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存储器阵列内的存储单元可以在相同的互连层上彼此横向邻近布置。应当理解，图4a至图4b所示的集成芯片400和414可以实现图2的存储器阵列102的集成芯片的两个非限制性实施例，并且可以在可选实施例中使用其它实施方式。在一些实施例中，调节访问装置内的调节mtj器件可以具有相同的尺寸。在其它实施例中，调节访问装置内的调节mtj器件可以具有彼此不同的尺寸和/或与工作mtj器件不同的尺寸。例如，图5a示出了具有调节访问装置的存储器电路500的一些额外实施例的示意图，该调节访问装置包括具有不同尺寸的调节器件。存储器电路500包括多个存储单元502a,1至502c,3，每个存储单元分别包括被配置为存储数据的工作mtj器件106和被配置为选择性地对工作mtj器件106提供访问的调节访问装置108。调节访问装置108包括连接至mtj器件106的同一层的调节mtj器件504和第二调节mtj器件506。调节mtj器件504连接在字线(例如，wl1)和工作mtj器件106之间，而第二调节mtj器件506连接在第二字线(例如，wl2)和工作mtj器件106之间。工作mtj器件106进一步连接至位线(例如，bl1)。图5b示出了对应于图5a的存储器电路500的集成电路的一些实施例的截面图508。如截面图508所示，调节mtj器件504具有尺寸(例如。内蒙古电感元件回收行情回收，就选上海海谷电子有限公司，用户的信赖之选。
集成电路还包括连接在第二位线和工作mtj器件之间的第二调节mtj器件，字线连接至字线解码器并且第二位线连接至位线解码器。在一些实施例中，集成电路还包括连接在调节mtj器件和工作mtj器件之间的偏置电压线，偏置电压线连接至偏置电路，偏置电路被配置为选择性地将偏置电压施加至偏置电压线。在又一些其它实施例中，本发明涉及一种形成集成电路的方法。该方法包括在衬底上方形成互连层；在互连层正上方形成多个mtj器件，多个mtj器件包括工作mtj器件和一个或多个调节mtj器件，调节mtj器件被配置为选择性地控制流至工作mtj器件的电流；以及在多个mtj器件上方形成第二互连层，互连层和第二互连层中的一个或两个限定位线和一条或多条字线。在一些实施例中，一个或多个调节mtj器件分别包括固定层、自由层和设置在固定层和自由层之间的介电阻挡层。在一些实施例中，该方法还包括同时形成工作mtj器件和一个或多个调节mtj器件。上面概述了若干实施例的特征，使得本领域人员可以更好地理解本发明的方面。本领域人员应该理解，它们可以容易地使用本发明作为基础来设计或修改用于实施与本文所介绍实施例相同的目的和/或实现相同优势的其它工艺和结构。本领域技术人员也应该意识到。
存储介质1100(例如，存储装置)可以存储标准单元库sclb1110。标准单元库1110可以从存储介质1100被提供给设计模块1400。标准单元库1110可以包括多个标准单元，并且标准单元可以是用于设计块、器件和/或芯片的小的(例如，小的)单元。存储介质1100可以包括用于将命令和/或数据提供给计算机作为计算机可读存储介质的任何计算机可读存储介质。例如，计算机可读存储介质可以包括诸如随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)等的易失性存储器，以及诸如闪存、磁阻ram(mram)、相变ram(pram)、电阻式ram(rram)等的非易失性存储器。计算机可读存储介质可以入到计算机中，可以被集成在计算机中，或者可以通过诸如网络和/或无线链接的通信介质连接到计算机。设计模块1400可以包括布局模块plmd1200和布线模块rtmd1300。在此，术语“模块”可以指示但不限于执行特定任务的软件和/或硬件组件(诸如，现场可编程门阵列(fpga)或集成电路(asic))。模块可以驻留在有形的、可寻址的存储介质中，并且可以在一个或多个处理器上执行。例如。上海海谷电子有限公司为您提供回收，欢迎新老客户来电！
本发明可以采用印制线及激光精确打过孔方式实现变压器线圈的绕制)。所述上覆铜层上压合有半固化片。所述半固化片的压合面朝向所述环形槽的对应处设置有开窗(半固化片开窗，将磁芯所处于的覆铜芯板层之间的半固化片对应所述磁芯槽开窗，这样可以采用厚度更厚的磁环；压合，叠板时在磁芯槽和所述开窗中放入磁环，然后将覆铜芯板与半固化片压合)。由印制线连接过孔绕制的磁环变压器内置于所述基板本体的绝缘体内，没有空气爬电距离的路径，能达到。本发明能够带来以下优点：实现了更大功率，更高效率的IC集成电源；以少的通道实现了双向信号的传输；基板集成封装工艺一次成型，成本更低。在此指明，以上叙述有助于本领域技术人员理解本发明创造，但并非限制本发明创造的保护范围。任何没有脱离本发明创造实质内容的对以上叙述的等同替换、修饰改进和/或删繁从简而进行的实施，均落入本发明创造的保护范围。上海海谷电子有限公司回收值得用户放心。河南电子芯片回收价格
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四倍心轴图案qpm1、qpm2和qmp3可以布置为在方向x上具有相同的四倍心轴节距pqm，四倍心轴节距pqm可以与抗蚀剂图案的节距相同。针对单元线路结构uws4、uws5和uws6中每个，可以使用三个四倍心轴图案qpm1、qpm2和qpm3在列导电层ccl中形成十二条列金属线ml1至ml12。每个单元线路结构的十二条列金属线ml1至ml12可以在方向x上布置成顺序地且重复地具有金属节距pm21、第二金属节距pm22、金属节距pm21和第三金属节距pm23。金属节距pm21、第二金属节距pm22和第三金属节距pm23可以由表达式4表示。表达式4pm21＝wdm+wmlpm22＝wqm-wmlpm23＝pqm-(wqm+2wdm+wml)在表达式4中，wdm表示双倍心轴图案dpm1至dpm6的宽度，wqm表示四倍心轴图案qpm1、qpm2和qpm3的宽度，wml表示列金属线ml1至ml12的宽度。在形成列金属线ml1至ml12之前，可以在列导电层ccl下方的栅极层gtl中形成针对每个单元线路结构的八条栅极线gl1至gl8。参照图8，每个单元线路结构uws4的八条栅极线gl1至gl8可以通过单图案化形成。在这种情况下，每个单元线路结构uws4的八条栅极线gl1至gl8可以在方向x上布置成具有相等的栅极节距pg2。栅极节距pg2可以等于通过曝光工艺形成的抗蚀剂图案的节距。参照图9。河南电子元件物料回收厂家
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