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来源: 发布时间:2023年03月29日

    **名称:非绝缘双塔型二极管模块的制作方法技术领域:本实用新型涉及一种用于逆变焊机电源及各种开关电源的二极管,尤其是涉及一种非绝缘双塔型二极管模块。背景技术:非绝缘双塔结构二极管是一种标准外形尺寸的模块产品,由于产品外形简单、成本低,适用范围广。而目前公开的非绝缘双塔型二极管模块,见图i所示,由二极管芯片3'、底板r、带螺孔的主电极铜块5'以及外壳9,构成,二极管芯片3'的上下面分别通过上钼片2'、下钼片4'与底板l'和主电极铜块5'固定连接,主电极铜块5'与外壳9'和底板r之间用环氧树脂灌注,在高温下固化将三者固定在一起。由于主电极为块状结构,故底板、二极管芯片、主电极之间均为硬连接。在长期工作运行过程中,由于二极管芯片要承受机械振动、机械应力以及热应力等因素的影响,使得二极管内部的半导体二极管芯片也产生机械应力。因与二极管芯片连接的材料不同其热膨胀系数也不同,又会使二极管芯片产生热应力,一旦主电极发生松动,就会造成二极管芯片的碎裂。常规非绝缘双塔型二极管模块在安装过程中是将底板安装在散热器上,然后将另一电极用螺钉安装在主电极铜块上,主电极所承受的外力一部分力直接作用到二极管芯片上。左边所示为一个N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构, N+区称为源区,附于其上的电极称为源极(即发射极E)。贸易模块批发价

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    可通过连接桥板的变形来释放所受到的应力,加之主电极也为折弯的条板,主电极的一侧固定连接在连接桥板上,使主电极也能释放机械应力和热应力,因此可通过连接桥板以及主电极降低二极管芯片的机械应力和热应力,有效地降低了二极管在长期工作中因机械震动以及发热所产生的机械应力和热应力。2、本实用新型由于在壳体的顶部设有用于紧固件定位用的定位凹槽,而覆在壳体顶部的主电极上设有过孔并与壳体上的定位凹槽对应,由于螺钉安装时的力矩方向为水平方向,因此在模块装配及电极装配的过程中,主电极不再受外部机械应力的影响,故二极管芯片没有机械应力的作用,在工作运行时也不会受到机械应力的影响,提高了二极管工作可靠性。3、本实用新型通过软弹性胶对下过渡层、二极管芯片、上过渡层、连接桥板、绝缘体以及主电极灌注密封,因此二极管芯片能通过软弹性胶进行保护,不仅使连接桥板和主电极能释放因振动而产生的机械应力以及工作中所产生的热应力,而且通过软弹性胶使热应力不会作用于二极管芯片上,因此二极管工作可靠性得到很大提高。以下结合附图对本实用新型的实施例作进一步的详细描述。图1是已有非绝缘双塔型二极管模块的结构示意图。

    但在中**MOSFET及IGBT主流器件市场上,90%主要依赖进口,基本被国外欧美、日本企业垄断。国外企业如英飞凌、ABB、三菱等厂商研发的IGBT器件产品规格涵盖电压600V-6500V,电流2A-3600A,已形成完善的IGBT产品系列。英飞凌、三菱、ABB在1700V以上电压等级的工业IGBT领域占***优势;在3300V以上电压等级的高压IGBT技术领域几乎处于垄断地位。在大功率沟槽技术方面,英飞凌与三菱公司处于国际**水平。西门康、仙童等在1700V及以下电压等级的消费IGBT领域处于优势地位。尽管我国拥有**大的功率半导体市场,但是目前国内功率半导体产品的研发与国际大公司相比还存在很大差距,特别是IGBT等**器件差距更加明显。**技术均掌握在发达国家企业手中,IGBT技术集成度高的特点又导致了较高的市场集中度。跟国内厂商相比,英飞凌、三菱和富士电机等国际厂商占有***的市场优势。形成这种局面的原因主要是:1、国际厂商起步早,研发投入大,形成了较高的**壁垒。2、国外**制造业水平比国内要高很多,一定程度上支撑了国际厂商的技术优势。中国功率半导体产业的发展必须改变目前技术处于劣势的局面,特别是要在产业链上游层面取得突破,改变目前功率器件领域封装强于芯片的现状。总的来说。我们一般家庭里家用电器全部开启最大电流也不会超过30A。

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普通晶闸管的三个电极可以用万用表欧姆挡R×100挡位来测。大家知道,晶闸管G、K之间是一个PN结〔图2(a)〕,相当于一个二极管,G为正极、K为负极,所以,按照测试二极管的方法,找出三个极中的两个极,测它的正、反向电阻,电阻小时,万用表黑表笔接的是控制极G,红表笔接的是阴极K,剩下的一个就是阳极A了。测试晶闸管的好坏,可以用刚才演示用的示教板电路(图3)。接通电源开关S,按一下按钮开关SB,灯泡发光就是好的,不发光就是坏的。可控硅模块造价信息 封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上。品质模块工业化

漂移区域的上面是主体区域,它由 (p) 基板组成,靠近发射极,在主体区域内部,有 (n+) 层。贸易模块批发价

    7)固定在底板(1)上,顶部具有定位凹槽的外壳(9)固定在底板(1)上;所述的主电极(6)为两个以上折边的条板,主电极(6)的内侧与连接桥板(5)固定连接,主电极(6)的另一侧穿出外壳(9)并覆在外壳(9)顶部,且覆在外壳(9)顶部的主电极(6)上设有过孔(61)并与壳体(9)上的定位凹槽(91)对应,下过渡层(4)、二极管芯片(3)、上过渡层(2)、连接桥板(5)、绝缘体(7)的外周以及主电极(6)的一侧灌注软弹性胶(8)密封。2、根据权利要求1所述的非绝缘双塔型二极管模块,其特征在于所述的连接桥板(5)为两端平板中部凸起的梯形。3、根据权利要求1所述的非绝缘双塔型二极管模块,其特征在于所述的连接桥板(5)为两端平板且中部凸起弓形。4、根据权利要求1所述的非绝缘双塔型二极管模块,其特征在于所述外壳(9)顶部的定位凹槽(91)的槽边至少设有两个平行的平面,且下部设有过孔。5、根据权利要求1所述的非绝缘双塔型二极管模块,其特征在于所述的绝缘体(7)是两面涂有或覆有金属层的陶瓷片。6、根据权利要求1所述的非绝缘双塔型二极管模块,其特征在于所述的上过渡层(2)为钼片或钨片或可伐片。7、根据权利要求1所述的非绝缘双塔型二极管模块,其特征在于所述的下过渡层(4)为钼片或钨片或可伐片。贸易模块批发价

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