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    GSM系统规范对手机发射功率的精度、平坦度、发射频谱纯度以及带外杂散信...发表于2017-12-1217:58•171次阅读空间电压矢量svpwm控制原理解析PAM是英文PulseAmplitudeModulation（脉冲幅度调制）缩写，是按一定规律改变...发表于2017-12-1113:33•2402次阅读基于TL494的12V直流电压转变220V逆变电...目前所有的双端输出驱动IC中，可以说美国德克萨斯仪器公司开发的TL494功能**完善、驱动能力**强，其...发表于2017-12-0515:18•648次阅读基于LTC3115-1的手持式设备、工业仪表和汽...手持式设备、工业仪表和汽车电子系统都需要能支持多种输入电压的电源解决方案，这些输入电压是由汽车输入电...发表于2017-12-0211:14•189次阅读家用供电分析及电压起源解读这也就造成了各个电厂所提供的民用电压依赖于所进口国家电压的情况。据《民国时期机电技术》中记载，关于用...发表于2017-12-0111:30•778次阅读压敏电阻的原理及电流、电压计算分析压敏电阻一般并联在电路中使用，当电阻两端的电压发生急剧变化时，电阻短路将电流保险丝熔断，起到保护作用...发表于2017-11-2911:23•405次阅读阈值电压的计算阈值电压。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT关断。常规模块直销价

    脉冲的幅值与栅驱动电路阻抗和dV/dt的实际数值有直接关系。IGBT本身的设计对减小C和C的比例非常重要，它可因此减小dV/dt感生电压幅值。如果dV/dt感生电压峰值超过IGBT的阀值，Q1产生集电极电流并产生很大的损耗，因为此时集电极到发射极的电压很高。为了减小dV/dt感生电流和防止器件开通，可采取以下措施：关断时采用栅极负偏置，可防止电压峰值超过V，但问题是驱动电路会更复杂。减小IGBT的CGC寄生电容和多晶硅电阻Rg’。减小本征JFET的影响图3给出了为反向偏置关断而设计的典型IGBT电容曲线。CRES曲线（及其他曲线）表明一个特性，电容一直保持在较高水平，直到V接近15V，然后才下降到较低值。如果减小或消除这种“高原”(plateau)特性，C的实际值就可以进一步减小。这种现象是由IGBT内部的本征JFET引起的。如果JFET的影响可以**小化，C和C可随着VCE的提高而很快下降。这可能减小实际的CRES，即减小dV/dt感生开通对IGBT的影响。图3需负偏置关断的典型IGBT的寄生电容与V的关系。IRGP30B120KD-E是一个备较小C和经改良JFET的典型IGBT。这是一个1200V，30ANPTIGBT。它是一个Co-Pack器件，与一个反并联超快软恢复二极管共同配置于TO-247封装。设计人员可减小多晶体栅极宽度。北京大规模模块报价表IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP(原来为NPN)晶体管提供基极电流，使IGBT导通。

    好的磁通密度B在100...发表于2017-11-0616:26•3306次阅读电动势和电压的区别电动势是对电源而说的，它就是电源将单位正电荷从负极经电源内部移到正极时，非静电力所做的功。电压是对一...发表于2017-11-0615:54•342次阅读关于电磁继电器二次吸合电压技术研究当电磁继电器线圈上电，随励磁线圈电流的增大，首先出现一次动静触头的不实闭合（如图1a），此时弹簧拉力...发表于2017-11-0110:42•347次阅读tl431的电源改电压的方法TL431是一个小个头（如同普通小三极管封装）而又便宜的可调电压基准芯片。很多电源都用的TL431来...发表于2017-10-2709:38•960次阅读残余电压保护复位电路残余电压实际上Δe不完全等于零，那时的Δe称为残余电压.GPS测高包括机载GPS测高和浮标GPS测高...发表于2017-10-2011:35•203次阅读钳形表测电压使用方法_钳形表上的符号图解1、将红表笔插入“VΩHz”插孔，黑表笔插入“COM”插孔；2、将功能量程开关置于交流电压档，并...发表于2017-08-0710:10•12490次阅读电压低怎么办？农村电压低怎么办？空调电压低怎么办...电压低的原因很多，1、低压线路比较长，线路电阻较大；2、低压负荷比较大。

