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湖南电子芯片回收量大从优

来源: 发布时间:2023年03月09日

存储器阵列内的存储单元可以在相同的互连层上彼此横向邻近布置。应当理解,图4a至图4b所示的集成芯片400和414可以实现图2的存储器阵列102的集成芯片的两个非限制性实施例,并且可以在可选实施例中使用其它实施方式。在一些实施例中,调节访问装置内的调节mtj器件可以具有相同的尺寸。在其它实施例中,调节访问装置内的调节mtj器件可以具有彼此不同的尺寸和/或与工作mtj器件不同的尺寸。例如,图5a示出了具有调节访问装置的存储器电路500的一些额外实施例的示意图,该调节访问装置包括具有不同尺寸的调节器件。存储器电路500包括多个存储单元502a,1至502c,3,每个存储单元分别包括被配置为存储数据的工作mtj器件106和被配置为选择性地对工作mtj器件106提供访问的调节访问装置108。调节访问装置108包括连接至mtj器件106的同一层的调节mtj器件504和第二调节mtj器件506。调节mtj器件504连接在字线(例如,wl1)和工作mtj器件106之间,而第二调节mtj器件506连接在第二字线(例如,wl2)和工作mtj器件106之间。工作mtj器件106进一步连接至位线(例如,bl1)。图5b示出了对应于图5a的存储器电路500的集成电路的一些实施例的截面图508。如截面图508所示,调节mtj器件504具有尺寸(例如。上海海谷电子有限公司是一家专业提供回收的公司,有需求可以来电咨询!湖南电子芯片回收量大从优

根据示例实施例的集成电路以及制造和设计所述集成电路的方法可以通过单元线路结构提高集成电路的设计效率和性能。实施例可以应用于任何电子装置和系统。例如,实施例可以应用于诸如存储器卡、固态驱动器(ssd)、嵌入式多媒体卡(emmc)、移动电话、智能电话、个人数字助理(pda)、便携式多媒体播放器(pmp)、数码相机、便携式摄像机、个人计算机(pc)、服务器计算机、工作站 、膝上型计算机、数字tv、机顶盒、便携式、导航系统、可穿戴装置、物联网(iot)装置、万物网(ioe)装置、电子书、虚拟现实(vr)装置、增强现实(ar)装置等的系统。前述内容是对示例实施例的说明,而不应被解释为对其进行限制。尽管已经描述了一些示例实施例,但是本领域技术人员将容易理解,在实质上不脱离本发明构思的情况下,可以在示例实施例中进行许多修改。广东呆滞料回收行情上海海谷电子有限公司致力于提供回收,有想法可以来我司咨询。

导电覆盖层可以由金属氮化物(例如,tin、tan、它们的组合等)形成。间隙填充金属层可以填充有源区ac之间的空间并且在导电覆盖层上延伸。间隙填充金属层可以由w(例如,钨)层形成。间隙填充金属层可以例如通过使用ald方法、cvd方法或物相沉积(pvd)方法形成。多个导电接触件ca和cb可以位于有源区ac上的层ly1上。多个导电接触件ca和cb包括连接到有源区ac的源区/漏区116的多个接触件ca21、22、23、24、25、31、32、33、34和35(参见图12b)和连接到栅极线pc11、12、13、14、15和16的多个第二接触件cb41、42和43(参见图12a和12c)。多个导电接触件ca和cb可以通过覆盖有源区 ac和栅极线pc的层间绝缘层132彼此绝缘。多个导电接触件ca和cb可以具有与层间绝缘层132的上表面基本处于同一水平处的上表面。层间绝缘层132可以是氧化硅层。第二层间绝缘层134和穿过第二层间绝缘层134的多个下通孔接触件v051、52、53、54、55、56、57、58、59、60、61和62位于层间绝缘层132上。第二层间绝缘层134可以是氧化硅层。在高于层ly1(例如,沿着第三方向z距基底110更远)的第二层ly2上沿方向x延伸的多条线路m171、72、73、74、75、76、77和78可以位于第二层间绝缘层134上。

