离子镀技术在1963年由D．M．Mattox提出，1972年，Bunshah&Juntz推出活性反应蒸发离子镀(AREIP)，沉积TiN,TiC等超硬膜，1972年Moley&Smith发展完善了空心热阴极离子镀，l973年又发展出射频离子镀(RFIP)。20世纪80年代，又发展出磁控溅射离子镀(MSIP)和多弧离子镀(MAIP)。离子镀的基本特点是采用某种方法(如电子束蒸发磁控溅射，或多弧蒸发离化等)使中性粒子电离成离子和电子，在基体上必须施加负偏压，从而使离子对基体产生轰击，适当降低负偏压后，使离子进而沉积于基体成膜。离子镀的优点如下：①膜层和基体结合力强。②膜层均匀，致密。③在负偏压作用下绕镀性好。④无污染。⑤多种基体材料均适合于离子镀。常州市丰裕科技有限公司主营氧化铬喷涂,若有需要，欢迎来电.上海热喷涂什么价格
气相沉积技术是利用气相中发生的物理、化学过程，在工件表面形成功能性或装饰性的金属、非金属或化合物涂层。气相沉积技术按照成膜机理，可分为化学气相沉积、物理类气相沉积和等离子体气相沉积。目前制备钨涂层可采用物理或化学气相沉积方法，或者将气相沉积方法结合其他制备技术，提高钨涂层的性能。化学气相淀积[CVD(ChemicalVaporDeposition)]，指把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸气及反应所需其它气体引入反应室，在衬底表面发生化学反应生成薄膜的过程。在超大规模集成电路中很多薄膜都是采用CVD方法制备。CVD特点：淀积温度低，薄膜成份易控，膜厚与淀积时间成正比，均匀性，重复性好，台阶覆盖性优良。
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贵金属薄膜因其有着较好的抗氧化能力、高导电率、强催化活性以及极其稳定引起了研究者的兴趣。和生成贵金属薄膜的其他方式相比，化学气相沉积法有更多技术优势，所以大多数制备贵金属薄膜都会采用这种方式。沉积贵金属薄膜用的沉积员物质种类比较多样，不过大多是贵金属元素的卤化物和有机化合物，比如COCl2、氯化碳酰铂、氯化碳酰铱、DCPD化合物等等。在沉积时往装置中通入氧气是为了消除掉原料因热分解产生的碳，并制备出更有金属光泽的贵金属薄膜，如若不然则得到的就是铱碳簇膜，也就是纳米等级被晶碳层所包裹的铱颗粒。沉积在YSZ上面的铱碳簇膜有着优异的电性能和催化活性。在比较低的温度下，铱碳簇膜的界面电导率能达到纯铱或者纯铂的百倍以上。贵金属和炭组成的簇膜是一种输送多孔催化活性强的簇膜，在电极材料上的使用在未来将很有潜力。
毛刺的主要原因是球阀的工装保护没有做好，但是据作者多年经验，工装保护是否好做与产品本身的设计有关系。有些球阀的设计没有跟涂层结合起来，造成了保护非常麻烦，不但影响了喷涂的美观，严重的影响了涂层的质量。很多的球阀设计人员在设计的过程中“想当然”，根本没有实际了解过喷涂，他们把喷涂想象成了跟喷漆一样，随便拿个报纸遮挡一下就可以了，这种想当然的态度不但增加了球阀喷涂的难度，也增加了喷涂成本，影响了涂层的效果，造成后续很多麻烦。球阀的喷涂看似很简单，其实需要注意的问题非常多，而且针对不同的喷涂材料、针对不同的产品状态、形状、包括基体材质不同，需要注意的细节都有区别。
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冷加工预先的冷加工变形会加大钢的组织和应力的不均匀性，提高了钢中碳、氢的扩散能力，使氢腐蚀加速。冷加工后的再结晶退火能降低由冷加工引起的氢腐蚀倾向。化学腐蚀是腐蚀中易被人感知的，但是也是非常难以解决的，必须“对症下药”。因为不同的温度下，腐蚀的速率差别非常大，多数情况下，温度越高，腐蚀越强烈，浓度越高，腐蚀越剧烈。大家都知道，常规耐腐蚀的材料就是高分子或者氧化物陶瓷。如果是在常温下，用高分子材料是非常方便的，价格也比较便宜。但是如果是高温情况下，高分子材料容易分解，并且由于高分子材料跟基体材料热膨胀系数存在较大差异，所以在温度超过100℃并且冷热交替频繁的情况下，涂层非常容易出现裂缝，也就是通常所说的“材料老化”。氧化物陶瓷虽然耐腐蚀性能很好，不过作为涂层的话，存在一些难以克服的问题，例如热膨胀系数与基体存在较大差异，涂层孔隙率大等等。
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