    降低本征JFET的影响，和使用元胞设计几何图形，从而达到以上的目标。对两种1200VNPTIGBT进行比较：一种是其他公司的需负偏置关断的器件，一种是IR公司的NPT单正向栅驱动IRGP30B120KD-E。测试结果表明其他公司的器件在源电阻为56?下驱动时，dV/dt感生电流很大。比较寄生电容的数据，IR器件的三种电容也有减小：输入电容，CIES减小25％输出电容，COES减小35％反向传输电容，CRES减小68％图4寄生电容比较图5显示出IR器件的减小电容与V的关系，得出的平滑曲线是由于减小了JFET的影响。当V＝0V时，负偏置栅驱动器件的C为1100pF，IRGP30B120KD-E只有350pF，当VCE＝30V时，负偏置栅驱动器件的C为170pF，IRGP30B120KD-E的CRES为78pF。很明显，IRGP30B120KD-E具有非常低的C，因此在相同的dV/dt条件下dV/dt感生电流将非常小。图5IRGP30B120KD-E寄生电容与VCE的关系图6的电路用来比较测试两种器件的电路性能。两者的dV/dt感生电流波形也在相同的dV/dt值下得出。图6dV/dt感生开通电流的测试电路测试条件：电压率，dV/dt=直流电压，Vbus=600V外部栅到发射极电阻Rg=56?环境温度。IGBT的驱动方法和MOSFET基本相同，只需控制输入极N-沟道MOSFET，所以具有高输入阻抗特性。

    ***，市场发展的趋势要求系统的高可靠性，正是这些趋势是促使焊接双极模块发展的背后动力。现在这些模块有了一个全新的设计结构，焊层更少，采用了角型栅极可控硅以及升级了的弹簧压接技术，从而提高可靠性并降低了热电阻。结果是输出电流增大了10％以上。技术鉴于工业应用中对功率模块日益增加的功率密度，可靠性和成本效益的要求，功率半导体制造商正不断努力开发新模块，这些新模块在拥有高度可靠性的同时成本也低。新模块中，DBC衬底和栅极辅助阴极端子之间的电气连接由弹簧压力触点提供。机械设计方面更深入的改变是减少了焊层。由于热阻减小了，使得输出电流大，并增强了可靠性。虽然新一代模块拥有众多的改进，新SEMIPACK模块的外封装尺寸还和当前模块的尺寸一样。赛米控公司，作为SEMIPACK1的发明者，坚持采用同样的模块尺寸，这意味着，散热器的大小以及辅助端子的高度和位置都保持不变。对于客户来说，这意味着无需改变设计，例如到直流环节的连接或散热器的钻孔。在没有影响机械设计或对电气性能有任何妥协的前提下，新版模块的层数更少：新设计的DBC衬底上不再有钼层和铜层；芯片是直接焊到DBC上的。在功率循环（10000次负载循环，△Tj=100k）中。IGBT模块的优点在于它可以提供高效的电力控制。家居模块厂家供应

虽然IGBT听着**，但基本上用电的地方都有IGBT的身影。常规模块直销价

    目前，为了防止高dV/dt应用于桥式电路中的IGBT时产生瞬时集电极电流，设计人员一般会设计栅特性是需要负偏置栅驱动的IGBT。然而提供负偏置增加了电路的复杂性，也很难使用高压集成电路（HVIC）栅驱动器，因为这些IC是专为接地操作而设计──与控制电路相同。因此，研发有高dV/dt能力的IGBT以用于“单正向”栅驱动器便**为理想了。这样的器件已经开发出来了。器件与负偏置栅驱动IGBT进行性能表现的比较测试，在高dV/dt条件下得出优越的测试结果。为了理解dV/dt感生开通现象，我们必须考虑跟IGBT结构有关的电容。图1显示了三个主要的IGBT寄生电容。集电极到发射极电容C，集电极到栅极电容C和栅极到发射极电容CGE。图1IGBT器件的寄生电容这些电容对桥式变换器设计是非常重要的，大部份的IGBT数据表中都给出这些参数：输出电容，COES＝CCE＋CGC（CGE短路）输入电容，CIES＝CGC＋CGE（CCE短路）反向传输电容，CRES＝CGC图2半桥电路图2给出了用于多数变换器设计中的典型半桥电路。集电极到栅极电容C和栅极到发射极电容C组成了动态分压器。当**IGBT（Q2）开通时，低端IGBT（Q1）的发射极上的dV/dt会在其栅极上产生正电压脉冲。对于任何IGBT。常规模块直销价

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