7)降额标准参见GJB/Z35《元器件降额准则》。8)工作温度：铝电解电容必须选用工作温度为105度的。9)容值：推荐10、22、47系列；25V以下禁选224、105、475之类容值型号（用片状多层陶瓷电容或钽电解电容替代）。10)极性：对于高压型铝电解电容保留400V。禁选无极性铝电解电容。11)品牌：普通铝电解电容选用品牌“SAMWHA”（三和），铝电解电容选用NCC（黑金刚）或其他日本明星铝电解电容，或者中国台湾利隆。12)封装：优先选用贴片的铝电解电容。钽电解电容Ø优点：在串联电阻、感抗、对温度的稳定性与铝电解相比优势明显；Ø缺点：工作电压较低。选型规则：1)漏电流要求较高的场合，不选钽电解电容，需选用薄膜电容。2)耐压：降额选用，禁止选用耐压超过35V以上的，、5V系统取16V、12V系统取35V、3)10V、16V、35V为推荐，4V、、50V为禁用（用铝电解电容替代），电源输入级或低阻抗环境使用，推荐降额到，电源输出级及一般应用环境推荐降额。4)封装：插脚式钽电解电容禁选。5)品牌：选择KEMET、AVX。片状多层陶瓷电容1)选用基本原则：低ESR和高的谐振频率，ESR越小越好。2)Q值：高Q值陶瓷电容慎选；只用在射频电路上。3)封装：0603、0805推荐、1206、1210慎选、1808以上禁选。
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而反向电阻则为无穷大。三极管的检测方法与经验1、中、小功率三极管的检测A）已知型号和管脚排列的三极管，可按下述方法来判断其性能好坏：①测量极间电阻：将万用表置于R×100或R×1K挡，按照红、黑表笔的六种不同接法进行测试。其中，发射结和集电结的正向电阻值比较低，其他四种接法测得的电阻值都很高，约为几百千欧至无穷大。但不管是低阻还是高阻，硅材料三极管的极间电阻要比锗材料三极管的极间电阻大得多。②三极管的穿透电流ICEO的数值近似等于管子的倍数β和集电结的反向电流ICBO的乘积：ICBO随着环境温度的升高而增长很快，ICBO的增加必然造成ICEO的增大。而ICEO的增大将直接影响管子工作的稳定性，所以在使用中应尽量选用ICEO小的管子。通过用万用表电阻直接测量三极管e－c极之间的电阻方法，可间接估计ICEO的大小，具体方法如下：万用表电阻的量程一般选用R×100或R×1K挡，对于PNP管，黑表管接e极，红表笔接c极，对于NPN型三极管，黑表笔接c极，红表笔接e极。要求测得的电阻越大越好。e－c间的阻值越大，说明管子的ICEO越小；反之，所测阻值越小，说明被测管的ICEO越大。一般说来，中、小功率硅管、锗材料低频管。
正是由于它将电子管与功率晶体管之优点集于一身，因此在电压放大器（电压放大倍数可达数千倍）、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。VMOS场效应功率管具有极高的输入阻抗及较大的线性放大区等优点，尤其是其具有负的电流温度系数，即在栅-源电压不变的情况下，导通电流会随管温升高而减小，故不存在由于“二次击穿”现象所引起的管子损坏现象。因此，VMOS管的并联得到广泛应用。众所周知，传统的MOS场效应管的栅极、源极和漏处于同一水平面的芯片上，其工作电流基本上是沿水平方向流动。VMOS管则不同，从图1上可以看出其两大结构特点:，金属栅极采用V型槽结构；第二，具有垂直导电性。由于漏极是从芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流动，而是自重掺杂N+区（源极S）出发，经过P沟道流入轻掺杂N-漂移区，垂直向下到达漏极D。电流方向如图中箭头所示，因为流通截面积增大，所以能通过大电流。由于在栅极与芯片之间有二氧化硅绝缘层，因此它仍属于绝缘栅型MOS场效应管。国内生产VMOS场效应管的主要厂家有877厂、天津半导体器件四厂、杭州电子管厂等，典型产品有VN401、VN672、VMPT2等。电子元器件回收，就选上海海谷电子有限公司，用户的信赖之选，欢迎您的来电！
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