嘉兴半导体剥离液推荐厂家

    701、油墨放置箱；702、油墨加压器；703、高压喷头；704、防溅射挡板；705、印刷辊；8、胶面剥离结构；801、收卷调速器；802、收卷驱动电机；803、辊固定架；804、胶水盛放箱；805、点胶头；806、卷边辊；807、胶面收卷辊；9、电加热箱；10、热风喷头；11、干燥度感应器；12、电气控制箱；13、液晶操作面板。具体实施方式下面结合附图对本**技术作进一步说明：如图1-图4所示，一种印刷品胶面印刷剥离复合装置，包括主支撑架1、横向支架2、伺服变频电机3、电机减速箱4、印刷品放置箱6、表面印刷结构7、胶面剥离结构8，所述主支撑架1上方设置有所述横向支架2，所述横向支架2上方设置有所述伺服变频电机3，所述伺服变频电机3上方设置有所述电机减速箱4，所述电机减速箱4上方安装有印刷品传送带5，所述印刷品传送带5一侧安装有所述印刷品放置箱6，所述印刷品放置箱6一侧安装有所述表面印刷结构7，所述表面印刷结构7上方设置有油墨放置箱701,所述油墨放置箱701下方安装有油墨加压器702，所述油墨加压器702下方安装有高压喷头703，所述高压喷头703一侧安装有防溅射挡板704，所述防溅射挡板704下方安装有印刷辊705,所述表面印刷结构7一侧安装有所述胶面剥离结构8。剥离液的价格哪家比较优惠？嘉兴半导体剥离液推荐厂家

    用显微镜观察也难以看出的程度)3：有少量残渣4：基本能剥离，但一部分残渣多5：一半以上能剥离，但一部分残渣多6：基本不能剥离，但一部分剥离7：不能剥离【表2】由该结果可知，在含有溶纤剂的抗蚀剂的剥离液中使用氢氧化钾代替氢氧化钠的本发明组成，与使用氢氧化钠的比较组成相比，即使l/s狭窄，也能除去抗蚀剂。(3)剥离性能的评价方法将液温设为50℃的各剥离液使用喷涂装置向上述试验片实施剥离处理，将试验片的粘性部分的dfr以目视全部面积的90％以上被剥离的时刻作为剥离时间。另外，剥离片尺寸(长边)是采集喷涂停止后附着于设置于试验基板固定用的台上的排渣用网眼的剥离片以目视实施的。此时的喷涂装置的条件设为全锥喷嘴且流量5l/min、压力。将其结果示于表3。(4)金属的浸蚀性的评价方法利用上述评价方法实施将喷涂运行时间固定在10分钟的处理。其后，将基板的镀铜部位通过电子显微镜(日立高新技术制：s-3400n)按照以下的评价基准评价表面形状。其结果也示于表3。<金属浸蚀性的评价基准>(分数)(内容)1：没有变化2：极略微有变化(用显微镜观察也难以看出的程度)3：略有变化4：发生***变色【表3】剥离时间(sec)剥离片尺寸。惠州市面上哪家剥离液订做价格友达光电用的哪家的剥离液？

    所述胶面剥离结构8上方安装有收卷调速器801，所述收卷调速器801一侧安装有收卷驱动电机802，所述收卷驱动电机802一侧安装有辊固定架803，所述辊固定架803一侧安装有胶水盛放箱804，所述胶水盛放箱804下方安装有点胶头805，所述点胶头805下方安装有卷边辊806，所述卷边辊806一侧安装有胶面收卷辊807，所述胶面剥离结构8一侧安装有电加热箱9，所述电加热箱9下方安装有热风喷头10，所述热风喷头10下方安装有干燥度感应器11,所述干燥度感应器11下方安装有电气控制箱12，所述电气控制箱12上方安装有液晶操作面板13。本实施例中，所述主支撑架1与所述横向支架2通过螺栓连接，所述伺服变频电机3与所述电机减速箱4通过导线连接。本实施例中，所述印刷品传送带5与所述印刷品放置箱6通过皮带连接，所述电加热箱9与所述胶面剥离结构8通过导线连接。本实施例中，所述油墨放置箱701与所述油墨加压器702通过管道连接，所述油墨加压器702与所述高压喷头703通过管道连接，所述印刷辊705共有两个，对称设置，所述防溅射挡板704与所述油墨放置箱701焊接。本实施例中，所述收卷调速器801与所述收卷驱动电机802通过导线连接，所述辊固定架803与所述胶面收卷辊807通过轴连接。

