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来源: 发布时间:2022年11月15日

所述基板包括覆铜芯板,通过在覆铜芯板中设置容纳磁环的环形槽,有利于提高或扩展集成电路封装基板的电路功能,例如能够通过对沿磁环内外分布的过孔进行绕制连接以将变压器集成在集成电路基板内。本发明技术方案如下:一种集成电路基板,其特征在于,包括基板本体,所述基板本体中包括覆铜芯板,所述覆铜芯板包括芯板和结合于芯板表面的上覆铜层以及结合于 芯板底面的下覆铜层,所述芯板上设置有开口朝上的环形槽,所述开口延伸至所述上覆铜层之外。所述环形槽为控深铣槽,所述开口位于所述上覆铜层的部分为蚀刻开口。所述环形槽中固定有磁环。沿所述环形槽的外圈外侧设置有若干外过孔,沿所述环形槽的内圈内侧设置有若干内过孔。所述外过孔和内过孔均采用激光打孔。所述若干外过孔包括初级绕组外过孔和次级绕组外过孔,所述若干内过孔包括初级绕组内过孔和次级绕组内过孔。初级绕组和次级绕组均采用印制线连接过孔的方式形成。所述上覆铜层上压合有半固化片。所述半固化片的压合面朝向所述环形槽的对应处设置有开窗。由印制线连接过孔绕制的磁环变压器内置于所述基板本体的绝缘体内,没有空气爬电距离的路径,能达到。本发明技术效果如下:本发明一种集成电路基板。上海海谷电子有限公司致力于提供回收,期待您的光临!青海电子芯片回收平台

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在介电层220以及心轴图案231、232和233的上方设置间隔层260。间隔层260包括与介电层220和心轴图案231、232和233不同的一种或更多种材料,使得间隔层260针对蚀刻工艺具有不同的蚀刻选择性。可以通过cvd工艺、pvd工艺、原子层沉积(ald)工艺或其他合适的沉积技术形成间隔层260。参照图4e,针对间隔层260执行蚀刻工艺,因此定义侧壁间隔件261至266。侧壁间隔件261(类似地,262至266)在此可以称为第二心轴图案。如图4e中所示,心轴图案231在蚀刻之前存在。图4f中示出蚀刻掉心轴图案231后的结果(例如,侧壁间隔件261和262保留)。在一些实施例中,在261与262之间获得的节距(在一些实施例中也称为距离、间隔、分辨率、特征分辨率或特征分隔距离)比使用提供图4b的抗蚀剂图案pr1、pr2和pr3的光刻可获得的节距小或精确。参照图4f,执行具有合适的蚀刻选择性的蚀刻工艺以去除心轴图案231、232和233,并且保留侧壁间隔件261至266。261形成为侧壁,并且在一些实施例中,将在后面的工艺步骤中被蚀刻掉,因此它是间隔件。总而言之,261可以被称为侧壁间隔件。侧壁间隔件261至266在方向x上具有节距p3和p4以及宽度w3。与一个心轴图案对应的两个侧壁间隔件(例如。上海晶振回收回收,就选上海海谷电子有限公司,用户的信赖之选,欢迎您的来电哦!

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示出了一个处理器1500。可选地,多个处理器可以包括在设计系统1000中。此外,处理器1500可以包括增加计算容量的高速缓存存储器。这样,根据示例实施例的集成电路和设计集成电路的方法可以通过单元线路结构提高集成电路的设计效率和性能。图15是示出图14的设计系统的示例操作的流程图。参照图14和图15,设计模块1400可以接收定义集成电路的输入数据di(s11)。布局模块1200可以参照包括如上所述的多个标准单元的标准单元库1110,以便提取与输入数据di对应的标准单元,并且可以使用提取的标准单元执行单元布局(s12)。布线模块1300可以针对布局的单元执行信号布线(s13)。当信号布线不成功时(s14:否),布局模块1200可以替换至少一个标准单元,例如,可以用另一标准单元替换至少一个标准单元,以修改单元的布局(s15)。布线模块1300可以针对修改的布局再次执行信号布线(s13)。这样,可以重复地布局和布线,直到成功完成信号布线。当信号布线成功完成时(s14:是),设计模块1400可以生成定义集成电路的输出数据do(s16)。图16是示出根据示例实施例的集成电路的布图的示图。图16的集成电路300可以是集成电路(asic)。

