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来源: 发布时间:2022年09月07日

静电放电会产生强烈的电磁辐射,形成电磁脉冲。ESD是引发电子元器件失效的主要因素。随着集成电路、MOS电路和表面贴装元器件(SMD)的应用和工艺技术的发展,元器件对静电放电的敏感性增加。虽然静电放电的能量对分立元器件的影响较小,但是对MOS器件的损害是致命性的。除致使元器件失效外,它产生的静电场会造成元器件的“软击穿”,从而给电子产品造成隐患或潜在的故障,直接影响电子产品的质量及可靠性。静电放电可造成静电敏感元器件的功能失效和参数退化。失效的主要机理有热二次击穿、金属镀层融熔、介质击穿、气弧放电、表面击穿、体击穿等。静电对元器件造成的损伤可能是性的,也可能是暂时性的;既可能是突发失效,也可能是潜在失效。如果元器件彻底失效,在生产及品质管理中能够及时察觉并排除,则影响较小,而如果元器件只是轻微受损,在正常测试下则不易发现。另外,在运输途中,摩擦、碰撞、接触带有静电的物体也会产生静电,从而导致元器件受损,这种潜在的和突发的失效更难预防,其损失亦难以预测。静电失效对电子产品的可靠性影响十分普遍,电子产品在设计与使用过程中必须做好静电防护措施。对电子元器件的选用也要考虑防静电要求。上海海谷电子有限公司是一家专业提供电子元器件回收的公司,有想法的不要错过哦!浙江库存电子元器件回收中心

无铅焊接的峰值会更高(245℃左右),在高温作用下,元器件内部的水分会快速转变为热蒸汽,气压的突变将导致封装体快速膨胀,膨胀的程度与封装材料成分、实际吸收的湿气量、加热温度、加热速度及封装体厚度等因素有关。当膨胀压力引起的变形达到一定程度后,构成元器件的不同材料之间的配合会失去调节,各种连接会产生不良变化,进而导致元器件剥离分层或爆裂(通常称作“爆米花”现象),元器件的电气性能受到影响或破坏。与静电敏感器件ESD的失效一样,大多数情况下,对于湿度敏感元器件MSD的失效,通过肉眼是很难察觉的,有时甚至在测试过程中也不能完全发现。这种失效会作为可靠性隐患长期存在于电子产品中,一旦遇到外部条件变化,随时可能爆发。事实上,湿度因素对电子组装生产直通率和产品可靠性的影响不亚于静电因素和温度因素。为减小潮湿影响,电子产品的生产和存储环境湿度都应该在40%以下,有些品种还要求湿度更低。表10给出了不同阶段,潮湿对不同类型元器件的影响(推荐)。表10潮湿对不同类型元器件的影响(推荐)2.湿度敏感元器件的概念和分级湿度敏感元器件(MSD)是指因吸收空中的水汽而导致功能丧失或可靠性降低的元器件。根据标准。北京呆滞电子元器件回收联系方式上海海谷电子有限公司致力于提供电子元器件回收,欢迎新老客户来电!

电子元器件采购常识一、概述电子元器件是元件和器件的总称元件:工厂在加工产品是没有改变分子成分产品可称为元件,不需要能<电>源的器件。它包括:电阻、电容、电感器。(又可称为被动元件PassiveComponents)(1)电路类器件:二极管,电阻器等等(2)连接类器件:连接器,插座,连接电缆,印刷电路板(PCB)器件:工厂在生产加工时改变了分子结构的器件称为器件器件分为:1.主动器件,它的主要特点是:(1)自身消耗电能(2).还需要外界电源。2.分立器件,分为(1)双极性晶体三极管(2)场效应晶体管(3)可控硅(4)半导体电阻电容3.模拟集成电路主要是指由电容、电阻、晶体管等组成的模拟电路集成在一起用来处理模拟信号的集成电路。有许多的模拟集成电路,如集成运算放大器、比较器、对数和指数放大器、模拟乘(除)法器、锁相环、电源管理芯片等。模拟集成电路的主要构成电路有:放大器、滤波器、反馈电路、基准源电路、开关电容电路等。模拟集成电路设计主要是通过有经验的设计师进行手动的电路调试,模拟而得到,与此相对应的数字集成电路设计大部分是通过使用硬件描述语言在EDA软件的控制下自动的综合产生。

从而便于观察。应注意的是:在测试操作时。特别是在测较小容量的电容时,要反复调换被测电容引脚接触A、B两点,才能明显地看到万用表指针的摆动。C)对于001μF以上的固定电容,可用万用表的R×10k挡直接测试电容器有无充电过程以及有无内部短路或漏电,并可根据指针向右摆动的幅度大小估计出电容器的容量。2、电解电容器的检测A)因为电解电容的容量较一般固定电容大得多,所以,测量时,应针对不同容量选用合适的量程。根据经验,一般情况下,1~47μF间的电容,可用R×1k挡测量,大于47μF的电容可用R×100挡测量。B)将万用表红表笔接负极,黑表笔接正极,在刚接触的瞬间,万用表指针即向右偏转较大偏度(对于同一电阻挡,容量越大,摆幅越大),接着逐渐向左回转,直到停在某一位置。此时的阻值便是电解电容的正向漏电阻,此值略大于反向漏电阻。实际使用经验表明,电解电容的漏电阻一般应在几百kΩ以上,否则,将不能正常工作。在测试中,若正向、反向均无充电的现象,即表针不动,则说明容量消失或内部断路;如果所测阻值很小或为零,说明电容漏电大或已击穿损坏,不能再使用。C.对于正、负极标志不明的电解电容器,可利用上述测量漏电阻的方法加以判别。电子元器件回收哪家好,请选择上海海谷电子有限公司,用户的信赖之选!

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7)降额标准参见GJB/Z35《元器件降额准则》。8)工作温度:铝电解电容必须选用工作温度为105度的。9)容值:推荐10、22、47系列;25V以下禁选224、105、475之类容值型号(用片状多层陶瓷电容或钽电解电容替代)。10)极性:对于高压型铝电解电容保留400V。禁选无极性铝电解电容。11)品牌:普通铝电解电容选用品牌“SAMWHA”(三和),铝电解电容选用NCC(黑金刚)或其他日本明星铝电解电容,或者中国台湾利隆。12)封装:优先选用贴片的铝电解电容。钽电解电容Ø优点:在串联电阻、感抗、对温度的稳定性与铝电解相比优势明显;Ø缺点:工作电压较低。选型规则:1)漏电流要求较高的场合,不选钽电解电容,需选用薄膜电容。2)耐压:降额选用,禁止选用耐压超过35V以上的,、5V系统取16V、12V系统取35V、3)10V、16V、35V为推荐,4V、、50V为禁用(用铝电解电容替代),电源输入级或低阻抗环境使用,推荐降额到,电源输出级及一般应用环境推荐降额。4)封装:插脚式钽电解电容禁选。5)品牌:选择KEMET、AVX。片状多层陶瓷电容1)选用基本原则:低ESR和高的谐振频率,ESR越小越好。2)Q值:高Q值陶瓷电容慎选;只用在射频电路上。3)封装:0603、0805推荐、1206、1210慎选、1808以上禁选。


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