    采用此方法可以制备出负性光刻胶所能制备的任意结构，同时相比于传统的加工，本方案加工效率可以提高上千倍，且图形的结构越大相对的加工效率越高。本发明为微纳制造领域，光学领域，电学领域，声学领域，生物领域，mems制造，nems制造，集成电路等领域提供了一种新的有效的解决方案。附图说明图1为本发明制备用电子束在pmma上曝光出圆形阵列的轮廓；图2为本发明用黏贴层撕走pmma轮廓以外的结构后得到的圆形柱状阵列；图3为实施例1步骤三的结构图；图4为实施例1步骤四的结构图；图5为实施例1步骤五的结构图；图6为实施例1步骤六的结构图。具体实施方式为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步详细的描述。实施例1一种选择性剥离光刻胶制备微纳结构的方法，包括以下步骤：步骤一、提供衬底，并清洗；步骤二、使用十三氟正辛基硅烷利用高温气体修饰法对衬底进行修饰；步骤三、利用旋涂的方法在衬底上旋涂光刻胶pmma得到薄膜，如图3。步骤四、在光刻胶上加工出所需结构的轮廓如圆形，如图4所示。步骤五、在加工出结构轮廓的薄膜上面覆盖一层黏贴层，如图5。步骤六、揭开黏贴层及结构轮廓以外的薄膜，在衬底上留下轮廓内的微纳尺度结构。剥离液的大概费用大概是多少？

    具体实施方式现有技术中剥离液废液中含有光刻胶树脂、水和某些金属杂质，而剥离液废液的处理主要是通过焚烧或者低水平回收，其大量的使用但不能够有效地回收，或者回收后需要通过大量的时间分析其含量以及花大量时间进行再生处理，影响了剥离液废液的利用率。本发明对于已知的剥离液的含量以及比例有预先的了解，通过预先制定添加剂的方法，将添加剂以及某些原材料加入后重新制备剥离液新液。本发明中对于回收的剥离液废液的进一步处理加工，是采用现有技术中加压、蒸馏等方式，可以是采用阶段性变压精馏塔进行加压、蒸馏处理。表1：已知的剥离液新液的组分：表二：添加剂的组分组分比例：纯化液体的组分表四：制备剥离液新液在对纯化液体进行加工处理，重新制备剥离液新液的过程中，需要预先制备添加剂，该添加剂中不含有酰胺化合物，而通过表四中可以得出，制备过程中在纯化液体中加入添加剂以及nmf或bdg重新得出与表1组分相同的剥离液新液，该剥离液新液能够达到表1中剥离液新液相同的成分以及相同或大致相同的技术效果。对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的。质量好的做剥离液的公司。合肥银蚀刻液剥离液供应

剥离液蚀刻后的样貌形态。嘉兴半导体剥离液推荐厂家

    实施例1～6：按照表1配方将二甲基亚砜、一乙醇胺、四甲基氢氧化铵、硫脲类缓蚀剂、聚氧乙烯醚类非离子型表面活性剂、n-甲基吡咯烷酮和去离子水混合，得到用于叠层晶圆的光刻胶剥离液。表1：注：含量中不满100wt％的部分由去离子水补足余量。以cna披露的光刻胶剥离液作为对照例，与实施例1～6所得用于叠层晶圆的光刻胶剥离液进行比较试验，对面积均为300cm2的叠层晶圆上的光刻胶进行剥离并分别测定剥离周期、金属镀层的腐蚀率和过片量(剥离的面壁数量)。对比情况见表2：表2：剥离周期/s金属腐蚀率/ppm过片量/片实施例1130～15015376实施例2130～15016583实施例3130～15017279实施例4130～15015675实施例5130～15016372实施例6130～15017681对照例180～20022664由表2可知，本用于叠层晶圆的光刻胶剥离液通过加入硫脲类缓蚀剂和聚氧乙烯醚类非离子型表面活性剂，使剥离效率有明显的提升，对金属腐蚀率降低20％以上，而且让过片量提高10％以上。以上所述的*是本发明的一些实施方式。对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明创造构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。嘉兴半导体剥离液推荐厂家

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