密度和更多功能的高性能平板封装器件、具有高性价比的晶闸管/二极管模块、采用分立封装的高效硅基或CoolSiCTM碳化硅二极管以及裸片等灵活多样产品组合大功率二极管和晶闸管旨在显著提高众多应用的效率，覆盖10kW-10GW的宽广功率范围，树立了行业应用**。分立式硅或碳化硅（SiC）肖特基二极管的应用范围包括服务器堆场、太阳能发电厂和储能系统等；同时适用于工业和汽车级应用。优势：•高性价比›全程采用X射线100%监测生产，保障产品的高性能和使用寿命•使用铜基板，便于快捷安装•完整的模块封装技术组合，一站式购齐二极管由管芯、管壳和两个电极构成。管芯是一个PN结。甘肃可控硅模块

过零触发型交流固态继电器（AC-SSR）的内部电路。湖北模块欢迎选购

英飞凌IGBT综述：我们的产品组合包括不同的先进IGBT功率模块产品系列，它们拥有不同的电路结构、芯片配置和电流电压等级，适用于几乎所有应用。市场**的62mm、Easy和Econo系列、IHM/IHVB系列、PrimePACK和XHP系列功率模块都采用了***的IGBT技术。它们有斩波器、DUAL、PIM、四单元、六单元、十二单元、三电平、升压器或单开关配置，电流等级从6A到3600A不等。IGBT模块的适用功率小至几百瓦，高至数兆瓦。这些产品可用于通用驱动器、牵引、伺服装置和可再生能源发电（如光伏逆变器或风电应用）等应用，具有高可靠性、出色性能、高效率和使用寿命长的优势。IGBT模块采用预涂热界面材料（TIM），能让电力电子应用实现一致性的散热性能。此外，IGBT模块可以借助压接引脚进行安装，从而实现无焊料无铅的功率模块安装。英飞凌可控硅：综述：6.5kV片式晶闸管系列包括四款强大而可靠的片式器件，专为满足中压软起动器应用的特殊要求而开发。所有器件均具备很强的抗浪涌电流能力。开关性能经过优化，可以按串联器件的数量轻松调整软起动器，以适应不同的工作电压。该器件还适用于通用线电压整流器应用，如电源和标准驱动。湖北模块欢迎选购

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