四倍心轴图案qpm1、qpm2和qmp3可以布置为在方向x上具有相同的四倍心轴节距pqm,四倍心轴节距pqm可以与抗蚀剂图案的节距相同。针对单元线路结构uws4、uws5和uws6中每个,可以使用三个四倍心轴图案qpm1、qpm2和qpm3在列导电层ccl中形成十二条列金属线ml1至ml12。每个单元线路结构的十二条列金属线ml1至ml12可以在方向x上布置成顺序地且重复地具有金属节距pm21、第二金属节距pm22、金属节距pm21和第三金属节距pm23。金属节距pm21、第二金属节距pm22和第三金属节 距pm23可以由表达式4表示。表达式4pm21=wdm+wmlpm22=wqm-wmlpm23=pqm-(wqm+2wdm+wml)在表达式4中,wdm表示双倍心轴图案dpm1至dpm6的宽度,wqm表示四倍心轴图案qpm1、qpm2和qpm3的宽度,wml表示列金属线ml1至ml12的宽度。在形成列金属线ml1至ml12之前,可以在列导电层ccl下方的栅极层gtl中形成针对每个单元线路结构的八条栅极线gl1至gl8。参照图8,每个单元线路结构uws4的八条栅极线gl1至gl8可以通过单图案化形成。在这种情况下,每个单元线路结构uws4的八条栅极线gl1至gl8可以在方向x上布置成具有相等的栅极节距pg2。栅极节距pg2可以等于通过曝光工艺形成的抗蚀剂图案的节距。参照图9。回收,就选上海海谷电子有限公司,用户的信赖之选,欢迎新老客户来电!

本实用新型属于数据录入装置技术领域,特别是涉及一种集成电路软件快速录入装置。背景技术:传统依靠计算机键盘进行信息录入模式,已经不能满足复杂生产环境下数据录入的需要。而正以追求安全化、智能化、数字化的数据录入方法成为新形势下的目标。如中国发明专利公开号 “cn”名称为“一种手持式采油工数据录入仪”的 公开了一种油田采油生产中技术参数和资料的录入装置。其特征在于:该装置主要包括一个4×4的键盘,一个 处理器cpu,两个铁电存储器32k×2和一个多路选择器。该种数据录入装置结构较为简单,只能根据预设置流程和界面进行操作,操作界面死板,动态输入性较差,从而根据数据解析的设置简单。如中国发明专利公开号“cn”名称为“一种多媒体指纹考勤机”的 公开了一种多媒体指纹考勤机,包括了微处理器、指纹采集器、存储器、扬声器、tft-lcd显示屏和用于输入指令或数据的触摸屏。该种输入设备功能较为单一,输入设备操作不方便,主要为通过指纹触摸对固定指令进行操作,动态输入性较差。针对于目前工厂对产品制造良率的要求越来越高;工人人工操作机器容易疲劳且容易出错误判的问题,如何解决成为了该领域技术人员努力的方向。回收,就选上海海谷电子有限公司,用户的信赖之选,有想法可以来我司咨询!贵州批量电子物料回收联系方式

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等的半导体或者例如sige、sic、gaas、inas、inp等的化合物半导体。在一些示例实施例中,基底110可以具有绝缘体上硅(soi)结构。基底110可以包括导电区域,例如,掺杂杂质的阱或掺杂杂质的结构。标准单元可以包括器件区rx1、第二器件区rx2以及使器件区rx1和第二器件区rx2沿第二方向y分离的有源切口区acr。器件区rx1和第二器件区rx2中的每个可以包括从基底110沿第三方向z突出的多个鳍型有源区ac(参见图12c)。多个有源区ac可以在方向x上彼此平行地延伸。器件隔离层112可以沿着第二方向y在基底110上位于多个有源区ac之间。多个有源区ac以鳍的形式沿着第三方向z从器件隔离层112突出。多个栅极绝缘层118和多条栅极线pc11、12、13、14、15和16可以形成在基底110上。栅极线pc11、12、13、14、15和16可以在与多个有源区ac交叉的第二方向y上延伸。多个栅极绝缘层118和多条栅极线pc11、12、13、14、15和16可以覆盖每个有源区ac的上表面和侧壁以及器件隔离层112的上表面。多个金属氧化物半导体(mos)晶体管可以沿着多条栅极线pc11、12、13、14、15和16形成。mos晶体管可以具有在有源区ac的上表面和两个侧壁中形成沟道的三维结构。图11提供了图例:“pc”表示栅极线,“ca”表示接触件。湖南电子芯片回收量大从优

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