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来源: 发布时间:2022年09月14日

7)降额标准参见GJB/Z35《元器件降额准则》。8)工作温度:铝电解电容必须选用工作温度为105度的。9)容值:推荐10、22、47系列;25V以下禁选224、105、475之类容值型号(用片状多层陶瓷电容或钽电解电容替代)。10)极性:对于高压型铝电解电容保留400V。禁选无极性铝电解电容。11)品牌:普通铝电解电容选用品牌“SAMWHA”(三和),铝电解电容选用NCC(黑金刚)或其他日本明星铝电解电容,或者中国台湾利隆。12)封装:优先选用贴片的铝电解电容。钽电解电容Ø优点:在串联电阻、感抗、对温度的稳定性与铝电解相比优势明显;Ø缺点:工作电压较低。选型规则:1)漏电流要求较高的场合,不选钽电解电容,需选用薄膜电容。2)耐压:降额选用,禁止选用耐压超过35V以上的,、5V系统取16V、12V系统取35V、3)10V、16V、35V为推荐,4V、、50V为禁用(用铝电解电容替代),电源输入级或低阻抗环境使用,推荐降额到,电源输出级及一般应用环境推荐降额。4)封装:插脚式钽电解电容禁选。5)品牌:选择KEMET、AVX。片状多层陶瓷电容1)选用基本原则:低ESR和高的谐振频率,ESR越小越好。2)Q值:高Q值陶瓷电容慎选;只用在射频电路上。3)封装:0603、0805推荐、1206、1210慎选、1808以上禁选。


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而反向电阻则为无穷大。三极管的检测方法与经验1、中、小功率三极管的检测A)已知型号和管脚排列的三极管,可按下述方法来判断其性能好坏:①测量极间电阻:将万用表置于R×100或R×1K挡,按照红、黑表笔的六种不同接法进行测试。其中,发射结和集电结的正向电阻值比较低,其他四种接法测得的电阻值都很高,约为几百千欧至无穷大。但不管是低阻还是高阻,硅材料三极管的极间电阻要比锗材料三极管的极间电阻大得多。②三极管的穿透电流ICEO的数值近似等于管子的倍数β和集电结的反向电流ICBO的乘积:ICBO随着环境温度的升高而增长很快,ICBO的增加必然造成ICEO的增大。而ICEO的增大将直接影响管子工作的稳定性,所以在使用中应尽量选用ICEO小的管子。通过用万用表电阻直接测量三极管e-c极之间的电阻方法,可间接估计ICEO的大小,具体方法如下:万用表电阻的量程一般选用R×100或R×1K挡,对于PNP管,黑表管接e极,红表笔接c极,对于NPN型三极管,黑表笔接c极,红表笔接e极。要求测得的电阻越大越好。e-c间的阻值越大,说明管子的ICEO越小;反之,所测阻值越小,说明被测管的ICEO越大。一般说来,中、小功率硅管、锗材料低频管。

正是由于它将电子管与功率晶体管之优点集于一身,因此在电压放大器(电压放大倍数可达数千倍)、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。VMOS场效应功率管具有极高的输入阻抗及较大的线性放大区等优点,尤其是其具有负的电流温度系数,即在栅-源电压不变的情况下,导通电流会随管温升高而减小,故不存在由于“二次击穿”现象所引起的管子损坏现象。因此,VMOS管的并联得到广泛应用。众所周知,传统的MOS场效应管的栅极、源极和漏处于同一水平面的芯片上,其工作电流基本上是沿水平方向流动。VMOS管则不同,从图1上可以看出其两大结构特点:,金属栅极采用V型槽结构;第二,具有垂直导电性。由于漏极是从芯片的背面引出,所以ID不是沿芯片水平流动,而是自重掺杂N+区(源极S)出发,经过P沟道流入轻掺杂N-漂移区,垂直向下到达漏极D。电流方向如图中箭头所示,因为流通截面积增大,所以能通过大电流。由于在栅极与芯片之间有二氧化硅绝缘层,因此它仍属于绝缘栅型MOS场效应管。国内生产VMOS场效应管的主要厂家有877厂、天津半导体器件四厂、杭州电子管厂等,典型产品有VN401、VN672、VMPT2等。电子元器件回收,就选上海海谷电子有限公司,用户的信赖之选,欢迎您的来电!

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