降低碳化硅衬底的成本的三个方法:1)做大尺寸:衬底的尺寸越大,边缘的浪费就越小,有利于进一步降低芯片的成本。6英寸衬底面积为4英寸衬底的,相同的晶体制备时间内衬底面积的倍数提升带来衬底成本...
相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比,其尺寸可大幅减小至原来的1/10,导通电阻可至少降低至原来的1/100。相同规格的碳化硅基MOSFET较硅基IGBT的总能量损耗可降低70%。碳化...
碳化硅(SiC)由于其独特的物理及电子特性,在一些应用上成为比较好的半导体材料:短波长光电元件,高温,抗幅射以及高频大功率元件,由于碳化硅的宽能级,以其制成的电子元件可在极高温下工作,可以抵受的电压或...
碳化硅(SiC)半导体器件在航空、航天探测、核能开发、卫星、石油和地热钻井勘探、汽车发动机等高温(350~500oC)和抗辐射领域具有重要应用; 高频、高功率的碳化硅(SiC)器件在...
氧化锆陶瓷是由氧化锆(ZrO2)制成的工业陶瓷材料,具有化学惰性和高热膨胀性,具有很高的耐磨性和抗裂纹扩展能力。在所有高级陶瓷材料中,它在室温下具有比较高的韧性和强度。它还具有优良的隔热性和低导热性。...
陶瓷衬垫是现在普遍采用的单层焊接两面样子的衬垫资料,在固体不锈钢丝CO2汽体维护全自动焊接中应用普遍,对合乎药芯焊丝的CO2汽体维护全自动焊接的使用很少。因此,选用陶瓷衬垫药芯焊丝CO2汽体维护全自动...
干压成型可成型形状复杂的陶瓷制品,尺寸精度高,几乎不需要后续加工,是制作异形陶瓷制品的主要成型工艺;特别适宜于各种截面厚度较小的陶瓷制品制备,如陶瓷密封环、陶瓷水阀片、陶瓷衬板、陶瓷内衬等。成型好的坯...
碳化硅属于第三代半导体材料,在低功耗、小型化、高压、高频的应用场景有极大优势。第三代半导体材料以碳化硅、氮化镓为,与前两代半导体材料相比比较大的优势是较宽的禁带宽度,保证了其可击穿更高的电场强度,适合...
N型碳化硅衬底材料是支撑电力电子行业发展必不可少的重要材料。其耐高压、耐高频等突出的物理特性可以广泛应用于大功率高频电子器件、电动汽车PCU、光伏逆变、轨道交通电力控制系统等领域,起到减小体积简化系统...
哪些原因会造成氧化锆陶瓷结构件变形?引言:氧化锆陶瓷结构件在应用中总是会发生各种各样难题,变形就是在其中一种。那麼有哪些原因会造成它变形呢?下边我将给大伙儿解读下。氧化锆陶瓷结构件在应用中...
氧化锆陶瓷呈白色,含杂质时呈黄色或灰色,一般含有HfO2,不易分离。在常压下纯ZrO2共有三种晶态。氧化锆陶瓷的生产要求制备高纯、分散性能好、粒子超细、粒度分布窄的粉体,氧化锆超细粉末的制备方法很多,...
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