您好,欢迎访问

商机详情 -

吉林进口晶振回收收购

来源: 发布时间:2023年03月06日

本发明涉及集成电路封装技术,特别是一种集成电路基板,所述基板包括覆铜芯板,通过在覆铜芯板中设置容纳磁环的环形槽,有利于提高或扩展集成电路封装基板的电路功能,例如能够通过对沿磁环内外分布的过孔进行绕制连接以将微变压器集成在集成电路基板内。背景技术:由于新能源的大力发展,隔离应用要求越来越多和隔离电压越来越高,而半导体隔离技术取代传统光耦技术效率更高,集成度更高,支持更高传输速率,符合行业发展的需求。封装基板正在成为集成电路封装领域一个重要的和发展迅速的行业,有机基板工艺大批量使用在BGA球阵列封装,多芯片封装工艺中。现有技术中的采用微变压器方案,电源功率只有%。由于电感量不够大,信号传输不得不采用180MHz的调制信号,电路非常复杂,并且电路中的磁路不闭合,漏磁大,EMI电磁干扰空间辐射大。本发明人发现,对于采用微变压器方案的半导体隔离技术,由于微变压器方案电感量,耦合系数太低,也增加了传输电路的复杂程度,集成的电源效率差。有的电容式隔离器,用户需要外加变压器。另外,电容式隔离不能内部集成开关的电源,客户使用不方便。技术实现要素:本发明针对现有技术中存在的缺陷或不足,提供一种集成电路基板。上海海谷电子有限公司为您提供回收,期待您的光临!吉林进口晶振回收收购

每个单元线路结构uws5的八条栅极线gl1至gl8可以通过sadp形成。如参照图4a至图4i所述,可以在栅极层gtl上方形成双倍心轴图案dpg1至dpg4。例如,双倍心轴图案dpg1至dpg4可以被在方向x上布置成具有可以等于抗蚀剂图案的节距的相同的双倍心轴节距pdg。在这种情况下,每个单元线路结构uws5的八条栅极线gl1至gl8可以在方向x上布置成交替地具有栅极节距pg11和第二栅极节距pg12 。栅极节距pg11和第二栅极节距pg12可以彼此不同。栅极节距pg11和第二栅极节距pg12可以由表达式2表示。参照图10,每个单元线路结构uws6的八条栅极线gl1至gl8可以通过saqp形成。如参照图4a至图4i所述,可以在栅极层gtl上方顺序地形成四倍心轴图案qpg1和qpg2以及双倍心轴图案dpg1至dpg4。例如,四倍心轴图案qpg1和qpg2可以在方向x上布置成具有可以等于抗蚀剂图案的节距的相同的四倍心轴节距pqg。在这种情况下,每个单元线路结构uws6的八条栅极线gl1至gl8可以在方向x上布置成顺序地且重复地具有栅极节距pg21、第二栅极节距pg22、栅极节距pg21和第三栅极节距pg23。栅极节距pg21、第二栅极节距pg22和第三栅极节距pg23可以彼此不同。栅极节距pg21、第二栅极节距pg22和第三栅极节距pg23可以由表达式3表示。吉林进口晶振回收收购上海海谷电子有限公司为您提供回收,有需要可以联系我司哦!

在多个底电极通孔正上方形成多个mtj器件。多个mtj器件包括工作mtj器件和一个或多个调节mtj器件。图10示出了对应于步骤1306的一些实施例的截面图1000。在步骤1308中,在多个mtj器件正上方形成多个顶电极通孔。图11示出了对应于步骤1308的一些实施例的截面图1100。在步骤1310中,在多个顶电极通孔上方形成具有多个互连结构的第二互连层。多个互连结构限定位线和一条或多条字线。图11示出了对应于步骤1310的一些实施例的截面图1100。步骤1302至1310在衬底上方形成存储单元。在一些实施例中,可以重复步骤1302至1310(如步骤1312所示)以在存储单元上方形成第二存储单元。图12示出了对应于步骤1312的一些实施例的截面图1200。虽然方法1300描述了包括具有调节访问装置(包括mtj器件)的存储单元(例如,mram单元)的方法存储器电路,但是应该理解,在其它实施例中,调节装置可以包括电阻器(例如,薄膜电阻器)。在这样的实施例中,工作mtj器件可以通过组操作(在步骤1306中)形成,而包括电阻器的调节装置可以通过第二组单独的操作(在步骤1306和步骤1308之间发生)形成。例如,在工作mtj的形成(在步骤1306中)之后,可以通过一个或多个沉积和蚀刻工艺形成电阻器。因此,在一些实施例中。