等的半导体或者例如sige、sic、gaas、inas、inp等的化合物半导体。在一些示例实施例中,基底110可以具有绝缘体上硅(soi)结构。基底110可以包括导电区域,例如,掺杂杂质的阱或掺杂杂质的结构。标准单元可以包括器件区rx1、第二器件区rx2以及使器件区rx1和第二器件区rx2沿第二方向y分离的有源切口区acr。器件区rx1和第二器件区rx2中的每个可以包括从基底110沿第三方向z突出的多个鳍型有源区ac(参见图12c)。多个有源区ac可以在方向x上彼此平行地延伸。器件隔离层112可以沿着第二方向y在基底110上位于多个有源区ac之间。多个有源区ac以鳍的形式沿着第三方向z从器件隔离层112突出。多个栅极绝缘层118和多条栅极线pc11、12、13、14、15和16可以形成在基底110上。栅极线pc11、12、13、14、15和16可以在与多个有源区ac交叉的第二方向y上延伸。多个栅极绝缘层118和多条栅极线pc11、12、13、14、15和16可以覆盖每个有源区ac的上表面和侧壁以及器件隔离层112的上表面。多个金属氧化物半导体(mos)晶体管可以沿着多条栅极线pc11、12、13、14、15和16形成。mos晶体管可以具有在有源区ac的上表面和两个侧壁中形成沟道的三维结构。图11提供了图例:“pc”表示栅极线,“ca”表示接触件。上海海谷电子有限公司为您提供回收,欢迎您的来电!

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所述多条栅极线布置在方向上并且在垂直于方向的第二方向上延伸。所述多条金属线形成在栅极层上方的导电层中,其中,所述多条金属线布置在方向上并且在第二方向上延伸。6n条金属线和4n条栅极线形成单元线路结构,其中,n是正整数,并且多个单元线路结构布置在方向上。根据示例实施例,一种制造集成电路的方法,所述方法包括:在半导体基底上方的栅极层中形成多条栅极线,所述多条栅极线布置在方向上并且在垂直于方向的第二方向上延伸;以及在栅极层上方的导电层中形成多条金属线,所述多条金属线布置在方向上并且在第二方向上延伸,使得6n条金属线和4n条栅极线形成单元线路结构,其中,n是正整数,并且多个单元线路结构布置在方向上。根据示例实施例,一种设计集成电路的方法包括:接收定义集成电路的输入数据;设置包括多个标准单元的标准单元库;基于输入数据和标准单元库执行布局和布线;以及基于布局和布线的结果生成定义集成电路的输出数据。所述集成电路包括:半导体基底,多条栅极线,形成在半导体基底上方的栅极层中,所述多条栅极线布置在方向上并且在垂直于方向的第二方向上延伸,以及多条金属线,形成在栅极层上方的导电层中。回收,就选上海海谷电子有限公司,让您满意,欢迎新老客户来电!云南电容电阻回收处理

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接收关于一参考分类的信息,该参考分类是通过人工比较该预设电压和该实际电压获得的;基于该不成熟分类和该参考分类,将该预设电压更新为一经学习电压;以及基于该经学习电压,产生经配置以调整回转率的预测。本公开还提供一种集成电路元件。该集成电路元件包括一比较器以及一减法器电路。该比较器包括一输入端耦合到一实际电压。该减法器电路包括一输入端耦合到该比较器的一输出端,以及另一输入端耦合到一参考电压,其中因应于该参考电压和该减法器电路的一输出端的一电压之间的一差值的存在,该比较器的该另一输入端从耦合一预设电压改为耦合到一经学习电压。本公开还提供一种电路。该电路包括一驱动器以及一机器学习电路。该驱动器经配置以驱动一信号。该机器学习电路包括一比较器。该比较器包括一输入端,其中该输入端因应于一不成熟分类和一参考分类之间的一差异而耦合到一经学习电压,其中该机器学习电路经配置以基于该经学习电压来调整该信号的一回转率。虽然已详述本公开及其优点,然而应理解可进行各种变化、取代与替代而不脱离权利要求所定义的本公开的精神与范围。例如,可用不同的方法实施上述的许多工艺,并且以其他工艺或其组合替代上述的许多工艺。再者。青海电子芯片回收平台

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