本发明涉及不具有驱动晶体管(即，存取晶体管)的存储单元(例如，mram单元)。而且，存储单元包括调节访问装置，该调节访问装置具有被配置为选择性地对工作mtj器件提供访问的一个或多个调节mtj器件。在一些实施例中，本发明涉及集成芯片。集成芯片包括连接至位线的工作磁隧道结(mtj)器件，工作mtj器件被配置为存储数据状态；以及连接在工作mtj器件和字线之间的调节访问装置，调节访问装置包括被配置为控制提供给工作mtj器件的电流的一个或多个调节mtj器件。在一些实施例中，一个或多个调节mtj器件分别包括固定层、介电阻挡层和通过介电阻挡层与固定层分隔开的自由层。在一些实施例中，调节访问装置还包括连接在第二字线和工作mtj器件之间的第二调节mtj器件，字线和第二字线连接至字线解码器。在一些实施例中，调节mtj器件具有比第二调节mtj器件更大的尺寸。在一些实施例中，调节访问装置还包括连接在第二位线和工作mtj器件之间的第二调节mtj器件，字线连接至字线解码器，并且位线和第二位线连接至位线解码器。在一些实施例中，工作mtj器件不位于存取晶体管器件正上方。在一些实施例中，集成芯片还包括连接在调节mtj器件和工作mtj器件之间的偏置电压线。在一些实施例中。上海海谷电子有限公司为您提供回收。吉林库存电子料回收联系方式
图4a示出了对应于图2的存储器阵列102的集成芯片400的一些实施例的截面图。集成芯片400包括布置在衬底402上方的介电结构404。介电结构404围绕存储单元202a,1和第二存储单元202b,1，第二存储单元202b,1邻近于存储单元202a,1横向定位。介电结构404还围绕多个导电互连层406a至406c。在一些实施例中，介电结构404可以包括多个堆叠的ild层。在各个实施例中，多个堆叠的ild层可以包括氧化硅、氟掺杂的氧化硅、碳掺杂的氧化硅等的一种或多种。在各个实施例中，多个导电互连层406a至406c可以包括铜、铝、钨、碳纳米管等。存储单元202a,1和第二存储单元202b,1分别包括调节访问装置108和工作mtj器件106。调节访问装置108连接至限定多条字线wl1至wl4的互连层406a。多条字线wl1至wl4中的两个连接至图2的存储器阵列102的一行内的相应存储单元。例如，字线wl1至wl2可以连接至行中的存储单元202a,1，并且字线wl3至wl4可以连接至第二行中的第二存储单元202b,1。在一些实施例中，多条字线wl1至wl4可以与衬底402分隔开非零距离d。第二互连层406b布置在调节访问装置108和工作mtj器件106之间。工作mtj器件106进一步连接至限定位线bl1的第三互连层406c。陕西晶振回收收购回收，就选上海海谷电子有限公司，欢迎客户来电！
根据示例实施例的集成电路以及制造和设计所述集成电路的方法可以通过单元线路结构提高集成电路的设计效率和性能。实施例可以应用于任何电子装置和系统。例如，实施例可以应用于诸如存储器卡、固态驱动器(ssd)、嵌入式多媒体卡(emmc)、移动电话、智能电话、个人数字助理(pda)、便携式多媒体播放器(pmp)、数码相机、便携式摄像机、个人计算机(pc)、服务器计算机、工作站、膝上型计算机、数字tv、机顶盒、便携式、导航系统、可穿戴装置、物联网(iot)装置、万物网(ioe)装置、电子书、虚拟现实(vr)装置、增强现实(ar)装置等的系统。前述内容是对示例实施例的说明，而不应被解释为对其进行限制。尽管已经描述了一些示例实施例，但是本领域技术人员将容易理解，在实质上不脱离本发明构思的情况下，可以在示例实施例中进行许多修改。
而将调节访问装置108连接至位线bl2使得第二调节mtj器件206内的电流基于提供给存储器阵列102的整个行的电压而产生。将调节访问装置连接至在不同方向上延伸的位线和字线允许改进存储器阵列102的存储单元之间的隔离。图7b示出了对应于图7a的存储器电路700的集成电路的一些额外实施例的截面图704。图8a至图8b示出了包括存储器电路的集成芯片的一些额外实施例，该存储器电路具有被配置为选择性地对工作mtj器件提供访问的调节访问装置。图8a示出了具有调节访问装置108的存储器电路800的一些额外实施例的示意图，调节访问装置108包括调节mtj器件804、第二调节mtj器件806和第三调节mtj器件808。调节mtj器件804连接在字线(例如，wl1)和偏置电压线(例如，bvl1)之间，第二调节mtj器件806连接在第二字线(例如，wl2)和偏置电压线(例如，bvl1)之间，第三调节mtj器件808连接在偏置电压线(例如，bvl1)和工作mtj器件106之间。工作mtj器件106连接在第三调节mtj器件808和位线(例如，bl1)之间。包含第三调节mtj器件808在产生不同的电阻来控制相关的工作mtj器件106内的电流方面赋予调节访问装置108更大的灵活性。图8b示出了对应于图8a的存储器电路800的集成电路的一些实施例的截面图810。上海海谷电子有限公司是一家专业提供回收的公司，有想法的不要错过哦！
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将磁芯或者说磁环所处的覆铜芯板靠近电路板内侧的铜箔蚀刻掉)。所述环形槽中固定有磁环(例如，对应各环形槽的磁环4，第二磁环5，第三磁环6等)。沿所述环形槽的外圈外侧设置有若干外过孔(例如，环初级绕组外过孔10，环次级绕组外过13，第二环初级绕组外过14，第二环次级绕组外过孔17，第三环初级绕组外过18，第三环次级绕组外过孔21等)，沿所述环形槽的内圈内侧设置有若干内过孔(例如，环次级绕组内过孔11，环次级绕组内过孔12，第二环初级绕组内过孔15，第二环次级绕组内过16，第三环初级绕组内过孔19，第三环次级绕组内过20等)。所述外过孔和内过孔均采用激光打孔(例如，激光过孔技术实现精确打孔)。所述若干外过孔包括初级绕组外过孔和次级绕组外过孔(例如，环初级绕组外过孔10，环次级绕组外过13，第二环初级绕组外过14，第二环次级绕组外过孔17，第三环初级绕组外过18，第三环次级绕组外过孔21等)，所述若干内过孔包括初级绕组内过孔和次级绕组内过孔(例如，环次级绕组内过孔11，环次级绕组内过孔12，第二环初级绕组内过孔15，第二环次级绕组内过16，第三环初级绕组内过孔19，第三环次级绕组内过20等)。初级绕组和次级绕组均采用印制线连接过孔的方式形成(也就是说。吉林库存电子料回收联系方式
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