将磁芯或者说磁环所处的覆铜芯板靠近电路板内侧的铜箔蚀刻掉)。所述环形槽中固定有磁环(例如,对应各环形槽的磁环4,第二磁环5,第三磁环6等)。沿所述环形槽的外圈外侧设置有若干外过孔(例如,环初级绕组外过孔10,环次级绕组外过13,第二环初级绕组外过14,第二环次级绕组外过孔17,第三环初级绕组外过18,第三环次级绕组外过孔21等),沿所述环形槽的内圈内侧设置有若干内过孔(例如,环次级绕组内过孔11,环次级绕组内过孔12,第二环初级绕组内过孔15,第二环次级绕组内过16,第三环初级绕组内过孔19,第三环次级绕组内过20等)。所述外过孔和内过孔均采用激光打孔(例如,激光过孔技术实现 精确打孔)。所述若干外过孔包括初级绕组外过孔和次级绕组外过孔(例如,环初级绕组外过孔10,环次级绕组外过13,第二环初级绕组外过14,第二环次级绕组外过孔17,第三环初级绕组外过18,第三环次级绕组外过孔21等),所述若干内过孔包括初级绕组内过孔和次级绕组内过孔(例如,环次级绕组内过孔11,环次级绕组内过孔12,第二环初级绕组内过孔15,第二环次级绕组内过16,第三环初级绕组内过孔19,第三环次级绕组内过20等)。初级绕组和次级绕组均采用印制线连接过孔的方式形成(也就是说。上海海谷电子有限公司致力于提供回收,有想法的不要错过哦!

等的半导体或者例如sige、sic、gaas、inas、inp等的化合物半导体。在一些示例实施例中,基底110可以具有绝缘体上硅(soi)结构。基底110可以包括导电区域,例如,掺杂杂质的阱或掺杂杂质的结构。标准单元可以包括器件区rx1、第二器件区rx2以及使器件区rx1和第二器件区rx2沿第二方向y分离的有源切口区acr。器件区rx1和第二器件区rx2中的每个可以包括从基底110沿第三方向z突出的多个鳍型有源区ac(参见图12c)。多个有源区ac可以在方向x上彼此平行地延伸。器件隔离层112可以沿着第二方向y在基底110上位于多个有源区ac之间。多个有源区ac以鳍的形式沿着第三方向z从器件隔离层112突出。多个栅极绝缘层118和多条栅极线pc11、12、13、14、15和16可以形成在基底110上。栅极线pc11、12、13、14、15和16可以在与多个有源区ac交叉的第二方向y上延伸。多个栅极绝缘层118和多条栅极线pc11、12、13、14、15和16可以覆盖每个有源区ac的上表面和侧壁以及器件隔离层112的上表面。多个金属氧化物半导体(mos)晶体管可以沿着多条栅极线pc11、12、13、14、15和16形成。mos晶体管可以具有在有源区ac的上表面和两个侧壁中形成沟道的三维结构。图11提供了图例:“pc”表示栅极线,“ca”表示接触件。上海海谷电子有限公司回收获得众多用户的认可。吉林二极管回收厂家

回收,就选上海海谷电子有限公司,欢迎客户来电!吉林进口晶振回收收购

电脑显示工作状态及数据,与现有技术相比,本实用新型的有益效果在于:本实用新型所述集成电路软件快速录入装置,可随时查看工作状态及各项监测数据, 方便操作者使用,使得产品调试快捷。附图说明图1是本实用新型集成电路软件快速录入装置的原理结构示意图。具体实施方式下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。如图1所示,一种集成电路软件快速录入装置,包括远程后台服务器、录入终端装置和显示器,其中:所述录入终端装置包括微处理器、高频读卡模块、数据监测模块和通讯模块,所述录入终端装置通过数据线与远程后台服务器连接。所述数据监测模块包括下载判断模块、校准综测模块、开机模块、拍照模块、声音模块和按键模块。其中,下载判断模块、开机模块、拍照模块、声音模块和按键模块均为手机监测的常用模块,采用现有的技术。校准综测模块包括对主板的校准,主板校准主要包括发射机和接收机的射频指标校准。吉林进口晶振回收收购

上海海谷电子有限公司是一家集研发、制造、销售为一体的****,公司位于肖塘路255弄10号2层,成立于2019-07-30。公司秉承着技术研发、客户优先的原则,为国内电子元件回收,电子料回收,呆滞料回收,电子物料回收的产品发展添砖加瓦。主要经营电子元件回收,电子料回收,呆滞料回收,电子物料回收等产品服务,现在公司拥有一支经验丰富的研发设计团队,对于产品研发和生产要求极为严格,完全按照行业标准研发和生产。上海海谷电子有限公司研发团队不断紧跟电子元件回收,电子料回收,呆滞料回收,电子物料回收行业发展趋势,研发与改进新的产品,从而保证公司在新技术研发方面不断提升,确保公司产品符合行业标准和要求。上海海谷电子有限公司以市场为导向,以创新为动力。不断提升管理水平及电子元件回收,电子料回收,呆滞料回收,电子物料回收产品质量。本公司以良好的商品品质、诚信的经营理念期待您的到来!

扩展资料

回收热门关键词

回收企业商机

回收行业新闻

推荐商机